| 專利範圍 |
1.一種砷化銦/銻化鎵超晶格紅外檢測元件,係以簡單的
低壓有機金屬氣相磊晶法成長,其中超晶格銻化鎵層之五
三比為28.7,砷化銦層之五三比為78.5;在超晶格成長過
程裡,不同材料成長切換間,均以砷氣或有機銻充滿成長
腔,以抑制磊晶層之五族元素揮發,時間為5秒鐘。
2.一種製造砷化銦/銻化鎵超晶格紅外檢測元件方法,其
係利用光阻技術,將磊晶後的元件以濕式蝕刻的方式,蝕
刻成平台狀,蝕刻後再利用一次光阻技術,並以真空蒸著
機,將歐姆電阻蒸鍍於超晶格兩端夾層上。
3.如申請專利範圍第2項製造砷化銦/銻化鎵超晶格紅外
檢測元件方法,亦可採用背向入射方式。
4.一種應用砷化銦/銻化鎵超晶格紅外檢測元件方法,該
元件結構係銻化鎵基板上方依序有摻矽之砷化銦、砷化銦
/銻化鎵超晶格與金鍺鎳合金、在砷化銦/銻化鎵超晶格
上方有摻矽之砷化銦、而摻矽之砷化銦上方有金鍺鎳合金
;此負型砷化銦為超晶格之夾層,其應用波長範圍為8-
14微米。
5.一種應用砷化銦/銻化鎵超晶格紅外檢測元件方法,該
元件結構係銻化鎵基板上方依序有摻鋅之銻化鎵、砷化銦
/銻化鎵超晶格與金鋅合金、在砷化銦/銻化鎵超晶格上
方有摻鋅之銻化鎵、而摻鋅之銻化鎵上方有金鋅合金,此
正型銻化鎵為超晶格之夾層,其應用波長範圍為3-5微米
。圖式簡單說明:第一圖元件結構側面圖。第一圖(a)以
負型砷化銦為超晶格夾層。第一圖(b)以正型銻化鎵為超
晶格夾層。第二圖(a)以負型砷化銦為超晶格之夾層,其
費米能階恰落於第一重價帶與第一輕價帶間,可作波長8
-14微米之應用。第二圖(b)以正型銻化鎵為超晶格之夾
層,其費米能階恰落於第一導帶與第一重價帶可作波長3-
5微米之應用。第三圖50週期銻化鎵/砷化銦超晶格在溫
度300K之吸收光譜,其銻化鎵、砷化銦之厚度分別為18埃
與24埃,以負型之砷化銦為超晶格之夾層。第四圖50週期
銻化鎵/砷化銦超晶格在溫度300K之吸收光譜,其銻化鎵
、砷化銦之厚度分別為18埃與24埃,以正型銻化鎵為超晶
格之夾層。第四圖(a)正型銻化鎵夾層摻雜濃度為3ל1016cm-2,第四圖(b)正型銻化鎵夾層摻雜濃度為3ל1018cm-2。 |
