039_093-114DP-TW
發佈日期 :
2009-04-29
| I254359 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 逆式壓印圖案化之改質脫模層及方法(全文下載) IMPROVED MOLD RELEASING LAYER OF REVERSE IMPRINTING LITHOGRAPHY AND THE APPLYING METHOD OF THE SAME |
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| 2006/05/01 | |||||||||||||||||||||||||||||
| I254359 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 2005/04/06 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 094110914 | |||||||||||||||||||||||||||||
| H01L-021/027 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 33-13 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 蔡坤財 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 為了改善習知逆式微奈米壓印蝕刻技術中，阻劑不易填入具有抗黏著層處理之圖案化模板溝槽內之問題，提供一種逆式壓印圖案化之改質脫模層，至少包括位於一逆 式壓印模板上，具有一壓印圖案之一側之抗黏著層；以及位於該抗黏著層上之界面層。利用界面層之界面活性劑，於已有抗黏著層處理的模板上做表面改質，再以接 觸的方式將模板上之圖案轉印於所需要的任意基板上，使阻劑能完全的填入模板溝槽內部。 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 1.一種逆式壓印圖案化之改質脫模層,至少包括: 一抗黏著層,位於一壓印模板之具有一壓印圖案之一側上;以及 一界面層,位於該抗黏著層之上。 2.如申請專利範圍第1項所述之逆式壓印圖案化之改質脫模層,其中該抗黏著層係由一薄膜沉積製程所形成之一薄膜層。 3.如申請專利範圍第2項所述之逆式壓印圖案化之改質脫模層,其中該薄膜層係選自於由類鑽碳膜、鐵氟龍薄膜、金屬薄膜以及以上所述之組合所組成之一群。 4.如申請專利範圍第3項所述之逆式壓印圖案化之改質脫模層,其中該薄膜層之厚度小於100nm。 5.如申請專利範圍第3項所述之逆式壓印圖案化之改質脫模層,其中該金屬薄膜係一金質薄膜。 6.如申請專利範圍第1項所述之逆式壓印圖案化之改質脫模層,其中該抗黏著層係利用化學鍵結方法所形成之一高分子層。 7.如申請專利範圍第6項所述之逆式壓印圖案化之改質脫模層,其中該高分子層至少包括一長鏈碳氫高分子化合物。 8.如申請專利範圍第7項所述之逆式壓印圖案化之改質脫模層,其中該長鏈碳氫高分子化合物係選自於由十八烷基三氯矽烷、六甲基二矽醚、類金剛石碳膜、以及上述任意組合所組成之一群。 9.如申請專利範圍第1項所述之逆式壓印圖案化之改質脫模層,其中該界面層至少包括: 一碳分子長鏈,其中一端係藉由分子間之物理作用力吸附於該抗黏著層之上;以及 一親水性官能基,位於該碳分子長鏈遠離該抗黏著層之一端,可以使該改質脫模層之表面具有親水性。 10.如申請專利範圍第9項所述之逆式壓印圖案化之改質脫模層,其中該碳分子長鏈至少具有八個碳分子。 11.如申請專利範圍第9項所述之逆式壓印圖案化之改質脫模層,其中該親水性官能基係選自於由羧基、亞硫酸根、羥基、胺基、硫醇基、以及以上所述之組合所組成之一群。 12.如申請專利範圍第9項所述之逆式壓印圖案化之改質脫模層,其中該界面層至少包括一界面活性劑。 13.如申請專利範圍第12項所述之逆式壓印圖案化之改質脫模層,其中該介面活性劑係以旋塗或浸泡之方式形成於該抗黏著層之上。 14.如申請專利範圍第13項所述之逆式壓印圖案化之改質脫模層,其中該介面活性劑更至少包括一揮發性溶劑。 15.一種逆式壓印圖案化之方法,至少包括以下步驟: 提供一基材; 提供一壓印模板,具有一壓印圖案; 提供一改質脫膜層,位於該壓印模板具有一壓印圖案之一側上,該改質脫模層表面具有親水性; 形成一蝕刻阻劑層於該改質脫膜層之上; 將該逆式壓印模板具有該壓印圖案之一側,貼合並壓印於該基材之上; 將該逆式壓印模板與該基材分離,使該蝕刻阻劑層貼合於該基材之上; 移除一部份之該蝕刻阻劑層,以形成一圖案化阻劑層;以及 以該圖案化阻劑成為罩幕,圖案化該基材。 16.