| 專利範圍 |
2. 如申請專利範圍第1項之結構,各層形成之材料分別二
氧化矽(SiO@ss2)材料形成氧化層,以本質型非晶矽氫(i-
a-Si:H)材料為絕緣層。
3. 如申請專利範圍第1項之結構,各層形成之材料分別能
障強化層可任選用本質型非晶碳化矽氫(i-a-SiC:H)材料
、本質型非晶氮化矽氫(i-a-Si@ss3N@ss4:H)材料。
4. 如申請專利範圍第1項之結構,各層形成之材料分別基
板可任選用無攙雜的本質型矽晶片(intrinsicsilicon
wafer)、負型攙雜的負型矽晶片(n-typesilicon wafer)
或正型攙雜的正型矽晶片(p-typesilicon wafer)等材料
而形成。
5. 如申請專利範圍第1項之結構,其中氧化層係由在基板
上成長一層二氧化矽(SiO@ss2)材料而形成。
6. 如申請專利範圍第1項之結構,其中該能障強化層係在
鋁層上沉積一層本質型非晶碳化矽氫(i-a-SiC:H)材料而
形成。
7. 如申請專利範圍第1項之結構,其中絕緣層係由在能障
強化層上沉積一層本質型非晶矽氫(i-a-Si:H)材料而形
成。
8. 如申請專利範圍第1項之結構,其中能障強化層係由在
絕緣層上沉積一層本質型非晶碳化矽氫(i-a-SiC:H)材料
而形成。
9. 如申請專利範圍第1項之結構,其中能障強化層在鋁層
上沉積一層本質型非晶氮化矽氫(i-a-Si@ss3N@ss4:H)材
料而形成。
10. 如申請專利範圍第1項之結構,其中能障強化層在絕
緣層上沉積一層本質型非晶氮化矽氫(i-a-Si@ss3N@ss4:
H)材料而形成。
圖示簡單說明:
圖(一):非晶矽反保險絲(antifuse)結構之構造圖。
1.鋁
2.i-a-SiC:H(50-100 A)
3.i-a-Si:H(1000-2000 A)
4.i-a-SiC:H(50-100 A)
5.3000 A
6.能障強化層
7.氧化層
8.矽基板
圖(二):非晶矽反保險絲結構之能帶圖。
(a)正向偏壓
1.電子穿透
2.頂端
3.穿透洞
4.底端
(b)反向偏壓
1.電子穿透
2.底端
3.穿透洞
4.頂端
圖中虛線為結構受載子堆積影響之能帶圖。
圖(三):非晶矽反保險絲結構I/V圖。
(a)正向偏壓
(b)反向偏壓
1.實線為包含100 A本質型非晶碳化矽氫
(i-a-SiC:H)層
2.虛線則為不包含100 A
本質型非晶碳化矽氫層
圖(四):非晶矽反—保險絲結構導通電阻分佈圖。
(a)包含 100 A本質型非晶碳化矽氫
(i-a-SiC:H)能障強化層
(b)包含 100 A
1.正向
2.反向
規劃電流為 50mA,
結構面積為 5(?X5(?,
本質型非晶矽氫(i-a-Si:H)層厚度為1000 A
圖(五):非晶矽反保險絲結構在崩潰後利用掃描式電子顯
微鏡(SEM)之俯視圖。
圖(六):非晶矽反保險絲結構在不同溫度下之I/V圖。
(1)25℃
(2)50℃
(3)75℃
(4)100℃
(5)125℃
(6)150℃
(7)175℃
(8)200℃
(9)225℃
(10)250℃
圖(七):非晶矽反保險絲結構之導通電阻與規劃電流關係
圖。
1.正向
2.反向
圖(八):非晶矽反保險絲結構之直流偏壓與崩潰時間關係 |
