| 專利範圍 |
1.一種多峰共振穿透二極體的大信號模擬電路,適用於依據具有起點及終點之多峰共振穿透二極體的I-V特性曲線來製作其大信號模擬電路,且上述I-V特性曲線上之起點與終點之間前後依序取至少二斷點,同時上述起點、斷點以及終點中之相鄰兩點連成直線段,而使上述斷點各具有前直線段及後直線段,又上述多峰共振穿透二極體的大信號模擬電路包括:寄生電阻、與上述寄生電阻串聯的寄生電容以及與上述寄生電容並聯的電壓控制電流源;
其特徵在於:
上述電壓控制電流源包括:
至少一第一分路,包含:具有電阻値R1的第一電阻、正極端連接至上述第一電之一端的第一二極體以及正極端連接至上述第一二極體之負極端的具有電壓値V1的第一電壓源,且R1=1/(M12-M11),而M12>M11,其中, V1為上述斷點中之一斷點的電壓値、M11為其前直線段的斜率以及M12為其後直線段的斜率;
至少一第二分路,包含:一端連接至上述第一電阻之另一端之具有電阻値R2的第二電阻、負極端連接至上述第二電阻的另一端的第二二極體以及正極端連接至上述第二二極體之正極端而負極端連接至上述第一電壓源的負極端的具有電壓値V2的第二電壓源,且R2=1(M21-M22),而M21>M22,其中, V2為上述斷點中之另一斷點的電壓値、M21為其前直線段的斜率以及M22為其後直線段的斜率;以及
一第三分路,包括:一端連接至上述第一電阻之另一端之具有電阻値R3的第三電阻以及正極端連接至上述第三電阻的另一端而負極端連接至上述第一電壓源的負極端的具有電壓値V3的第三電壓源,其中,上述R3及V3係依據上述I-V特性曲線並藉由克希荷夫定律而求得者。
2.如申請專利範圍第1項所述之多峰共振穿透二極體的大信號模擬電路,其中,更包括由輸入掃描電壓及輸入電阻所界定的輸入區域,同時上述第一、第二及第三分路並聯有電壓控制電壓源與虛擬電壓源的串聯電路,以構成作用區域,而上述電壓控制電壓源的電壓大小等於上述輸入掃描電壓,且上述虛擬電壓源用以測量上述共振穿透二極體等效電流値。
3.如申請專利範圍第2項所述之多峰共振穿透二極體的大信號模擬電路,其中,更包括由一電流控制之輸出電源及輸出電阻所界定的輸出區域,且上述輸出電流源的電流値為上述共振穿透二極體等效電流値。
4.如申請專利範圍第2項或第3項所述之多峰共振穿透二極體的大信號模擬電路,其中,上述輸入電阻及輸出電阻為1M?。
圖式簡單說明:
第一圖係顯示雙峰共振穿透二極體的I-V特性曲線圖;
第二圖係顯示本創作之多峰共振穿透二極體的大信號模擬電路;以及
第三圖係顯示依據第一圖之I-V特性曲線所求得的雙峰共振穿透二極體的大信號模擬電路。 |
