015_094-026DP-TW
發佈日期 :
2009-04-29
| I268842 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 可撓曲基材上製作三維立體圖案之方法(全文下載) | |||||||||||||||||||||||||||||
| 2006/12/21 | |||||||||||||||||||||||||||||
| I268842 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 2005/08/03 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 094126387 | |||||||||||||||||||||||||||||
| B29C-033/38(2006.01);H01L-021/302(2006.01);B29C-043/00(2006.01) | |||||||||||||||||||||||||||||
| 33-36 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 歐奉璋 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 本發明為一種於可撓曲基材上製作三維立體圖案之方法，以光微影蝕刻的方式在矽晶圓上製作出三維立體圖案，並利用圖案轉移技術將矽晶圓上的三維立體圖案複製 在可撓曲的壓印模具上，再利用微(奈)米壓印製程在可撓曲基材上製作出三維立體圖案，簡化三維立體圖案製作的程序。可運用於電子、光電及生物元件產業。 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 1.一種可撓曲基材上製作三維立體圖案之方法,其至少包括下列步驟: 1.取一塗佈有聚甲基丙烯酸甲酯之可撓曲基板; 2.將聚甲基丙烯酸甲酯之可撓曲基板加熱後,將壓印模具與其貼合,並進行壓印製程;以及 3.保持相同溫度及壓力數分鐘,待基板冷卻後脫模,係可得到具三維立體結構之可撓曲基板。 2.依申請專利範圍第1項所述之可撓曲基材上製作三維立體圖案之方法,其中,該基板之材質為聚對苯二甲酸乙二酯。 3.依申請專利範圍第1項所述之可撓曲基材上製作三維立體圖案之方法,其中,該保持相同溫度及壓力的時間為7至12分鐘。 4.依申請專利範圍第1項所述之可撓曲基材上製作三維立體圖案之方法,其中,該壓印模具製備過程為利用矽晶圓上的三維立體圖案為模板,將未交聯之聚二甲基矽氧烷注入此模板中並加入交聯劑,待其交聯後即可複製出矽晶圓上之三維立體圖案。 5.依申請專利範圍第1項所述之可撓曲基材上製作三維立體圖案之方法,其中,該壓印模具為可撓曲之材質。 6.依申請專利範圍第4項所述之可撓曲基材上製作三維立體圖案之方法,其中,該矽晶圓上的三維立體圖案之製作方法,其包括下列步驟: a.選取一般負型光阻及正型光阻,該正型光阻以旋轉塗佈的方式塗佈於矽晶圓上經曝光、顯影後產生線陣圖案; b.該負型光阻亦以旋轉塗佈的方式塗佈於已具有該正型光阻所製作之線陣圖案上,經曝光、顯影後,得到與該正型光阻所製作之線陣垂直的負型光阻線陣圖案; c.該具有二垂直線陣圖案的矽晶圓以反應離子蝕刻機進行第一次的蝕刻,並使用丙酮去除該負型光阻後再進行第二次的蝕刻;以及 d.去除該正型光阻,係可在矽晶圓上製作出具有高低差不同之三維立體圖案。 7.依申請專利範圍第6項所述之可撓曲基材上製作三維立體圖案之方法,其中,該正型光阻及負型光阻為具不同的抗化學蝕刻性及抗物理蝕刻性。 圖式簡單說明: 第1圖,係本發明之流程圖。 第2圖,係本發明之可撓曲壓印模具之三維立體圖案之電子顯微鏡照片示意圖。 第3圖,係本發明之可撓曲壓印模具之三維立體圖案之平面示意圖。 第4圖,係本發明之具有二垂直光阻線陣圖案之示意圖。 第5圖,係本發明之具有二垂直光阻線陣圖案之電子顯微鏡照片示意圖。 第6圖,係本發明之經二次反應離子蝕刻後三維立體圖案示意圖。 第7圖,係本發明之經二次反應離子蝕刻後三維立體圖案之電子顯微鏡照片示意圖。 |
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| 專利權異動 |
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| 申請案件狀態 |
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