| 專利範圍 |
1.一種新型的磷化鎵銦/磷化鋁鎵銦(GaInP/AlGaInP)結
構,其係包括:(1)n型砷化鎵(GaAs)基板;(2)0.5?m,
濃度為2ױ018cm-3之n型砷化鎵(GaAs)緩衝層;(3)0.5?
m,濃度為4ױ017cm-3之n型Al0.5In0.5P披覆層;(4)2,
000A,濃度為4ױ017cm-3之n型(Al0.6Ga0.4)0.5In0.5P
被動波導井;(5)7,000A,濃度為4ױ017cm-3之n型Al0.
5In0.5P被動波導能障層;(6)900A,不摻雜之(Al0.6Ga0.
4)0.5In0.5P光侷限層;(7)80A,不摻雜之Ga0.42In0.58P
應變量子井;(8)900A,不摻雜之(Al0.6Ga0.4)0.5In0.5P
光侷限層;(9)7,000A,濃度為5ױ017cm-3之P型Al0.
5In0.5P被動波導能障層;(10)2,000A,濃度為5ױ017cm
-3之P型(Al0.6Ga0.4)0.5In0.5P被動波導井;(11)0.5?m
,濃度為5ױ017cm-3之P型Al0.5In0.5P披覆層;(12)
100A,濃度為1ױ018cm-3之P型GaInP;(13)2,000A濃度
為4ױ019cm-3之P型砷化鎵(GaAs)導電層。
2.如申請專利範圍第1項所述之結構,此種降低遠場散射
角之新型結構,即在傳統磷化鎵銦/磷化鋁鎵銦(GaInP/
A1GaInP)半導盤雷射之披覆層中加入被動波導結構。
3.一種使用於可見光半導體雷射之磷化鎵銦/磷化鋁鎵銦
(GaInP/A1GaInP)結構,其係包括:(1)n型砷化鎵(GaAs)
基板;(2)0.5?m,濃度為2ױ018cm-3之n型砷化鎵(GaAs
)緩衝層;(3)0.5?m,濃度為4ױ017cm-3之n型Al0.5In0
.5P披覆層;(4)2,000A,濃度為4ױ017cm-3之n型(Al0.
6Ga0.4)0.5In0.5P被動波導井;(5)7,000A,濃度為4ל1017cm-3之n型Al0.5In0.5P被動波導能障層;(6)900A,
不摻雜之(Al0.6Ga0.4)0.5In0.5P光侷限層;(7)80A,不
摻雜之Ga0.42In0.58P應變量子井;(8)900A,不摻雜之(
Al0.6Ga0.4)0.5In0.5P光侷限層;(9)7,000A,濃度為5ל1017cm-3之P型Al0.5In0.5P被動波導能障層;(10)2,000A
,濃度為5ױ017cm-3之P型(Al0.6Ga0.4)0.5In0.5P被動
波導井;(11)0.5?m,濃度為5ױ017cm-3之P型Al0.5In0
.5P披覆層;(12)100A,濃度為1ױ018cm-3之P型GaInP;
(13)2,000A濃度為4ױ019cm-3之P型砷化鎵(GaAs)導電層
。圖式簡單說明:第一圖主動波導結合被動波導之磷化鎵
銦/磷化鋁鎵銦(GaInP/A1GaInP)單一量子井雷射之導帶
結構圖。第二圖內部相(在主動波導中)強度及外部相(在
被動波導中)強度之比値隨被動波導之井寬(D)變化之情形
。第三圖隨被動波導之井寬(C)及位障層寬度(D)變化之立
體圖。第四圖最佳條件下,磷化鎵銦/磷化鋁鎵銦(GaInP/
AlGaInP)紅光半導體雷射光其中實線及虛線分別表示具有
被動波導結及不具有被動波導結構之雷射(最佳條件係如
圖3(a)及3(b)所示, C=0.7?m, D=0.2?m)第五圖在最佳
條件下之具有被動波導之磷化鎵銦/磷化鋁鎵銦(GaInP/
AlGaInP)分開侷限應變量子井(SCH-S-QW)可見光半導體雷
射架構。 |
