300_088-162CP-TW
發佈日期 :
2009-04-28
| 406428 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 低雜訊遠紅外線汞鎘碲（ＨｇＣｄＴｅ）光偵測器及其製造方法 (全文下載) | |||||||||||||||||||||||||||||
| 2000/09/21 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 120926 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 1999/03/25 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 088104742 | |||||||||||||||||||||||||||||
| H01L-027/14 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 27-27 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 洪澄文 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 一種低雜訊遠紅外線汞鎘碲光偵測器，具有含一光激原生氧化層(photo-enhanced native oxide)之雙披覆堆疊結構，適用於一汞鎘碲基板上，其製造方法包括以直接光學氣相氧化法在汞鎘碲基板上形成一光激原生氧化層，並在此原生氧化層上形成一硫化鋅層，之後，在硫化鋅層及原生氧化層上定義圖案，且在其上方形成一導電膜，而構成一遠紅外線偵測器。 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 1.一種低雜訊遠紅外線汞鎘碲光偵測器之製造方法,適用於一汞鎘碲基板上,其步驟包括: 以光學氣相氧化法在該汞鎘碲基板上方形成一原生氧化層; 形成一硫化鋅層於該原生氧化層上方; 圖案定義該硫化鋅層及該原生氧化層;以及 形成一導電膜於該硫化鋅層上方。 2.如申請專利範圍第1項所述之低雜訊遠紅外線汞鎘碲光偵測器之製造方法,其中該光學氣 相氧化法是以氘燈光源激化氧分子,在低於攝氏50度的溫度環境下實施約二小時,使該原生 氧化層形成於該汞鎘碲基板上方。 3.如申請專利範圍第1項所述之低雜訊遠紅外線汞鎘碲光偵測器之製造方法,其中該硫化鋅 層係以溴甲醇蝕刻進行圖案定義。 4.如申請專利範圍第1項所述之低雜訊遠紅外線汞鎘碲光偵測器之製造方法,其中該原生氧 化層係以氫氟酸溶液蝕刻進行圖案定義。 5.如申請專利範圍第4項所述之低雜訊遠紅外線汞鎘碲光偵測器之製造方法,其中該氫氟酸 溶液之濃度約為1:10。 6.如申請專利範圍第1項所述之低雜訊遠紅外線汞鎘碲光偵測器之製造方法,其中該導電膜 是一金膜。 7.如申請專利範圍第1項所述之低雜訊遠紅外線汞鎘碲光偵測器之製造方法,其中該汞鎘碲 基板是一n型汞鎘碲晶片。 8.一種低雜訊遠紅外線汞鎘碲光偵測器之製造方法,適用於一汞鎘碲基板上,其步驟包括: 在低於攝氏50度的溫度環境下以紫外線激化氧分子,使與該汞鎘碲基板表面反應而形成一原 生氧化層; 形成一硫化鋅層於該原生氧化層上方; 圖案定義該硫化鋅層及該原生氧化層;以及 形成一導電膜於該硫化鋅層上方。 9.如申請專利範圍第8項所述之低雜訊遠紅外線汞鎘碲光偵測器之製造方法,其中該紫外線 係由一氘光源提供。 10.如申請專利範圍第8項所述之低雜訊遠紅外線汞鎘碲光偵測器之製造方法,其中該硫化鋅 層係以溴甲醇蝕刻進行圖案定義。 11.如申請專利範圍第8項所述之低雜訊遠紅外線汞鎘碲光偵測器之製造方法,其中該原生氧 化層係以氫氟酸溶液蝕刻進行圖案定義。 12.如申請專利範圍第11項所述之低雜訊遠紅外線汞鎘碲光偵測器之製造方法,其中該氫氟 酸溶液之濃度約為1:10。 13.如申請專利範圍第8項所述之低雜訊遠紅外線汞鎘碲光偵測器之製造方法,其中該導電膜 是一金膜。 14.如申請專利範圍第8項所述之低雜訊遠紅外線汞鎘碲光偵測器之製造方法,其中該汞鎘碲 基板是一n型汞鎘碲晶片。 15.一種低雜訊遠紅外線汞鎘碲光偵測器,包括: 一汞鎘碲基板 一光激原生氧化層於該汞鎘碲基板上方; 一硫化鋅層於該原生氧化層上方;以及 一導電膜於該硫化鋅層上方。 16.如申請專利範圍第15項所述之低雜訊遠紅外線汞鎘碲光偵測器,其中該光激原生氧化層 是以光學氣相氧化法形成於該汞鎘碲基板上方。 17.如申請專利範圍第15項所述之低雜訊遠紅外線汞鎘碲光偵測器,其中該導電膜是一金膜 。 18.如申請專利範圍第15項所述之低雜訊遠紅外線汞鎘碲光偵測器,其中該汞鎘碲基板是一n 型汞鎘碲晶片。 圖式簡單說明: 第一圖為一傳統汞鎘碲光偵測器之結構示意圖; 第二圖為依照本發明一較佳實施例之直接光學氣相氧化反應室組合及製造環境之示意圖 ;以及 第三圖到第五圖為本發明一較佳實施例之製造過程示意圖。 |
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| 專利權異動 |
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| 申請案件狀態 |
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