157_091-015AP-TW
發佈日期 :
2009-04-29
| 335452 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 折射率分佈型GI光學元件之製造方法(全文下載) | |||||||||||||||||||||||||||||
| 1998/07/01 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 095613 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 1995/07/06 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 084106996 | |||||||||||||||||||||||||||||
| G02B-006/00 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 25-19 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 蔡清福 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 本案係關於一種折射率分佈型GI(gradient index)光學元件之製造方法，包括下列步驟：1)將含有一種以上之共單體組成注入一成型體中；2)於一恆溫下處理含該一種以上共單體組成之該成型體，使該成型體膨潤；及3)使該共單體組成進行聚合反應。 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 1.一種折射率分佈型GI光學元件之製造方法,包括下列步 驟:1)將含有一種以上之共單體組成注入一成型體中;2) 於一恆溫下處理含該一種以上共單體組成之該成型體,使 該成型體膨潤;及3)使該共單體組成進行聚合反應。 2.如申請專利範圍第1項之方法,其中該一種以上之共單 體組成具有不同共聚反應性比。 3.如申請專利範圍第2項之方法,其中該共單體組成成分 可為反應性單體或非反應性單體。 4.如申請專利範圍第3項之方法,其中該共單體組成為甲 基丙烯酸甲酯(methyl methacrylate)與甲基丙烯酸 基 酯(benzyl methacrylate)。 5.如申請專利範圍第4項之方法,其中該共單體組成中甲 基丙烯酸甲酯與甲基丙烯酸 基酯之重量比為4:1到1:1 。 6.如申請專利範圍第3項之方法,其中該共單體組成為甲 基丙烯酸甲酯(methyl methacrylate)與四氟丙基丙烯酸 甲酯(tetrafluoropyl methacrylate)。 7.如申請專利範圍第6項之方法,其中該共單體組成中甲 基丙烯酸甲酯與四氟丙基丙烯酸甲酯之重量比為4:0.6到 1:1。 8.如申請專利範圍第3項之方法,其中該共單體組成為甲 基丙烯酸甲酯(methyl methacrylate)與苯基乙酸 基酯( benzyl phenylacetate)。 9.如申請專利範圍第8項之方法,其中該共單體組成為甲 基丙烯酸甲酯與苯基乙酸 基酯之重量比為4:1。 10.如申請專利範圍第3項之方法,其中該共單體組成為甲 基丙烯酸甲酯(methyl methacrylate)與水楊酸 基酯( benzyl salicylate)。 11.如申請專利範圍第10項之方法,其中該共單體組成為 甲基丙烯酸甲酯與水楊酸 基酯之重量比為4:1。 12.如申請專利範圍第3項之方法,其中該共單體組成為甲 基丙烯酸甲酯(methyl methacrylate)與磷酸三苯基酯( tribenzyl phosphate)。 13.如申請專利範圍第12項之方法,其中該共單體組成為 甲基丙烯酸甲酯與磷酸三苯基酯之重量比為4:1。 14.如申請專利範圍第3項之方法,其中該共單體組成為甲 基丙烯酸甲酯(methyl methacrylate)與二溴苯( dibromobenzene)。 15.如申請專利範圍第14項之方法,其中該共單體組成為 甲基丙烯酸甲酯與二溴苯之重量比為4:1。 16.如申請專利範圍第3項之方法,其中該共單體組成為甲 基丙烯酸甲酯(methyl methacrylate)與溴化 ( bromonaphthalene)。 17.如申請專利範圍第16項之方法,其中該共單體組成為 甲基丙烯酸甲酯與溴化之重量比為4:1。 18.如申請專利範圍第1項之方法,更包括於該共單體組成 中加入一光起始劑或熱起始劑,一起注入該成型體中。 19.如申請專利範圍第18項之方法,其中該光起始劑係為 苯甲醯基過氧化物(benzoylperoxide)或安息香甲基醚( benzoin methyl ether)。 20.如申請專利範圍第18項之方法,其中該光起始劑之含 量為0.1wt%至3wt%。 21.如申請專利範圍第1項之方法,其中該步驟2)之恆溫處 理係於20至50℃中之一溫度下進行。 22.如申請專利範圍第1項之方法,其中該步驟3)之聚合反 應係於一40至80℃中之一溫度下進行。 23.如申請專利範圍第1項之方法,其中該步驟3)之聚合反 應係於一紫外光照射下進行。 24.如申請專利範圍第1項之方法,其中該步驟3)之聚合反 應進行約10至40小時。 25.如申請專利範圍第1項之方法,更包括一高溫後處理步 驟,以將未反應單體去除。 26.如申請專利範圍第25項之方法,其中該高溫後處理步 驟係於一70至80℃中之一溫度下進行。 27.如申請專利範圍第26項之方法,其中於該高溫後處理 同時進行減壓步驟。 28.如申請專利範圍第27項之方法,其中該高溫後處理步 驟進行約6到10小時。 29.如申請專利範圍第1項之方法,其中該成型體係一壓克 力膠管,膨潤時係由膠管管壁膨潤至膠管中央部分。 30.如申請專利範圍第29項之方法,其中該壓克力膠管之 膨潤時間約為20到40小時。 31.一種以如申請專利範圍第29項之方法所製得之折射率 分佈型GI光學元件,其愈靠管壁處聚合物折射率愈低。 32.如申請專利範圍第1項之方法,其中該製作成型體、注 入共單體、恆溫膨潤、聚合之步驟係以批式(batch)模式 進行。 33.如申請專利範圍第1項之方法,更包括於該共單體組成 中加入一熱聚合抑制劑。圖式簡單說明:第一圖係光纖用 於光通信系統中之應用示意圖;第二圖係根據本案第一實 施例所製得GI光纖棒之折射率分佈圖;第三圖係根據本案 第一實施例所製得GI光纖棒之3-D折射率分佈圖;第四圖 係根據本案第一實施例所製得GI光纖棒之影像傳送圖;第 五圖係根據本案第二實施例所製得GI光纖棒之影像傳送圖 ;第六圖係根據本案第三實施例所製得GI光纖棒之影像傳 送圖;第七圖係根據本案第四實施例所製得GI光纖棒之折 射率分佈圖;第八圖係根據本案第五實施例所製得GI光纖 棒之影像傳送圖;第九圖係根據本案第六實施例所製得GI 光纖棒之影像傳送圖;第十圖係根據本案第七實施例所製 得GI光纖棒之折射率分佈圖;第十一圖係根據本案第八實 施例所製得GI光纖棒之影像傳送圖;第十二圖係根據本案 第九實施例所製得GI光纖棒之折射率分佈圖;第十三圖係 根據本案第九實施例所製得GI光纖棒之影像傳送圖;第十 四圖係根據本案第十實施例所製得GI光纖棒之折射率分佈 圖;第十五圖係根據本案第十實施例所製得GI光纖棒之影 像傳送圖;第十六圖係根據本案第十一至第十三實施例所 製得GI光纖棒之折射率分佈圖;第十七圖係用於本案連續 式操作壓出程序中,該塑膠管之縱向切面圖;及第十八圖 係根據本案第十四實施例所製得GI光纖之折射率分佈圖。 |
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| 專利權異動 |
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| 申請案件狀態 |
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