381_088-107CP-TW

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381_088-107CP-TW

發佈日期 : 2009-04-29

發明專利說明書
﹝本說明書格式，順序及粗體字，請勿任意更動，※號部份請勿填寫﹞
	※申請案號： 089126033
	※申請日期： 20001205 ※ＩＰＣ分類： Int.Cl.(6) H01L 21/306

一、發明名稱： (中文/英文)
	一種Si表面處理對摻雜之SiO2電特性改善之技術 (全文下載) A Method of Surface Treatment on the Improvement ofElectrical Properties for Doped Si02 Films）
二、申請人：共 1 人
	1 . 　姓名或名稱：(中文/英文) 　　行政院國家科學委員會 / NATIONAL SCIENCE COUNCIL 　代　表　人：(中文/英文) 　　 / 　住居所或營業所地址：(中文/英文) 　　台北巿和平東路二段一○六號十八樓 / 　國　　　　籍：(中文/英文) 　　中華民國 / TW
三、發明人：共 3 人
	1 . 　姓名：(中文/英文) 　　洪茂峰 / HUNG, MAU-FENG 　國　　　籍：(中文/英文) 　　中華民國 / TW 　 2 . 　姓名：(中文/英文) 　　王永和 / WANG, YUNG-HE 　國　　　籍：(中文/英文) 　　中華民國 / TW 　 3 . 　姓名：(中文/英文) 　　張偉智 / JANG, WEI-JR 　國　　　籍：(中文/英文) 　　中華民國 / TW
四、聲明事項
	□主張專利法第二十二條第二項 □ 第一款或 □ 第二款規定之事實，其事實發生日期為：年　月　日 □申請前已向下列國家(地區)申請專利: 　【格式請依:受理國家(地區)、申請日、申請案號、順序註記】
	□ 有主張專利法第二十七條第一項國際優先權：　□無主張專利法第二十七條第一項國際優先權：
	□ 主張專利法第二十九條第一項國內優先權：　【格式請依:申請日、申請案號、順序註記】
	□ 主張專利法第三十條生物材料：　□ 須寄存生物材料者：　　　國內生物材料【格式請依:寄存機構、日期、號碼、順序註記】　　　國外生物材料【格式請依:寄存國家、機構、日期、號碼、順序註記】
□ 不須寄存生物材料者: 　　　所屬技術領域中具有通常知識者易於獲得時，不須寄存。

五、中文發明摘要：
	本發明提出一簡單的二階段氟化氫蝕刻(Two-Step HFEtching)方法來提昇液相沈積含氟二氧化矽(Liquid-Phase-Deposited Fluorinated Silicon Oxides)之電特性，包括有效去除原生氧化層、降低介面電荷(~1010V-eVm-2)、降低表面粗糙度(Ra=0.1m)及提高崩潰電場(~9.7MV/cm)。另外，快速熱退火(RapidThermal Annealing, RTA)亦應用於此項技術，發現崩潰電場有18%的提昇及介面電荷有33%的降低。此項發明除適合一般液相沈積(LPD)成長之二氧化矽外，也適合摻加其它雜質之二氧化矽。本發明將有助於沈積一高品質、低成本之氧化層以提供未來超大型積體電路(ULSI,Ultra-Large-Scale Integratedcircuits)元件中超薄閘極氧化層(Gate Oxide)之應用。

六、英文發明摘要：
	In the application of gate oxides in IC process, a suitablecleaning/etching process is required to remove the native oxides andreduce surface microroughness in addition to standard RCA cleaning. Forultarthin oxide thickness (〈10 mm), it is an important issue to have anative-oxide-free and H-passivated Si surface to ensure high breakdownfield, high charge-to-breakdown, and low leakage current. According tothese concepts, we propose a patent with a simple two-step HF etchingprocess to improve the electrical properties of Liquid-Phase Depositedfluorinated silicon oxides (LPD-SiOF), including effective removal ofnative oxides, lowering of interface trap density (～10 ¹⁰ eV ^-1 cm ^-2 ),reduction of swface microroughness (Ra=0.1 mm), and raising ofbreakdown field (～9.7 MV/cm). Furthermore, rapid thermal annealing(RTA) iS also used to further improve the oxide quality. It is found thatl8% increaSe of breakdown field and 33% reduction of interface trapdensity can be reached. In addition to the suitability for LPD-SiO _2, thistechnique iS also suitable to other doped oxides. This technology ishelpful to obtain a high quality and low cost silicon oxide for the ultrathingate oxide in the future ULSI process.

