| 專利範圍 |
1.一種高崩潰電壓,低漏電流之金屬-〝絕緣體〞-半導體式場效電晶體,包括:
一基板,係由砷化鎵(GaAs)材料形成;
一緩衝層,係由砷化鎵(GaAs)材料形成;
一大能隙阻擋層,係由磷化銦鎵(Ga0.51In0.49P)材料形成;
一類似量子井結構的雙重單原子摻雜通道層,係由小能隙之砷化銦鎵(In0.15Ca0.85As)或砷化鎵(GaAs)材料形成;
一蕭特基(Schottky)接觸層,係由磷化銦鎵(Ga0.51In0.49P)材料形成;
一歐姆接觸層,係由砷化鎵(GaAs)材料形成;及,
金屬層,係包含汲-源極之金-鍺-鎳(Au/Ge/Ni)金屬層,且蒸鍍於上述歐姆接觸層上;以及,
閘極之金(Au)金屬層,係蒸鍍於上述蕭特基(Schottky)接觸層上。
2.如申請專利範圍第1項所述之一種高崩潰電壓,低漏電流之金屬-〝絕緣體〞-半導體式場效電晶體,其中該基板係由半絕緣型之砷化鎵(GaAs)所組成。
3.如申請專利範圍第1項所述之一種高崩潰電壓,低漏電流之金屬-〝絕緣體〞-半導體式場效電晶體,其中該緩衝層係由無摻雜之砷化鎵(GaAs)材料所組成。
4.如申請專利範圍第1項所述之一種高崩潰電壓,低漏電流之金屬-〝絕緣體〞-半導體式場效電晶體,其中該大能隙阻擋層係由無摻雜之磷化銦鎵(Ga
0.51In0.49P)材料所組成。
5.如申請專利範圍第1項所述之一種高崩潰電壓,低漏電流之金屬-〝絕緣體〞-半導體式場效電晶體,其中該類似量子井結構的雙重單原子摻雜通道層,係由無摻雜之小能隙砷化銦鎵(In
0.15Ga0.85As)或砷化鎵(GaAs)材料,及n型之雙重單原子摻雜層所組成。
6.如申請專利範圍第1項所述之一種高崩潰電壓,低漏電流之金屬-〝絕緣體〞-半導體式場效電晶體,其中該蕭特基(Schottky)接觸層,係由無摻雜之磷化銦鎵(Ga0.51In0.49P)材料所組成。
7.如申請專利範圍第1項所述之一種高崩潰電壓,低漏電流之金屬-〝絕緣體〞-半導體式場效電晶體,其中該歐姆接觸層,係由n型摻雜之砷化鎵(GaAs)材料所組成。
8.如申請專利範圍第1項所述之一種高崩潰電壓,低漏電流之金屬-〝絕緣體〞-半導體式場效電晶體,其中該汲-源極之金-鍺-鎳金屬層,係蒸鍍於上述n型摻雜之砷化鎵(GaAs)歐姆接觸層上,且皆為歐姆性接觸;而閘極之金金屬層,係蒸鍍於上述無摻雜之磷化銦鎵(Ga0.51In0.49P)蕭特基(Schottky)接觸層上,為蕭特基(Schottky)接觸。
9.如申請專利範圍第5項所述之一種高崩潰電壓,低漏電流之金屬-〝絕緣體-〞半導體式場效電晶體,其中該類似量子井結構的雙重單原子摻雜通道層之特徵為:該無摻雜之小能隙砷化銦鎵(In0.15Ga0.85As)或砷化鎵(GaAs)層之厚度為200-1000埃;而n型之雙重單原子摻雜層濃度範圍為2ױ011-5ױ012cm-2。
圖式簡單說明:
第一圖為本發明之一種高崩潰電壓,低漏電流之金屬-〝絕緣體〞-半導體式場效電晶體之結構圖;
第二圖為本發明之一種高崩潰電壓,低漏電流之金屬-〝絕緣體〞-半導體式場效電晶體之能帶結構圖;
第三圖為本發明之一種高崩潰電壓,低漏電流之金屬-〝絕緣體〞-半導體式場效電晶體之閘極電流-電壓特性圖;
第四圖為本發明之一種高崩潰電壓,低漏電流之金屬-〝絕緣體〞-半導體式場效電晶體之輸出電流-電壓三端特性;
第五圖為該一種高崩潰電壓,低漏電流之金屬-〝絕緣體〞-半導體式場效電晶體,當其汲極-源極電壓為7V時,汲極飽和電流和轉導値對閘極電壓之關係圖;
第六圖為該一種高崩潰電壓,低漏電流之金屬-〝絕緣體〞-半導體式場效電晶體,當其汲極-源極電壓為7V時,截止頻率(fT)及最大頻率(fmax)對汲極飽和電流密度(IDS)之關係圖; |
