051_093-085DP-TW
發佈日期 :
2009-04-29
| I248917 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 氧化鋁微粒之表面改質方法(全文下載) METHOD FOR MODIFYING SURFACES OF ALUMINA MICROPARTICLES |
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| 2006/02/11 | |||||||||||||||||||||||||||||
| I248917 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 2004/09/24 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 093129127 | |||||||||||||||||||||||||||||
| C01F-007/02 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 33-05 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 蔡坤財 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 一種氧化鋁微粒之表面改質方法，其係在室溫下，利用調整含有氧化鋁微粒與鋁之氫氧化物微粒之分散液的酸鹼值，以於氧化鋁微粒之表面形成鋁之氫氧化物層，藉此製得具分散性氧化鋁微粒。 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 1.一種氧化鋁微粒之表面改質方法,其係於室溫下調整含有氧化鋁微粒以及鋁之氫氧化物微粒之一分散液之一酸鹼値至小於4,以形成鋁之氫氧化物層於該氧化鋁 微粒之一表面,其中該氧化鋁微粒於該分散液之含量係介於0.1重量百分比至10重量百分比之間,且該鋁之氫氧化物微粒於該分散液之含量係介於0.1重量百 分比至10重量百分比之間。 2.如申請專利範圍第1項所述之氧化鋁微粒之表面改質方法,其中該氧化鋁微粒係選自於由�-相氧化鋁微粒、�-相氧化鋁微粒、�-相氧化鋁微粒以及上述之組合所組成之一族群。 3.如申請專利範圍第1項所述之氧化鋁微粒之表面改質方法,其中該氧化鋁微粒為�-相氧化鋁微粒。 4.如申請專利範圍第3項所述之氧化鋁微粒之表面改質方法,其中該�-相氧化鋁微粒於該氧化鋁微粒中之一含量係介於90重量百分比至100重量百分比之間。 5.如申請專利範圍第1項所述之氧化鋁微粒之表面改質方法,其中該氧化鋁微粒之一粒徑係介於200奈米(Nanometer; nm)至10毫米(Minimeter; mm)之間。 6.如申請專利範圍第1項所述之氧化鋁微粒之表面改質方法,其中該氧化鋁微粒之一粒徑係介於1nm至200nm之間。 7.如申請專利範圍第1項所述之氧化鋁微粒之表面改質方法,其中該鋁之氫氧化物微粒之一晶型係選自於由軟鋁石(Boehmite)、擬軟鋁石(Pseudo-Boehmite)及單水合氧化鋁(Alumina Monohydrate)所組成之一族群。 8.如申請專利範圍第1項所述之氧化鋁微粒之表面改質方法,其中該鋁之氫氧化物微粒之一晶型為軟鋁石。 9.如申請專利範圍第1項所述之氧化鋁微粒之表面改質方法,其中調整該分散液之該酸鹼値的步驟係利用一酸鹼値調整劑進行調整,且該酸鹼値調整劑係選自於由一有機酸及一無機酸所組成之一族群。 10.如申請專利範圍第9項所述之氧化鋁微粒之表面改質方法,其中該有機酸為醋酸。 11.如申請專利範圍第9項所述之氧化鋁微粒之表面改質方法,其中該無機酸係選自於由硝酸、鹽酸、硫酸、磷酸及碳酸所組成之一族群。 12.如申請專利範圍第1項所述之氧化鋁微粒之表面改質方法,其中在調整該分散液之該酸鹼値的步驟之後,更至少包含調整該懸浮液之該酸鹼値至介於1至12之間。 13.一種具分散性氧化鋁微粒之製造方法,至少包含: 將 氧化鋁微粒以及鋁之氫氧化物微粒加入一水性溶劑中以形成一分散液,其中該分散液之一酸鹼値範圍為1到12,且該氧化鋁微粒於該分散液之含量係介於0.1重 量百分比至10重量百分比之間,且該鋁之氫氧化物微粒於該分散液之含量係介於0.1重量百分比至10重量百分比之間;以及 於室溫下調整該分散液之該酸鹼値至小於4,以形成鋁之氫氧化物層於該氧化鋁微粒之一表面。 14.如申請專利範圍第13項所述之具分散性氧化鋁微粒之製造方法,其中該氧化鋁微粒係選自於由�-相氧化鋁微粒、�-相氧化鋁微粒、�-相氧化鋁微粒以及上述之組合所組成之一族群。 15.如申請專利範圍第13項所述之具分散性氧化鋁微粒之製造方法,其中該氧化鋁微粒為�-相氧化鋁微粒。 16.如申請專利範圍第15項所述之具分散性氧化鋁微粒之製造方法,其中該�-相氧化鋁微粒於該氧化鋁微粒中之一含量係介於90重量百分比至100重量百分比之間。 17.如申請專利範圍第13項所述之具分散性氧化鋁微粒之製造方法,其中該氧化鋁微粒之一粒徑係介於200nm至10mm之間。 18.如申請專利範圍第13項所述之具分散性氧化鋁微粒之製造方法,其中該氧化鋁微粒之一粒徑係介於1nm至200nm之間。 19.如申請專利範圍第13項所述之具分散性氧化鋁微粒之製造方法,其中該鋁之氫氧化物微粒之一晶型係選自於由軟鋁石、擬軟鋁石及單水合氧化鋁所組成之一族群。 20.如申請專利範圍第13項所述之具分散性氧化鋁微粒之製造方法,其中該鋁之氫氧化物微粒之一晶型為軟鋁石。 21.如申請專利範圍第13項所述之具分散性氧化鋁微粒之製造方法,其中該水性溶劑係選自於由水及水溶液所組成之一族群。 22.如申請專利範圍第13項所述之具分散性氧化鋁微粒之製造方法,其中調整該分散液之該酸鹼値的步驟係利用一酸鹼値調整劑進行調整,且該酸鹼値調整劑係選自於由一有機酸及一無機酸所組成之一族群。 23.如申請專利範圍第22項所述之具分散性氧化鋁微粒之製造方法,其中該有機酸為醋酸。 24.如申請專利範圍第22項所述之具分散性氧化鋁微粒之製造方法,其中該無機酸係選自於由硝酸、鹽酸、硫酸、磷酸及碳酸所組成之一族群。 25.如申請專利範圍第13項所述之具分散性氧化鋁微粒之製造方法,其中在調整該分散液之該酸鹼値的步驟之後,更至少包含調整該分散液之該酸鹼値至介於1至12之間。 圖式簡單說明: 第1圖係繪示根據本發明一較佳實施例之氧化鋁微粒之表面改質製程流程圖; 第2圖係繪示根據本發明實施例一之氧化鋁微粒的表面電位分析結果; 第3圖係繪示根據本發明實施例二之鋁之氫氧化物微粒的表面電位分析結果; 第4圖係繪示根據本發明實施例三之混合微粒的表面電位分析結果; 第5圖係繪示根據本發明實施例四之具分散性氧化鋁微粒的表面電位分析結果;以及 第6圖係繪示根據本發明實施例五之具分散性氧化鋁微粒的表面電位分析結果。 |
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| 專利權異動 |
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| 申請案件狀態 |
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