| 專利範圍 |
1. 一種紅外線光電體通道場效電晶體,其係具有金屬/
鐵電薄膜/p-n(metal/ferroelectric thin film/
semiconductor)之體通道場效電晶體結構。
2. 如申請專利範圍第1項電晶體,其鐵電薄膜係由鈦酸鉛
熱電材料構成。
3. 如申請專利範圍第1項電晶體,其鐵電薄膜係由PZT(鈦
酸鉛—鋯酸鉛)熱電材料構成。
4. 如申請專利範圍第1項電晶體,其半導體材料基板可選
用IV族矽(si)或II-V族硫化鎘(CdS)或III-V族砷化鎵(
GaAs)之一複合材料構成。
5. 如申請專利範圍第1項電晶體,其閘極金屬電極可為金
(Au)或鉻(Cr)。
6. 一種紅外線光電體通道場效電晶體製備方法,其鈦酸
鉛鐵電薄膜之成長方法可為射頻濺鍍(RF Sputte-ring)或
雷射蒸鍍(Laser evaporation)。
圖示簡單說明:
圖一體通道紅外線光電場效電晶體結構
1. . .源極@fl (source)
2. . .閘極@fl (gate)
3. . .吸極@fl (drain)
4. . .p-n接面之矽基板(p-n Si semiconductor)
5. . .鐵電薄膜@fl (ferroelectric thin film)
6. . .背極@fl (substrate)
圖二曝於不同紅外線中之吸極電流/吸極電壓典型曲線圖
:從下往上分別為0.200uW,500uW,800uW紅外線強度(垂
直軸:50u A/div,水平軸:0.8V/div)
圖三不同紅外線強度對吸極電流的影響, Id, dark表示吸
極暗電流, Id為吸極電流。
圖四體通道紅外線光電場效電晶體之時間響應垂直軸:1V
/div,水平軸:10u s/div)
圖五極化處理後,在鐵電薄膜/半導體介面處之能帶圖
(a)未曝光 (b)曝光
501. . .鐵電@fl (ferroelectric)
502. . .n區@fl (n layer)
503. . .@fl (Ec)
504. . .@fl (Ev) |