七、指定代表圖：
（一）本案指定代表圖為：
（二）本代表圖之元件符號簡單說明：



八、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學式：


九、發明說明：
	產業上之利用領域　　本發明提出一簡單的二階段氟化氫蝕刻(TwO-StepHFEtching)方法來提昇液相沈積含氟二氧化矽(Liquid-PhaSeDeposited Fluorinated Silicon OXideS)之電特性。背景　　在積體電路製程之氧化層成長上，除標準美國無線電公司(RCA)清洗外必須要有一適合之表面處理或稱為蝕刻技術，以有效地去除原生氧化層(Native Oxide)並降低表面粗糙度(Microroughness)。在氧化層厚度降至10 nm以下，矽表面必須要求沒有任何原生氧化層以及完全地被氫鍵保護著(Hydrogen-PaSsivation)，以保證此氧化層具有高崩潰電場(Breakdown Field)、高崩潰電荷值(Charge-tO-BreakdoWn)及低漏電流。習知技藝　　在文獻上吾人可發現一般常用之表面清洗可分為R.Kroon於Jpn. J. Appl. Phys.第36卷，第5068頁(1997)揭示之乾式(Dry Etching)及R. K. Chanana等人於IEEE Int. Conf. PlasmaScience第282頁(1996)報導之濕式(Wet Etching)兩種。而乾式清洗方面，M. Biavati等人於J. Vac.Sci. ＆ Technol. 第B13卷第2139頁(1995),G. Y. Pavlov於Mat. ReS. Soc. Symp. 第PV386卷，第321頁(1995)報導電漿蝕刻(Plasma Etching)可以有效的去除矽(Si)表面之氧離子並提昇崩潰電荷值，但是矽表面晶格會被電漿破壞而造成表面粗糙度(Microroughwess)增加。　　其他新發展的乾式蝕刻技術有：G. Vereecke等人於Diffusion and Defect Data Pt. B: Solid State Phenomena Proc. 1998 4thInt. Symp. Ultra Clean Pr ocessing of Silicon surfaces 第187頁(1998)報導之雷射清洗，或是H. Park等人於Electrochem ＆ Solid-StateLett. 第1卷第77頁(1998)報導利用氟化氫(HF)/甲醇(Methanol)、紫外光(UV)/氯氣(Cl)、紫外光(UV)/氧氣(O ₂ )等氣相清洗表面，H.Habuka等人於J. Cryst. Growth 第186卷第104頁(1998)報導用氟化氫(HF)及氯化氫(HCl)氣體在常壓和氫氣環境下之清洗，R. Sugino等人於J. Electrochem. Soc. 第144卷第3984頁(1997)報導以紫外光(UV)照射氯氣(Cl ₂ )產生氯氣根等。這些技術已被證明可以完全去除次微米微粒、原生氧化層(N atiVe Oxide)及鐵污染物。但是跟濕式清洗比較起來依然有不能完全去除鈣離子及表面粗糙度問題。因此簡便又有效的濕式蝕刻便在積體電路(IC)製程上佔有一重要地位。　　濕式蝕刻主要利用雙氧水(H ₂ O ₂ )的氧化化學反應在矽上形成一氧化層並隨後用氟化氫(HF)蝕刻去除之，是目前最有效的濕式清洗方法。