| 專利範圍 |
1.一種低補償電壓之砷化銦鋁侷限式異質雙極性電晶體,其包括:
一基板;
一緩衝層,包含砷化銦鎵材料,生成於上述基板上;
一集極層,包含砷化銦鎵材料,生成於上述緩衝層上;
一基極層,包含砷化銦鎵材料,生成於上述集極層上;
一射極層,包含砷化銦鎵材料,生成於上述基極層上;
一侷限層,包含砷化銦鋁材料,生成於上述射極層上;以及
一歐姆接觸層,包含砷化銦鎵材料,生成於上述侷限層上。
2.如申請專利範圍第1項所述之異質雙極性電晶體,其中,上述基板係由n+型InP所形成。
3.如申請專利範圍第1項所述之異質雙極性電晶體,其中,上述緩衝層係由n+型砷化銦鎵所
形成。
4.如申請專利範圍第1項所述之異質雙極性電晶體,其中,上述集極層係由n-型砷化銦鎵所
形成。
5.如申請專利範圍第1項所述之異質雙極性電晶體,其中,上述基極層係由p+型砷化銦鎵所
形成。
6.如申請專利範圍第1項所述之異質雙極性電晶體,其中,上述射極層係由n型砷化銦鎵所形
成。
7.如申請專利範圍第1項所述之異質雙極性電晶體,其中,上述侷限層係由n型砷化銦鋁所形
成。
8.如申請專利範圍第1項所述之異質雙極性電晶體,其中,上述歐姆接觸層係由n+型砷化銦
鎵所形成。
9.如申請專利範圍第3項所述之異質雙極性電晶體,其中,上述緩衝層厚度為0.3?m,摻雜
濃度為5ױ018cm-3。
10.如申請專利範圍第4項所述之異質雙極性電晶體,其中,上述集極層厚度為0.5?m,摻雜
濃度為5ױ016cm-3。
11.如申請專利範圍第5項所述之異質雙極性電晶體,其中,上述基極層厚度為0.2?m,摻雜
濃度為5ױ018cm-3。
12.如申請專利範圍第6項所述之異質雙極性電晶體,其中,上述射極層厚度為500埃,摻雜
濃度為5ױ017cm-3。
13.如申請專利範圍第7項所述之異質雙極性電晶體,其中,上述侷限層厚度為0.1?m,摻雜
濃度為5ױ017cm-3。
14.如申請專利範圍第4項所述之異質雙極性電晶體,其中,上述歐姆接觸層厚度為0.3?m,
摻雜濃度為3ױ018cm-3。
15.一種低補償電壓之砷化銦鋁/砷化銦鎵超晶格侷限式雙極性電晶體,其包括:
一基板;
一緩衝層,包含砷化銦鎵材料,生成於上述基板上;
一集極層,包含砷化銦鎵材料,生成於上述緩衝層上;
一基極層,包含砷化銦鎵材料,生成於上述集極層上;
一射極層,包含砷化銦鎵材料,生成於上述基極層上;
一15週期超晶格侷限層,其障壁包含砷化銦鋁材料,其量子井包含砷化銦鎵材料,生成於上
述射極層上;以及
一歐姆接觸層,包含砷化銦鎵材料,生成於上述超晶格侷限層上。
16.如申請專利範圍第15項所述之超晶格侷限式雙極性電晶體超晶格侷限式雙極性電晶體,
其中,上述基板係由n+型InP所形成。
17.如申請專利範圍第15項所述之超晶格侷限式雙極性電晶體,其中,上述緩衝層係由n+型
砷化銦鎵所形成。
18.如申請專利範圍第15項所述之超晶格侷限式雙極性電晶體,其中,上述集極層係由n-型
砷化銦鎵所形成。
19.如申請專利範圍第15項所述之超晶格侷限式雙極性電晶體,其中,上述基極層係由p+型
砷化銦鎵所形成。
20.如申請專利範圍第15項所述之超晶格侷限式雙極性電晶體,其中,上述射極層係由n型砷
化銦鎵所形成。
21.如申請專利範圍第15項所述之超晶格侷限式雙極性電晶體,其中,上述15週期侷限層之
障壁係由未摻雜之砷化銦鋁所形成。
22.如申請專利範圍第15項所述之超晶格侷限式雙極性電晶體,其中,上述15週期侷限層之
量子井係由之n+型砷化銦鎵所形成。
23.如申請專利範圍第15項所述之超晶格侷限式雙極性電晶體,其中,上述歐姆接觸層由n+
型砷化銦鎵所形成。
24.如申請專利範圍第17項所述之超晶格侷限性雙極性電晶體,其中,上述緩衝層厚度為0.2
?m,摻雜濃度為5ױ018cm-3。
25.如申請專利範圍第18項所述之超晶格侷限式雙極性電晶體,其中,上述集極層厚度為0.5
?m,摻雜濃度為5ױ016cm-3。
26.如申請專利範圍第19項所述之超晶格侷限式雙極性電晶體,其中,上述基極層厚度為0.2
?m,摻雜濃度為5ױ018cm-3。
27.如申請專利範圍第20項所述之超晶格侷限式雙極性電晶體,其中,上述射極層厚度為500
埃,摻雜濃度為5ױ017cm-3。
28.如申請專利範圍第21項所述之超晶格侷限式雙極性電晶體,其中,上述15週期侷限層之
障壁,厚度為0.1?m,摻雜濃度為5ױ017cm-3。
圖式簡單說明:
第一圖為本發明之砷化銦鋁侷限式雙極性電晶體結構圖;
第二圖為本發明之砷化銦鋁/砷化銦鎵超晶格侷限式雙極性電晶體結構圖;
第三圖為本發明之砷化銦鋁侷限式雙極性電晶體之射-基極傳導帶能帶圖;
第四圖為本發明之砷化銦鋁侷限式雙極性電晶體之電流-電壓輸出特性曲線;
第五圖為本發明之砷化銦鋁/砷化銦鎵超晶格侷限式雙極性電晶體之電流-電壓輸出特
性曲線;以及
第六圖為本發明之砷化銦鋁/砷化銦鎵超晶格侷限式雙極性電晶體之電流-電壓輸出特
性曲線之小電流區域放大圖。 |
