029_ 093-130AP-TW
發佈日期 :
2009-04-29
| I253386 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 一種自行合成式碳化鎢奈米線之製備方法(全文下載) | |||||||||||||||||||||||||||||
| 2006/04/21 | |||||||||||||||||||||||||||||
| I253386 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 2005/01/19 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 094101536 | |||||||||||||||||||||||||||||
| B32B-031/00;C30B-029/36 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 33-12 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 惲軼群;陳文郎 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 一種自行合成式碳化鎢奈米線之製備方法，依序包含以下步驟：(A)於該基板頂面被覆一碳化鎢薄膜，及(B)將已被覆碳化鎢薄膜之基板進行熱退火處理，而於 該碳化鎢薄膜表面形成高密度碳化鎢奈米線，退火溫度450~800℃，相對退火時間2.5 hr~5 min。藉由碳化鎢薄膜於熱退火處理過程中之晶相變化，而可在不需觸媒的輔助下，於該碳化鎢薄膜表面產生大量之碳化鎢奈米線。 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 1.一種自行合成式碳化鎢奈米線之製備方法,依序包含以下步驟: (A)於該基板頂面被覆一碳化鎢薄膜;及 (B)將已被覆碳化鎢薄膜之基板進行熱退火處理,而於該碳化鎢薄膜表面形成多數碳化鎢奈米線,退火溫度450-800℃,相對退火時間2.5 hr-5 min。 2.依據申請專利範圍第1項所述之自行合成式碳化鎢奈米線之製備方法,其中,步驟(A)是以濺鍍法或化學氣相沉積法於該基板頂面被覆碳化鎢薄膜。 3.依據申請專利範圍第2項所述之自行合成式碳化鎢奈米線之製備方法,其中,該碳化鎢薄膜厚度範圍為10-500nm。 4.依據申請專利範圍第1項所述之自行合成式碳化鎢奈米線之製備方法,其中,步驟(A)之基板是由半導體、玻璃、金屬或以上之組合製成。 5.依據申請專利範圍第1項所述之自行合成式碳化鎢奈米線之製備方法,其中,步驟(B)是在含有氮氣、氬氣或以上之組合的環境中進行熱退火處理。 圖式簡單說明: 圖1是本發明自行合成式碳化鎢奈米線之製備方法的一較佳實施例之步驟流程圖; 圖2是該較佳實施例在圖1各步驟時之流程示意圖; 圖3是該較佳實施例所產生之碳化鎢奈米線的SEM圖; 圖4是圖3之碳化鎢奈米線的TEM圖; 圖5是圖3之單一碳化鎢奈米線的SAED圖;及 圖6是圖3之碳化鎢奈米線的場發射電流-電壓之特性曲線圖。 |
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| 專利權異動 |
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| 申請案件狀態 |
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