基於此項觀念，有許多新奇的方法發表於各知名期刊：M. Alessandri等人於Diffusion and Defect DataPt. B:Solid State Phenomena Proc. 1998 4th Int. Symp.Ultra clean Processing of Silicon Surfaces 第27頁(1998)報導氟化氫(HF)∕純水／臭氧(O ₃ )／超音波清洗法、T. Hattori等人於J. Electrochem.Soc.第145卷第3278頁(1997)報導使用臭氧化純水／稀釋氟化氫，T. Ohwi等人於IEICE TrAns. ELectrons第E75-C卷第800頁(1992)報導修正式美國無線電公引(RCA)清洗法，T. H. Park等人於J. ELectrochem. Soc. 第l42卷第571頁(1995)報導硝酸(HN O ₃ )／氟化氫(HF)清洗系統，S. Verhaverbeke等人於Symp. VLSITech. Dig. Tech. Papers第22頁(1992)報導氟化氫(HF)終結清洗，T. Shimono等人於IEICE TransElectrons第E75-C卷第812頁(1992)報導氟化氫(HF)／雙氧水(H ₂ O ₂ )系統等。此種清洗方式可以有效降低表面粗糙度及提供更完整的表面氫鍵保護作用(Hydrogen Passivation)，因此熱氧化所成長之氧化層具有非常高之品質。　　綜觀文獻上液相沈積法之前置晶圓清洗步驟可以大略分為以下兩種：C. J. Huang等人於J. Vac. Sci. ＆ Technol.第A16卷第2646頁(1998)報導以稀釋氟化氫(HF)來去除原生氧化層，及M. P. Houng等人於Mater. Chem. ＆ Phys.第59卷第36頁(1999)混合丙酮、甲醇、氟化氫(HF)之溶液浸置。基本上此為標準美國無線電公司(RCA)清洗加上氟化氫蝕刻’ 　　其金氧半導體(MOS)元件之均顯現不錯電特性：崩潰電場(breakdown field)8~9MV/cm、介面電荷～10 ¹¹ eV ^-l cm ^- 2。但是有關表面處理／蝕刻對液相沈積含氟二氧化矽膜特性之影響尚不見於相關文獻。由於液相沈積之成長機制不同於熱氧化法，因此表面的好壞直接關係到二氧化矽膜的沈積，介面特性會受極大影響。本發明的提出將有助於沈積高品質之二氧化矽膜，擴大液相沈積法之應用範圍，在未來超大型積體電路(ULSI)製程上尤其是閘極氧化層有更廣之發展。發明目標　　本發明之首要目的係揭示一種簡單的二階段氟化氫蝕刻(TWO-Step HF Etching)方法來提昇液相沈積含氟二氧化矽(Liquid-Phase Deposited Fluorinated Silicon Oxides)之電特性，包括有效去除原生氧化層、降低介面電荷(~10 ¹⁰ eV ^-l cm ^-2 )、降低表面粗糙度(Ra值0.1nm)及提高崩潰電場(~9.7MV/cm)。　　凡是熟悉該技藝的人士在閱讀下列經由不同圖解所展示之較佳實施例詳細說明後，無疑地將非常清楚本發明所揭示之目的和優點。發明之詳細說明　　本發明一種矽表面處理對摻雜之二氧化矽(SiO ₂ )電特性改善之方法，其係以標準美國無線電公司(RCA)清洗法清洗矽表面並用二階段氟化氫(HF)蝕刻技術，氮氣吹乾處理矽晶圓，隨即進行液相沈積氧化層；以飽和六氟矽酸加水稀釋當成長溶液，在30。C恆溫槽環境下成長厚度約100之氧化層；以快速熱退火技術趕走液相沈積氧化層之氟離子並使之緻密化。　　