050_093-089DP-TW
發佈日期 :
2009-04-29
| I262172 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 奈米級θ相氧化鋁微粒之製造方法(全文下載) METHOD FOR PRODUCING NANO-SCALE THETA (�) -PHASE ALUMINA MICROPARTICLES |
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| 2006/09/21 | |||||||||||||||||||||||||||||
| I262172 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 2005/03/21 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 094108673 | |||||||||||||||||||||||||||||
| C01F-007/02;C01B-013/14 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 33-27 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 蔡坤財 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 一種奈米級θ相氧化鋁微粒之製造方法，其係藉由控制混合軟水鋁石與θ相氧化鋁起始粉體之用量比，並經由至少一次之相轉變反應後，可形成粒徑均勻且相純度高 之奈米級θ相氧化鋁微粒。因此，本發明之奈米級θ相氧化鋁微粒之製造方法較諸習知製程所得奈米級θ相氧化鋁微粒之粒徑均勻，且相純度高。同時就製作奈米級 θ相氧化鋁微粒而言，不僅大幅縮短製程時間及成本，更具有清潔生產之優點。 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 1.一種奈米級�相氧化鋁微粒之製造方法,至少包含: 提供氧化鋁混合粉體,該氧化鋁混合粉 體至少包含�相氧化鋁粉體以及軟水鋁石(Boehmite),其中該�相氧化鋁粉體於該氧化鋁混合粉體之一含量係介於30重量百分比至95重量百分比之 間,而該軟水鋁石於該氧化鋁混合粉體之氧化鋁當量係介於5重量百分比至70重量百分比之間; 將該氧化鋁混合粉體加熱至一第一溫度且持溫達一第一時間,使該氧化鋁混合粉體產生一第一相轉變反應形成�'相氧化鋁微粒;以及 將該�'相氧化鋁微粒淬冷至室溫,再將該�'相氧化鋁微粒加熱至一第二溫度且持溫達一第二時間,使該�'相氧化鋁微粒產生至少一第二相轉變反應,而形成該奈米級�相氧化鋁微粒,其中該奈米級�相氧化鋁微粒之一粒徑係介於30奈米至150奈米之間。 2.如申請專利範圍第1項所述之奈米級�相氧化鋁微粒之製造方法,其中加熱該氧化鋁混合粉體之步驟係以大於50℃/分之一升溫速率進行。 3.如申請專利範圍第1項所述之奈米級�相氧化鋁微粒之製造方法,其中該第一溫度係介於600℃至1200℃之間。 4.如申請專利範圍第1項所述之奈米級�相氧化鋁微粒之製造方法,其中該第一時間係介於1分鐘至10分鐘之間。 5.如申請專利範圍第1項所述之奈米級�相氧化鋁微粒之製造方法,其中淬冷該氧化鋁混合粉體之步驟係以大於50℃/分之一降溫速率進行。 6.如申請專利範圍第1項所述之奈米級�相氧化鋁微粒之製造方法,其中加熱該�'相氧化鋁微粒之步驟係以大於50℃/分之一升溫速率進行。 7.如申請專利範圍第1項所述之奈米級�相氧化鋁微粒之製造方法,其中該第二溫度係低於該第一溫度。 8.如申請專利範圍第1項所述之奈米級�相氧化鋁微粒之製造方法,其中該第二溫度係介於500℃至900℃之間。 9.如申請專利範圍第1項所述之奈米級�相氧化鋁微粒之製造方法,其中該第二時間係介於1分鐘至10分鐘之間。 10.如申請專利範圍第1項所述之奈米級�相氧化鋁微粒之製造方法,其中該奈米級�相氧化鋁微粒之一粒徑係介於30奈米至50奈米之間。 11.如申請專利範圍第1項所述之奈米級�相氧化鋁微粒之製造方法,其中該奈米級�相氧化鋁微粒之一粒徑係介於50奈米至150奈米之間。 12.一種奈米級�相氧化鋁微粒之製造方法,至少包含: 提供氧化鋁混合粉體,該氧化鋁混合粉體至少包含�相氧化鋁粉體以及軟水鋁石,其中該�相氧化鋁粉體於該氧化鋁混合粉體之一含量係介於30重量百分比至95重量百分比之間,而該軟水鋁石於該氧化鋁混合粉體之氧化鋁當量係介於5重量百分比至70重量百分比之間; 將該氧化鋁混合粉體加熱至一第一溫度且持溫達一第一時間,使該氧化鋁混合粉體產生一第一相轉變反應形成�'相氧化鋁微粒;以及 將該�'相氧化鋁微粒淬冷至一第二溫度,再將該�'相氧化鋁微粒粉末於該第二溫度持溫達一第二時間,使該�'相氧化鋁微粒產生至少一第二相轉變反應,而形成該奈米級�相氧化鋁微粒,其中該奈米級�相氧化鋁微粒之一粒徑係介於30奈米至150奈米之間。 13.如申請專利範圍第12項所述之奈米級�相氧化鋁微粒之製造方法,其中加熱該氧化鋁混合粉體之步驟係以大於50℃/分之一升溫速率進行。 14.如申請專利範圍第12項所述之奈米級�相氧化鋁微粒之製造方法,其中該第一溫度係介於600℃至1200℃間。 15.如申請專利範圍第12項所述之奈米級�相氧化鋁微粒之製造方法,其中該第一時間係介於1分鐘至10分鐘之間。 16.如申請專利範圍第12項所述之奈米級�相氧化鋁微粒之製造方法,其中淬冷該氧化鋁混合粉體之步驟係以大於50℃/分之一降溫速率進行。 17.如申請專利範圍第12項所述之奈米級�相氧化鋁微粒之製造方法,其中加熱該�'相氧化鋁微粒之步驟係以大於50℃/分之一升溫速率進行。 18.如申請專利範圍第12項所述之奈米級�相氧化鋁微粒之製造方法,其中該第二溫度係介於500℃至900℃間。 19.如申請專利範圍第12項所述之奈米級�相氧化鋁微粒之製造方法,其中該第二時間係介於1分鐘至10分鐘之間。 20.如申請專利範圍第12項所述之奈米級�相氧化鋁微粒之製造方法,其中該奈米級�相氧化鋁微粒之該粒徑係介於30奈米至50奈米之間。 21.如申請專利範圍第12項所述之奈米級�相氧化鋁微粒之製造方法,其中該奈米級�相氧化鋁微粒之該粒徑係介於50奈米至150奈米之間。 圖式簡單說明: 第1A圖至第1B圖係顯示未經處理之工業用�相氧化鋁粉體的電顯照片; 第2圖係顯示未經處理之工業用�相氧化鋁粉體的X射線繞射圖譜; 第3圖係顯示工業用�相氧化鋁粉體經處理後之X射線繞射圖譜; 第4A圖至第4B圖係顯示根據本發明實施例一之奈米級�相氧化鋁微粒的電顯照片; 第5圖係顯示根據本發明實施例一之奈米級�相氧化鋁微粒的X射線繞射圖譜; 第6A圖至第6B圖係顯示根據本發明實施例二之奈米級�相氧化鋁微粒的電顯照片;以及 第7圖係顯示根據本發明實施例二之奈米級�相氧化鋁微粒的X射線繞射圖譜。 |
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| 專利權異動 |
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| 申請案件狀態 |
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