038_093-115DP-TW
發佈日期 :
2009-04-29
| I252520 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 無殘留層之逆式微奈米壓印製程(全文下載) REVERSAL MICRO/NANO IMPRINTING PROCESS WITHOUT RESIDUAL LAYER OF RESIST |
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| 2006/04/01 | |||||||||||||||||||||||||||||
| I252520 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 2005/03/31 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 094110325 | |||||||||||||||||||||||||||||
| H01L-021/027;B81C-001/00 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 33-10 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 蔡坤財 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 一種無殘留層之逆式微奈米壓印製程(Reversal Micro/Nano-Imprinting Process)。在此製程中，先提供一具有一微米或奈米尺度圖案之模板，且圖案具有至少一開口區。以真空沈積或是化學鍵結之方式形成一脫膜層覆蓋在上述 模板之表面上。再利用界面活性劑在此表面上作表面處理，使之形成一界面活性層覆蓋在此脫膜層上。並移除模板表面上之開口區外的界面活性層。接著，進行一阻 劑塗佈步驟，使阻劑填入開口區中。隨後提供一任意基板，進行接觸壓印步驟，而將模板之表面與基板之表面完全貼合，藉此將模板圖案完全的轉印至基板之表面 上，而且沒有阻劑殘留層之問題。 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 1.一種無殘留層之逆式微奈米壓印製程(Reversal Micro/Nano-Imprinting Process),至少包括: 提供一模板,其中該模板之一表面設有一壓印圖案,且該壓印圖案具有至少一開口區; 形成一脫膜層覆蓋在該模板之該表面上; 形成一界面活性層覆蓋在該脫膜層上; 移除該模板之該表面上之該開口區外的該界面活性層; 進行一塗佈步驟,藉以填入一阻劑於該開口區中; 提供一基板;以及 進行一接觸壓印步驟,而將該模板之該表面與該基板之一表面完全貼合,藉以將該阻劑轉印至該基板之該表面上。 2.如申請專利範圍第1項所述之無殘留層之逆式微奈米壓印製程,其中該脫膜層係一單分子層,且該單分子層具有複數個疏水官能基。 3. 如申請專利範圍第2項所述之無殘留層之逆式微奈米壓印製程,其中該界面活性層至少包括具有雙官能基之複數個高分子,且每一該些高分子之一端為一疏水基,另 一端為一親水基,每一該些高分子之該疏水基與該單分子層之該些疏水官能基產生弱吸附,而使每一該些高分子之該親水基朝外。 4.如申請專利範圍第3項所述之無殘留層之逆式微奈米壓印製程,其中每一該些高分子之該疏水基具有中、長之純碳鏈。 5.如申請專利範圍第3項所述之無殘留層之逆式微奈米壓印製程,其中每一該些高分子之該親水基為具有親水性之官能基且係選自於由磺酸基(-SO3)、羥基(-OH)、以及胺基(-NH2)所組成之一族群。 6.如申請專利範圍第1項所述之無殘留層之逆式微奈米壓印製程,其中該脫膜層係一單分子層,且該單分子層具有與該阻劑之極性差異大之官能基。 7.如申請專利範圍第1項所述之無殘留層之逆式微奈米壓印製程,其中該脫膜層之材料為十八烷基三氯矽甲烷(Octadecyl Tri-chlorosilane)。 8.如申請專利範圍第1項所述之無殘留層之逆式微奈米壓印製程,其中該脫膜層係一抗黏著層,且該抗黏著層係選自於由含氟類鑽碳膜、鐵氟龍膜薄以及數十奈米厚之金屬薄膜所組成之一族群。 9.如申請專利範圍第1項所述之無殘留層之逆式微奈米壓印製程,其中於形成該界面活性層之步驟與移除該開口區外之該界面活性層的步驟之間,更至少包括對該模板進行一低溫烘乾步驟。 10.如申請專利範圍第1項所述之無殘留層之逆式微奈米壓印製程,其中移除該開口區外之該界面活性層的步驟所使用之方法係選自於由物理吸附方式以及沾黏方式所組成之一族群。 11.如申請專利範圍第1項所述之無殘留層之逆式微奈米壓印製程,其中該塗佈步驟所利用之方法係選自於由一旋轉塗佈方式以及一沉浸方式所組成之一族群。 12.如申請專利範圍第1項所述之無殘留層之逆式微奈米壓印製程,其中該阻劑之材質係選自於由有機阻劑以及無機阻劑所組成之一族群。 13.如申請專利範圍第1項所述之無殘留層之逆式微奈米壓印製程,其中該阻劑之材質係選自於由聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚苯乙烯(PS)、以及無機膠質溶液所組成之一族群。 14.如申請專利範圍第1項所述之無殘留層之逆式微奈米壓印製程,其中於該塗佈步驟後,更至少包括對該阻劑進行一軟烤步驟。 15.如申請專利範圍第14項所述之無殘留層之逆式微奈米壓印製程,其中該軟烤步驟之一反應溫度控制在介於實質80℃至90℃之間,且該軟烤步驟之一反應時間控制在介於實質5分鐘至10分鐘之間。 16.