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271_088-181CP-TW

發佈日期 : 2009-04-27
公告號 377475
專利名稱 高功率磷化銦鎵 (全文下載)
公告/公開日 1999/12/21
證書號 110390
申請日 1996/10/03
申請號 085112074
國際分類 H01L-021/328
公報卷期 26-36
發明人 劉文超
羅文雄
蔡榮輝
申請人 行政院國家科學委員會 台北巿和平東路二段一○六號十八樓
代理人名 洪澄文
摘要 一種高功率磷化銦鎵/砷化鎵/磷化銦鎵雙δ摻雜雙異質接面雙極性電晶體，包括:一基板;一緩衝層，包含砷化鎵材料，形成於前述基板上;一集極層，包含磷化銦鎵材料，形成於前述緩衝層上;一第一δ摻雜層，形成於前述集極層上;一第一無摻雜層，包含砷化鎵材料，形成於前述第一δ摻雜層上;一基極層，包含砷化鎵材料，形成於前述第一無摻雜層上;一第二無摻雜層，包含砷化鎵材料，形成於前述基極層上;一第二δ摻雜層，形成於前述第二無摻雜層上;一射極層，包含磷化銦鎵材料，形成於前述第二δ摻雜層上;及一歐姆接觸層，包含砷化鎵材料，形成於前述射極層上。上述之電晶體結構主要係利用在基極-射極與基極-集極的磷化銦鎵/砷化鎵接面之間加入δ摻雜層，使基極-射極與基極-集極間的位障尖峰消失，藉以提高射極注入效率、電流輸出及電流增益，並且降低飽和電壓，提昇元件之特性。
專利範圍 1.一種雙?摻雜雙異質接面雙極性電晶體,包括:
一基板;
一緩衝層,包含砷化鎵材料,形成於前述基板上;
一集極層,包含磷化銦鎵材料,形成於前述緩衝層上;
一第一?摻雜層,形成於前述集極層上;
一第一無摻雜層,包含砷化鎵材料,形成於前述第一?摻雜層上;
一基極層,包含砷化鎵材料,形成於前述第一無摻雜層上;
一第二無摻雜層,包含砷化鎵材料,形成於前述基極層上;
一第二?摻雜層,形成於前述第二無摻雜層上;
一射極層,包含磷化銦鎵材料,形成於前述第二?摻雜層上;及
一歐姆接觸層,包含砷化鎵材料,形成於前述射極層上。
2.如申請專利範圍第1項的雙?摻雜雙異質接面雙極性電晶體,其中,前述基板係包含n+型砷化鎵。
3.如申請專利範圍第1項的雙?摻雜雙異質接面雙極性電晶體,其中,前述緩衝層係包含n+型砷化鎵。
4.如申請專利範圍第1項的雙?摻雜雙異質接面雙極性電晶體,其中,前述集極層係包含n型磷化銦鎵。
5.如申請專利範圍第1項的雙?摻雜雙異質接面雙極性電晶體,其中,前述第一?摻雜層及第二?摻雜層係由停止成長摻入n+型雜質形成。
6.如申請專利範圍第1項的雙?摻雜雙異質接面雙極性電晶體,其中,前述基極層係包含p+型砷化鎵。
7.如申請專利範圍第1項的雙?摻雜雙異質接面雙極性電晶體,其中,前述射極層係包含n型磷化銦鎵。
8.如申請專利範圍第1項的雙?摻雜雙異質接面雙極性電晶體,其中,前述歐姆接觸層係包含n+型砷化鎵。
9.如申請專利範圍第3項的雙?摻雜雙異質接面雙極性電晶體,其中,前述緩衝層厚度約為3000埃,且其摻雜濃度約為3ױ018cm-3。
10.如申請專利範圍第4項的雙?摻雜雙異質接面雙極性電晶體,其中,前述集極層厚度約為2000埃,且其摻雜濃度為5ױ017cm-3。
11.如申請專利範圍第5項的雙?摻雜雙異質接面雙極性電晶體,其中,前述第一?摻雜層及第二?摻雜層的摻雜濃度均約為2ױ012cm-2。
12.如申請專利範圍第6項的雙?摻雜雙異質接面雙極性電晶體,其中,前述基極層的厚度約為1000埃,且其摻雜濃度約為1ױ019cm-3。
13.如申請專利範圍第7項的雙?摻雜雙異質接面雙極性電晶體,其中,前述射極層的厚度約為1000埃,且其摻雜濃度約為5ױ017cm-3。
14.如申請專利範圍第8項的雙?摻雜雙異質接面雙極性電晶體,其中,前述歐姆接觸層的厚度約為2000埃,且其摻雜濃度約為3ױ018cm-3。
15.如申請專利範圍第1項的雙?摻雜雙異質接面雙極性電晶體,其中,前述第一無摻雜層及第二無摻雜層均為厚約50埃的本質砷化鎵材料。
16.如申請專利範圍第1項的雙?摻雜異質接面雙極性電晶體,其中,前述射極的面積約為1ױ0-4cm-2。
圖式簡單說明:
第一圖係繪示本發明之雙?摻雜雙異質接面雙極性電晶體的結構圖;
第二圖係繪示本發明之雙?摻雜雙異質接面雙極性電晶體的傳導帶之能帶圖;
第三圖係繪示本發明之雙?摻雜雙異質接面雙極性電晶體順向操作之電流-電壓特性曲線圖;及
第四圖係繪示本發明之雙?摻雜雙異質接面雙極性電晶體的電流增益對集極電流之關係圖式。
雜項資料  
專利權異動
專利申
請案號		 授權
註記		 質權
註記		 讓與
註記		 繼承
註記		 信託
註記		 異議
註記		 舉發
註記		 消滅
日期		 撤銷
日期		 專利權
始日		 專利權
止日		 年費有
效日期		 年費有
效年次
085112074 無 無 無 無 無 無 無     19991221 20161002 20121220 13
申請案件狀態
專利申
請案號		 狀態異
動日期		 案件申
請日期		 實體審查
申請日		 相關申
請案號		 公開號 公告號 證書號 證書型別 狀態異
動資料
085112074 19991221 19961003       377475 110390 發明 初審核准
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