本發明採用濕式清洗方法來對矽(Si)晶片表面做蝕刻處理，晶圓為(100)結晶面且其電阻率為9~12Ω-cm之氮(N)型矽。前置清洗方法採用標準美國無線電公司(RCA)清洗，其步驟如下：　　 (1)將晶圓以氨水及雙氧水混合液(Ammonia Hydrogenperoxide Mixtwe, APM)溶液，在80℃下煮15分鐘以去除有機雜質，氨水及雙氧水混合液合液(APM)溶液之組成，係依照0.05:10:50之比例，混合氨水(NH ₄ OH)、雙氧水(H ₂ O ₂ )、水(H ₂ O)。傳統氨水的量為10已被證實會使表面極度不平坦，因此本發明以降低氨水的量使表面粗糙度降至能控制的範圍內。　　 (2)浸置於純水(19MΩ-Cm)5分鐘將晶圓上殘留之氨水及雙氧水混合液合液(APM)溶液完全洗淨。　　 (3)接著將晶圓以鹽酸及雙氧水混合液(HPM, HydrochloricHydrogen peroxide Mixture)溶液，在80℃下煮15分鐘以去除鹼金屬離子及金屬離子。鹽酸及雙氧水混合液(HPM)溶液之組成，係依照10:10:60之比例，混合鹽酸(HCl)、雙氧水(H ₂ O ₂ )、水(H ₂ O)。　　 (4)浸置於純水(19MΩ-cm)5分鐘將晶圓上殘留之鹽酸及雙氧水混合液(HPM)溶液完全洗淨。　　 (5)將清洗好的晶圓置入不同的蝕刻溶液，如表一所示。這些溶液的目的為完全地去除美國無線電公司所產生之氧化層(Chemically-Formed Oxide)並使矽表面產生很多氫鍵，如此一來便使得後續液相沈積氧化層能緊密的與矽表面鍵結，形成高品質之含氟二氧化矽。　　表一的不同蝕刻溶液，即為本發明二階段氟化氫(HF)蝕刻(TWo-Step HF Etching)方法。本發採用六種不同的矽表面蝕刻液以探討二氧化矽／矽(SiO ₂ /Si)介面特性之改善。值得注意的是，與實施例CN-1比較本發明中最佳蝕刻方法(CN-4B)在最後稀釋之氟化氫(HF)蝕刻後便逕以氮氣吹乾，並不再經純水洗淨。原因是純水會破壞矽表面的氫鍵使得原生氧化層繼續成長。因此實施例CN-3A、CN-5B、CN-6B對照實驗，也同樣不經純水洗淨步驟。　　液相沈積的溶液配製如圖一所示，本發明採用飽和六氟矽酸(H ₂ SiF ₆ )濃度為3.09mole∕1加上適當水量稀釋成1.8mole/l當成長溶液，在30。C恆溫槽環境下成長厚度約10nm之氧化層。必須注意的是，矽晶圓經上表蝕刻溶液處理過後隨即置入成長溶液以避免在空氣當中原生氧化層的再次成長。　　成長好的晶圓以光微影(Photolithography)方法在晶圓上定義出金氧半導體(MOS)元件位置，用蒸著方式將鋁(Al)蒸鍍在晶圓上並用舉離技術形成上電極(Top Metal)。同樣的方法在將鋁蒸鍍在已去除氧化層之晶圓背面，隨後在石英爐管400℃，氮氣(N ₂ )環境下退火30分鐘以形成良好的歐姆接觸。　　快速熱退火是將已成長氧化層之晶圓在紅外線高溫爐(Infrared Furnace)以950℃，氮氣(N ₂ )環境下退火150秒，其升溫模式設定如圖二。　　電性量測方面，利用高頻電容一電壓量測計算其介面電荷密度；以HP4156A量測電流－電壓曲線，其直流電壓上升速率(DC Ramp Rate)為0.2V/s並以正閘極電壓輸入(Positive Gate Bias)模式量測。崩潰電場之定義為電流達到10mA/cm ² 或完全崩潰為止。