020_094-017AP-TW
發佈日期 :
2009-04-29
| I257380 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 氧化鎢奈米線之製造方法（全文下載) | |||||||||||||||||||||||||||||
| 2006/07/01 | |||||||||||||||||||||||||||||
| I257380 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 2005/06/21 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 094120584 | |||||||||||||||||||||||||||||
| C04B-035/01;C30B-029/62 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 33-19 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 惲軼群;陳文郎 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 一種氧化鎢奈米線之製造方法，包含下列步驟：首先在一基板上形成一碳化鎢膜，然後退火該碳化鎢膜，接著在一氧氛圍下，熱處理該碳化鎢膜，使該碳化鎢膜經一化學反應而形成複數氧化鎢線。 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 1.一種氧化鎢奈米線之製造方法,包含: 在一基板上形成一碳化鎢膜; 退火該碳化鎢膜;及 在一氧氛圍下,熱處理該碳化鎢膜,使該碳化鎢膜經一化學反應而形成複數氧化鎢線體。 2.依據申請專利範圍第1項所述之氧化鎢奈米線之製造方法,其中,該碳化鎢膜從10至500奈米。 3.依據申請專利範圍第1項所述之氧化鎢奈米線之製造方法,其中,該退火之溫度從450℃至800℃。 4.依據申請專利範圍第3項所述之氧化鎢奈米線之製造方法,其中,該退火之時間從30至200分鐘。 5.依據申請專利範圍第1項所述之氧化鎢奈米線之製造方法,其中,該熱處理之溫度從300℃至600℃。 6.依據申請專利範圍第5項所述之氧化鎢奈米線之製造方法,其中,該熱處理之時間從30至150分鐘。 7.依據申請專利範圍第1項所述之氧化鎢奈米線之製造方法,其中,該基板選自於下列所構成之群組:矽、石英、玻璃、金屬基板,及半導體基板。 8.依據申請專利範圍第1項所述之氧化鎢奈米線之製造方法,其中,該形成碳化鎢之步驟係使用濺鍍或化學氣相沈積法。 9.依據申請專利範圍第3項所述之氧化鎢奈米線之製造方法,其中,該退火之步驟是在一不與該碳化鎢進行化學反應之氣氛下進行。 10.依據申請專利範圍第9項所述之氧化鎢奈米線之製造方法,其中,該退火之氣氛為氮氣、氬氣,或其組合。 圖式簡單說明: 圖1是一本發明之第一較佳實施例之掃描式電子顯微鏡影像圖; 圖2是本發明之第一較佳實施例之穿遂式電子顯微鏡影像及選區電子繞射分析圖; 圖3是一本發明之第一至第五較佳實施例之X光繞射分析比較圖; 圖4是第一至第五較佳實施例之拉曼光譜曲線比較圖;及 圖5是第一、第三、第四和第五較佳實施例之X光光電子能階之束縛能特性曲線比較圖。 |
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| 專利權異動 |
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| 申請案件狀態 |
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