如申請專利範圍第1項所述之無殘留層之逆式微奈米壓印製程,其中該基板係選自於由軟質基板與硬質基板所組成之一族群。 17.如申請專利範圍第1項所述之無殘留層之逆式微奈米壓印製程,其中該基板係選自於由矽基板與可撓曲塑膠基板所組成之一族群。 18.如申請專利範圍第1項所述之無殘留層之逆式微奈米壓印製程,其中進行該接觸壓印步驟前,更至少包括對該基板進行一清潔與活化處理。 19.如申請專利範圍第18項所述之無殘留層之逆式微奈米壓印製程,其中進行該清潔與活化處理時,係利用氧電漿。 20.如申請專利範圍第1項所述之無殘留層之逆式微奈米壓印製程,其中進行該接觸壓印步驟時之一壓印溫度實質控制在該阻劑之一玻璃軟化點。 21.如申請專利範圍第1項所述之無殘留層之逆式微奈米壓印製程,其中於該接觸壓印步驟後,更至少包括利用該阻劑為罩幕,對該基板進行一蝕刻步驟,藉以將該阻劑之圖案轉移至該基板中。 22.一種無殘留層之逆式微奈米壓印製程,至少包括: 提供一模板,其中該模板之一表面設有一壓印圖案,且該壓印圖案具有複數個開口; 形成一脫膜層覆蓋在該模板之該表面上; 對該模板之該表面進行一改質處理,藉以使具雙官能基之複數個高分子吸附在該模板之該表面上之該些開口的一側壁面與一底面上,其中該些高分子之一端為一疏水基,另一端為一親水基,且每一該些高分子之該親水基朝外; 進行一塗佈步驟,藉以形成複數個阻劑分別填入該些開口中; 提供一基板;以及 進行一接觸壓印步驟,而將該模板之該表面與該基板之一表面完全貼合,藉以將該些阻劑轉印至該基板之該表面上。 23.如申請專利範圍第22項所述之無殘留層之逆式微奈米壓印製程,其中該改質處理至少包括: 形成一界面活性層覆蓋在該脫膜層上,其中該界面活性層至少包括該些高分子;以及 移除該模板之該表面上之該些開口外的該界面活性層。 24.如申請專利範圍第23項所述之無殘留層之逆式微奈米壓印製程,其中該脫膜層係一單分子層,且該單分子層具有複數個疏水官能基,而該單分子層之該些疏水官能基與每一該些高分子之該疏水基產生弱吸附。 25.如申請專利範圍第23項所述之無殘留層之逆式微奈米壓印製程,其中於形成該界面活性層之步驟與移除該些開口外之該界面活性層的步驟之間,更至少包括對該模板進行一低溫烘乾步驟。 26.如申請專利範圍第23項所述之無殘留層之逆式微奈米壓印製程,其中移除該些開口外之該界面活性層的步驟所使用之方法係選自於由物理吸附方式以及沾黏方式所組成之一族群。 27.如申請專利範圍第22項所述之無殘留層之逆式微奈米壓印製程,其中每一該些高分子之該疏水基具有中、長之純碳鏈。 28.如申請專利範圍第22項所述之無殘留層之逆式微奈米壓印製程,其中每一該些高分子之該親水基為具有親水性之官能基且係選自於由磺酸基(-SO3)、羥基(-OH)、以及胺基(-NH2)所組成之一族群。 29.如申請專利範圍第22項所述之無殘留層之逆式微奈米壓印製程,其中該脫膜層係一單分子層,且該單分子層具有與該些阻劑之極性差異大之官能基。 30.如申請專利範圍第22項所述之無殘留層之逆式微奈米壓印製程,其中該脫膜層之材料為十八烷基三氯矽甲烷。 31.如申請專利範圍第22項所述之無殘留層之逆式微奈米壓印製程,其中該脫膜層係一抗黏著層,且該抗黏著層係選自於由含氟類鑽碳膜、鐵氟龍膜薄以及數十奈米厚之金屬薄膜所組成之一族群。 32.如申請專利範圍第22項所述之無殘留層之逆式微奈米壓印製程,其中該塗佈步驟所利用之方法係選自於由一旋轉塗佈方式以及一沉浸方式所組成之一族群。 33.如申請專利範圍第22項所述之無殘留層之逆式微奈米壓印製程,其中該阻劑之材質係選自於由有機阻劑以及無機阻劑所組成之一族群。 34.如申請專利範圍第22項所述之無殘留層之逆式微奈米壓印製程,其中該阻劑之材質係選自於由聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、以及無機膠質溶液所組成之一族群。 35.如申請專利範圍第22項所述之無殘留層之逆式微奈米壓印製程,其中於該塗佈步驟後,更至少包括對該阻劑進行一軟烤步驟。 36.如申請專利範圍第35項所述之無殘留層之逆式微奈米壓印製程,其中該軟烤步驟之一反應溫度控制在介於實質80℃至90℃之間,且該軟烤步驟之一反應時間控制在介於實質5分鐘至10分鐘之間。 37.如申請專利範圍第22項所述之無殘留層之逆式微奈米壓印製程,其中該基板係選自於由軟質基板與硬質基板所組成之一族群。 38.如申請專利範圍第22項所述之無殘留層之逆式微奈米壓印製程,其中該基板係選自於由矽基板與可撓曲塑膠基板所組成之一族群。 39.如申請專利範圍第22項所述之無殘留層之逆式微奈米壓印製程,其中進行該接觸壓印步驟前,更至少包括利用氧電漿對該基板進行一清潔與活化處理。 40.如申請專利範圍第22項所述之無殘留層之逆式微奈米壓印製程,其中進行該接觸壓印步驟時之一壓印溫度約控制在該阻劑之一玻璃軟化點。 41.如申請專利範圍第22項所述之無殘留層之逆式微奈米壓印製程,其中於該接觸壓印步驟後,更至少包括利用該阻劑為罩幕,對該基板進行一蝕刻步驟,藉以將該阻劑之圖案轉移至該基板中。 圖式簡單說明: 第1圖至第9圖係繪示依照本發明一較佳實施例的一種無殘留層之逆式微奈米壓印製程之製程剖面圖,其中第2圖係界面活性劑與模板表面吸附示意圖。 |
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| 專利權異動 |
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| 申請案件狀態 |
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