010_094-054BP-TW
發佈日期 :
2009-04-29
| I268003 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 發光二極體之製造方法（全文下載) | |||||||||||||||||||||||||||||
| 2006/12/01 | |||||||||||||||||||||||||||||
| I268003 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 2005/12/20 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 094145255 | |||||||||||||||||||||||||||||
| H01L-033/00(2006.01) | |||||||||||||||||||||||||||||
| 33-34 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 郭雨嵐;林發立 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 本發明係關於一種發光二極體之製造方法，其係利用具雙面黏著特性之可剝離薄膜將磊晶與暫時基板結合，待磊晶上形成反射層與電極後將雙面薄膜與暫時基板移 除，本發明不需透過熱壓程序即可將磊晶與暫時基板結合，且兩者之分離程序簡便，不會造成磊晶破裂，可提高產品良率與降低成本。 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 1.一種發光二極體製作方法,其步驟包含: (a)提供一磊晶用基板及於該磊晶用基板上長成之LED磊晶層,該LED磊晶層於該磊晶用基板上依序包括第二披覆層、活性發光層、第一披覆層,其中前述第二披覆層上具有一第一電極; (b)於前述磊晶層之電極貼附一暫時基板,該暫時基板係利用一雙面具黏著性之可剝離薄膜將前述暫時基板與磊晶層貼附; (c)移除前述磊晶用基板; (d)形成一金屬反射層於前述第一披覆層上; (e)形成一第二電極層於前述反射層上; (f)形成一永久基板於前述第二電極層上;及 (g)移除前述可剝離膜及暫時基板。 2.如申請專利範圍第1項所述之方法,其中前述磊晶用基板之材質包含砷化鎵、藍寶石、碳化矽或磷化銦。 3.如申請專利範圍第1項所述之方法,其中前述磊晶層之材質包含GaxAly Inl-x-yN、(AlxGal-x)yInl-yP、InxGa1-xAs、ZnSxSel-x,其中0≦x≦1,0≦y≦1。 4.如申請專利範圍第1項所述之方法,其中前述第二披覆層與第一電極間係可進一步包含一透明導電膜。 5.如申請專利範圍第1項所述之方法,其中前述雙面具黏著性之可剝離薄膜係為耐酸鹼膠帶。 6.如申請專利範圍第1項所述之方法,其中前述暫時基板之材質包含玻璃、矽、藍寶石或高分子。 7.如申請專利範圍第1項所述之方法,其中前述第一披覆層與磊晶用基板間係可進一步包含一緩衝層。 8.如申請專利範圍第1項所述之方法,其中前述移除磊晶用基板係利用蝕刻法或雷射剝離。 9.如申請專利範圍第7項所述之方法,其中前述緩衝層係於步驟(b)及步驟(c)之間增加一移除緩衝層步驟移除之。 10.如申請專利範圍第9項所述之方法,其中前述移除緩衝層之方法係利用ICP、RIE或化學方法。 11.如申請專利範圍第1項所述之方法,其中前述(d)係利用蒸鍍法、濺鍍法或離子鍍法形成一金屬反射層於前述第一披覆層上。 12.如申請專利範圍第1項所述之方法,其中前述反射層之材質包含Ag、Pt、Pd、Au、Ag/Cr、Ag/Ti、Ag/Ni、Au/Zu、Au/Be、Au/Ge、Au/Ge/Ni、In、Sn、Al、Zn、Ge、Ni、Fe、Cu、Cu/W、W或其混合物。 13.如申請專利範圍第1項所述之方法,其中前述反射層係為金屬/非金屬層構成。 14. 如申請專利範圍第13項所述之方法,其中前述金屬/非金屬層之材質包含Ag/TaN、Ag/TiN、Ag/Ni-P、Ag/Ni-P-W、Ag/Ni /ITO、Ni/TaN、Ni/TiN、Ni/Ni-P、Ni/Ni-P-W、Ni/ITO、Au/TaN、Au/TiN、Au/Ni-P、Au/Ni- P-W、Cu/TaN、Cu/TiN、Cu/Ni-P、Cu/Ni-P-W或其混合物。 15.如申請專利範圍第1項所述之方法,其中前述永久性基板之材質包含銅、鎳、鉬、鐵、鎢或其混合物。 16.如申請專利範圍第1項所述之方法,其中前述永久性基板之形成方法包含電鍍法、無電鍍法或貼合法。 17.如申請專利範圍第1項所述之方法,其中前述步驟(g)之後係可進一步包含一切割晶圓成晶粒之步驟。 圖式簡單說明: 第一A圖係為具有磊晶層之磊晶用基板示意圖。 第一B圖係為利用可剝離膜將暫時基板與磊晶用基板結合示意圖。 第一C圖係為移除磊晶用基板示意圖。 第一D圖係為形成反射層示意圖。 第一E圖係為形成金屬導電層示意圖。 第一F圖係為形成永久基板示意圖。 第一G圖係為移除可剝離膜及暫時基板製程發光二極體結構示意圖。 |
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| 專利權異動 |
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| 申請案件狀態 |
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