352_088-126CP-TW

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352_088-126CP-TW

發佈日期 : 2009-04-29

DTD版本：

1.0.0

發明專利說明書


※申請案號：084111057	※I P C 分類：G01R 31/28

一、	發明名稱：
	一個提供靜態電流測試之電流模式電路 (全文下載)

二、

中文發明摘要：

本發明〞一個提供靜態電流測試之電流模式電路〞亦即一種電流鏡內建式電流感測器(Current Mirror Based Built-in Current Sensor，Mi-BICS)，其中包含了三個部份(1)二個電流鏡(M₁、M₂)及(M₃、M₄)(2)一個反相器(INV1)(3)三個電晶體(M₅、M₆、M₇)。本發明係根據電流模式，利用兩個併接電流鏡(Current Mirror)以達到電流比較之目的，並提高訊號的處理能力。相對於以往的方法，此項設計提供了較佳抵抗雜訊及製程或運作偏移所造成的影響。此外，此項設計提供了一個可調的感測靈敏度及可規劃的參考電流。實驗顯示，測試的速度可達1.08 ns，而消耗的面積僅有410μm²。

三、

英文發明摘要：

A very simple yet powerful design of a built-in current sensor for CMOS I_DDQ testing is invente. This design is based on the "current-mode" approach which can provide a high speed signal processing capability. Compared with previous methods, this design has a lower sensitivity to noise and parameter deviation caused by process or operating temperature variation. In addition, this design provides scalable sensing resolutions and programmable current reference. Experimental results show that high detection speed (=1.08 ns), and low area overhead (410 μm²) are also achieved.

四、	指定代表圖：
	(一)本案指定代表圖為：第（　　）圖
	(二)本代表圖之元件符號簡單說明：

五、	本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學式：

六、	發明說明：
	【發明所屬之技術領域】
	【先前技術】
	【發明內容】
	【實施方式】
	【圖式簡單說明】
[0014]	圖(一)電流鏡內建式電流感測器(Mi-BICS)的工作模式
[0015]	圖(二)參考電流之移轉函數
[0016]	圖(三)電流鏡內建式電流感測器(Mi-BICS)的模擬結果
	【主要元件符號說明】

七、

申請專利範圍：

1.一種提供靜態電流測試的低面積消耗電流模式電路，其係包括三部份(1)二個電流鏡(M1、M2)及(M3、M4)(2)一個反相器(INV1)(3)三個電晶體(M5、M6、M7)。
2.如申請專利範圍第1項之電路，其中三個電晶體M4、M5、M6，控制待測電路的電流供應部份，其中M6用在正常運作(Normal Mode)，而M4、M5則用在測試狀態(Test Mode)，正常運作(Normal Mode)或測試狀態(Test Mode)由一個測試信號Test控制，Test=1時待測電路之電流通過M4、M5，反之若Test=0時，待測電路之電流通過M6。
3.如申請專利範圍第1項之電路，其中二個併接之電流鏡(M1、M2)及(M3、M4)分別用作拷貝參考電流(Iref)及待測電流(Idd)電流到I1及I2，由於I1≒I2，僅有一電流鏡會完全拷貝電流。
4.如申請專利範圍第1項之電路，其中二個併接之電流鏡(M1、M2)及(M3、M4)之電晶體大小可調整以達到所需之電流解析度。
5.如申請專利範圍第1項之電路，其中反相器(INV1)當作電流比較器(Current Comparator)，因為Id=I1-I2，若I1稍大於I2則反相器(INV1)的輸入立即放電，輸出N即變為1，反之若I2稍大於I1則反相器(INV1)的輸入充電，輸出即變為0。
6.如申請專利範圍第1項之電路，其中電晶體M7，係受外部電壓(Vfre)控制以提供參考電流(Iref)之電晶體，其外部電壓-參考電流(Verf-Iref)間具接近線性的關係。

八、	圖式：
	圖1 圖2 圖3

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