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295_088-166CP-TW

發佈日期 : 2009-04-28
公告號 415111
專利名稱

具可調位障高度功能之雙金屬結構蕭基二極體 (全文下載)

公告/公開日 2000/12/11
證書號 124401
申請日 1998/12/03
申請號 087120051
國際分類 H01L-029/872
公報卷期 27-35
發明人 王水進
曾健庭
申請人 行政院國家科學委員會 台北巿和平東路二段一○六號十八樓
代理人名 陳井星
摘要 本發明為開發一種新穎之雙金屬結構蕭基二極體,其特徵在於在半導體表面上先後蒸鍍兩種不同位障蕭基金屬,其中低蕭基位障金屬係適當間雜於另一高蕭基位障金屬間,使所得蕭基二極體兼得高位障金屬低漏電電流、高崩潰電壓及低位障金屬高導通電流、低順向壓降之優點,可有效降低功率消耗。此外,更可藉改變兩種金屬所佔面積比率,進行蕭基二極體有效位障高度之控制,此在實現最小功率損失蕭基二極體之製造上為一大突破,在微波及功率二極體應用上極具潛力。
專利範圍 1.一種「具可調位障高度功能之雙結構蕭基二極體」,包括(a)一磊晶矽(n-/n+) 基板;
(b)一層蒸鍍於上述磊晶矽基板背面之歐姆性接觸金屬薄膜;
(c)一層蒸鍍於上述磊晶矽基板正面之部份區域,具有高位障之蕭基金屬;其中高位障蕭基
金屬所覆蓋區域係利用一次光阻製程及舉離(lift-off)技術定義出;
(d)一層蒸鍍於上述已部份覆蓋高位障蕭基金層之磊晶矽基板上之低位障蕭基金層,其中低
位障蕭基金屬所覆蓋區域係利用一次光阻製程及舉離(lift-off)技術定義出;
此雙金屬結構蕭基二極體之特徵,順偏特性係由低位障金屬所主宰,稱偏特性係由高位障金
屬所決定,可兼得高位障金屬低漏電電流、高崩潰電壓及低位障金屬高導通電流、低順向壓
降,進而降低功率損耗之優點;再者,可藉高、低位障兩種蕭基金屬之面積比,進行蕭基位
障高度之調變。
2.如申請專利範圍第1項所述之具可調位障高度功能之雙金屬結構蕭基二極體,為期獲得較
大之有效位障調變範圍,所採用高、低位障金屬之位障高度須分別要求≧0.7V及≦0.5V者,
亦即高、低蕭基金屬之位障差以≧0.2V。
3.如申請專利範圍第1項所述之具可調位障高度功能之雙金屬結構蕭基二極體,為能同時獲
得高位障金屬低漏電電流、高崩潰電壓及低位障金屬高導通電流、低順向壓降之優點,低位
障蕭基金屬夾置於高位障蕭基金屬間之寬度1-10?m;高位障蕭基金屬之寬度係5-100?m
。
4.如申請專利範圍第1項所述之具可調位障高度功能之雙金屬結構蕭基二極體,為提高反偏
下高位障蕭基金屬區之屏蔽效應,高位障蕭基金屬區之矽蝕刻深度係為1-1.5?m。
圖式簡單說明:
第一圖係本發明之雙金屬結構蕭基二極體結構圖。
第二圖係本發明之順、反偏狀況下傳導電流與空乏區之分佈示意圖。
(a)順偏電流之可能分佈
(b)反偏電流之可能分佈
第三圖係本發明之雙金屬結構蕭基二極體製造程序圖。
(a)上第一道光阻
(b)蒸鍍高位障蕭基金屬
(c)以丙酮處理
(d)上第二道光阻
(e)蒸鍍低位障蕭基金屬
(f)以丙酮處理
第四圖實施例所製得雙金屬(以 Au-Ag 為例)結構蕭基二極體之上視圖。
第五圖實施例所製得雙金屬(以 Au-Ag 為例)結構蕭基二極體測量之實驗特性曲線。
1.銀
2.面積比 x=0.35
3.面積比 x=0.29
4.面積比 x=0.23
5.金
第六圖實施例所製得雙金屬(以 Au-Ag 為例)結構蕭基二極體等效蕭基位障與面積比之
關係圖。
1.實驗値(Experiment)
2.合適曲線(Fitting curve)
3.?=0.42x2-0.74x+0.765
第七圖本發明雙金屬結構蕭基二極體於最小功率損失之實例
1.Jon=50A/cm2
2.Jon=10A/cm2
3.Jon=100A/cm2=160V
最低功率損失點 Voff=160V
雜項資料
雜項資訊 28卷15期 核發專利證書目錄
專利權號數 I124401
公告日期 0891211
專利申請案號 087120051
公告卷號 28
期數 15
專利權類別 發明
申請名稱 具可調位障高度功能之雙金屬結構蕭基二極體
申請人 行政院國家科學委員會
發證日期 0900426
專利權異動
專利申
請案號
授權
註記
質權
註記
讓與
註記
繼承
註記
信託
註記
異議
註記
舉發
註記
消滅
日期
撤銷
日期
專利權
始日
專利權
止日
年費有
效日期
年費有
效年次
087120051 無 無 無 無 無 無 無     20001211 20181202 20111210 11
申請案件狀態
專利申
請案號
狀態異
動日期
案件申
請日期
實體審查
申請日
相關申
請案號
公開號 公告號 證書號 證書型別 狀態異
動資料
087120051 20001211 19981203       415111 124401 發明 初審核准
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