如申請專利範圍第15項所述之逆式壓印圖案化之方法,其中該提供該改質脫膜層之步驟,更至少包括以下步驟: 形成一抗黏著層於該逆式壓印模板之上,具有一壓印圖案之一側;以及 形成一界面層於該抗黏著層之上。 17.如申請專利範圍第16項所述之逆式壓印圖案化之方法,其中該形成該界面層於該抗黏著層之上之步驟,更至少包括溫度低於80℃之一低溫烘烤步驟。 18.如申請專利範圍第16項所述之逆式壓印圖案化之方法,其中該抗黏著層係選自於由類鑽碳膜、鐵氟龍薄膜、金屬薄膜以及以上所述之組合所組成之一群。 19.如申請專利範圍第18項所述之逆式壓印圖案化之方法,其中該抗黏著層之厚度小於100nm。 20.如申請專利範圍第18項所述之逆式壓印圖案化之方法,其中該金屬薄膜係一金質薄膜。 21.如申請專利範圍第16項所述之逆式壓印圖案化之方法,其中該抗黏著層,更至少包括利用化學鍵結方法所形成之一長鏈碳氫高分子化合物。 22.如申請專利範圍第21項所述之逆式壓印圖案化之方法,其中該長鏈碳氫高分子化合物係選自於由十八烷基三氯矽烷、六甲基二矽醚、類金剛石碳膜、以及上述任意組合所組成之一群。 23.如申請專利範圍第16項所述之逆式壓印圖案化之方法,其中該界面層至少包括: 一碳分子長鏈,其中一端係藉由分子間之物理作用力吸附於該抗黏著層之上;以及 一親水性官能基,位於該碳分子長鏈遠離該抗黏著層之一端,係使該改質脫模層之表面具有親水性。 24.如申請專利範圍第23項所述之逆式壓印圖案化之方法,其中該碳分子長鏈至少具有八個碳分子。 25.如申請專利範圍第23項所述之逆式壓印圖案化之方法,其中該親水性官能基係選自於由羧基、亞硫酸根、羥基、胺基、硫醇基、以及以上所述之組合所組成之一群。 26.如申請專利範圍第16項所述之逆式壓印圖案化之方法,其中該形成該界面層於該抗黏著層之上之步驟,係將該界面層以旋塗或浸泡之方式塗佈於該抗黏著層之上。 27.如申請專利範圍第15項所述之逆式壓印圖案化之方法,其中該基材係選自於由半導體基材、可撓性塑化基材、金屬基材、玻璃基材、以及以上所述之組合所組成之一群。 28.如申請專利範圍第15項所述之逆式壓印圖案化之方法,其中該形成該蝕刻阻劑層於該改質脫模層之上之步驟,係將一蝕刻阻劑以旋塗或浸泡之方式塗佈於該改質脫模層之上。 29.如申請專利範圍第28項所述之逆式壓印圖案化之方法,其中在該蝕刻阻劑層形成於該脫膜層上之後,更包括進行一烤軟步驟。 30.如申請專利範圍第28項所述之逆式壓印圖案化之方法,其中該蝕刻阻劑係選自於由聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚甲基矽氧烷、以及以上所述之組合所組成之一群。 31.如申請專利範圍第28項所述之逆式壓印圖案化之方法,其中,該蝕刻阻劑層,一部分填充於該壓印模板之壓印圖案所形成之凹室之內,另一部分則覆蓋在凹室以外,且覆蓋在凹室外之該蝕刻阻劑層的厚度範圍介於20nm到100nm之間。 32.如申請專利範圍第15項所述之逆式壓印圖案化之方法,其中該將該逆式壓印模板與該基材分離,使該蝕刻阻劑層貼合於該基材之上之步驟更至少包括: 控制一反應溫度小於120℃;以及 使用足以使該蝕刻阻劑層貼合於該基材之一壓力。 33.如申請專利範圍第15項所述之逆式壓印圖案化之方法,其中該移除一部分之該蝕刻阻劑層,以形成一圖案化罩幕層之步驟,至少包括一等向性蝕刻,以移除一部份之該蝕刻阻劑層使該基材暴露出來。 34.如申請專利範圍第33項所述之逆式壓印圖案化之方法,其中該圖案化罩幕層之圖案係與該壓印圖案相同,是一規則立體圖案或一不規則之立體圖案。 35.如申請專利範圍第15項所述之逆式壓印圖案化之方法,其中該圖案化該基材之步驟,可以為一乾式蝕刻步驟或濕式蝕刻步驟。 圖式簡單說明: 第1圖係根據本發明之第一實施例所繪示之逆式壓印圖案化之改質脫模層之剖面示意圖。 第2圖係根據本發明之第一實施例所繪示之界面層抗黏著層之表面吸附示意圖。 第3圖係根據本發明之第二實施例所繪示之逆式壓印圖案化之改質脫模層之剖面示意圖。 第4圖係根據本發明之第二實施例所繪示之界面層與抗黏著層之表面吸附示意圖。 第5圖係根據本發明第三實施例之製程步驟,將逆式壓印圖案化改質脫模層壓印於基材上所繪示之結構剖面圖。 第6圖係根據本發明第三實施例之製程步驟,將蝕刻阻劑層貼合於基材,並形成圖案化罩幕層以後所繪示之結構剖面圖。 第7圖係根據本發明第四實施例之製程步驟,將逆式壓印圖案化改質脫模層壓印於基材上所繪示之結構剖面圖。 第8圖係根據本發明第四實施例之製程步驟,將蝕刻阻劑層貼合於基材,並形成圖案化罩幕層以後所繪示之結構剖面圖。 |
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| 專利權異動 |
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| 申請案件狀態 |
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