蝕刻後表面粗糙度則以原子力顯微鏡(Atomic Force Microscopy)掃描晶圓表面測得。　　圖三為液相沈積之成長曲線圖，表示經蝕刻後之晶圓表面必須經一連串表面反應產生有利於液相沈積之條件(如Si-OH鍵)方可形成第一層氧化層，接著繼續沈積出其他液相沈積氧化層。例如CN-3A實施例中沈積時間(Deposition Time)150分鐘可以成長氧化層35.3nm厚，CN-4B實施例在相同沈積時間下可以成長氧化層33.3nm厚。圖三為液相沈積之成長曲線圖，由圖中同時可以明顯看到成長延遲時間(Growth Delay Time, GDT)，CN-3A實施例約6分鐘，最長為二階段氟化氫(HF)蝕刻CN-4B實施例，約12分鐘，其原因為矽表面具有最多之氫鍵，這些氫鍵會經由下列反應式產生氫氧化矽(Si-OH)：Si-H+H ₂ O→SiOH+H ₂ 而CN-5B實施例之成長延遲時間幾乎為零，其原因為硝酸(HNO ₃ )與矽(Si)的氧化作用。CN-6B實施例則由於使用雙氧水(H ₂ O ₂ )代替水(H ₂ O)而抑制了硝酸與矽的氧化作用，因此有較少的氧化層，成長延遲時間較CN-5B實施例為長。　　圖四為不同表面處理後其崩潰電場之分布圖，由圖中可以發現崩潰電場分布在3MV/cm到11MV/cm之間。較低崩潰電場表示氧化層中有其他雜質存在，而液相沈積法中自然摻入之氟離子為造成此現象之原因。經快速熱退火後的氧化層具有較高的崩潰電場(約10MV/cm)，甚至有的達到15MV/cm。此特性比電漿蝕刻清洗過後的氧化層更好(4.4~9.6MV/cm)。其改善原因為快速熱退火能有效趕走氟離子使氧化膜更緻密並能減少氧化層一矽介面間無鍵結之氧空缺及矽-氧(Si-O)鍵。快速熱退火(Rapid Thermal Annealing,RTA)亦應用於此項技術，如表二所示不同實施例之崩潰電場值，發現以剛沈積之CN-4B為標率，而快速熱退火後CN-4B之崩潰電場有18%的提昇。如表三所示不同實施例之介面電荷值，以剛沈積CN-4B之介面電荷值為標率，而CN-4B快速熱退火後之介面電荷有33%的降低。　　此數據的獲得是將快速熱退火後的數值（崩潰電場或介面電荷）減去剛沈積時的數值（崩潰電場或介面電荷）’再除以剛沈積時的數值（崩潰電場或介面電荷）乘以100%即可得。表示如下：（崩潰電場快速退火後-崩潰電場剛沈積）／崩潰電場剛沈積×100% 　　圖五為不同表面處理之介面密度(Average Interface TrapDensity)及平均崩潰電場(Average E _BD )比較。CN-4B實施例表現出最低之介面密度及最高之崩潰電場，無論是氧化層退火前或退火後，與CN-1實施例比較可以得知較稀的氟化氫(HF)濃度與較長的處理時間可以得到較完全之表面氫鍵保護，並且以1:200之比例，混合氟化氫(HF)與水可以降低表面粗糙度，因而其電性較佳。就快速熱退火而言，所有的氧化層均得到改善，介面密度小於5×10 ¹⁰ eV ^-l Cm ^-2 崩潰電場均在10-l1MV/cm左右，其原因為氧化層之鍵結力增強。　　圖六為不同表面處理之表面粗糙度(MeanMicroroughwess, Ra)。CN-4B實施例的表面粗糙度(Ra)值為0.1nm而最大的CN-5B其Ra值為0.761nm。由此可以明顯得到二階段氟化氫(HF)蝕刻技術可以有效降低表面粗糙度，與圖五比較可以發現表面粗糙度對崩潰電場有決定性的影響。這樣的結果優於其他表面清洗技術之Ra值(0.1 _- 1nm)。由文獻上得知在氧化層厚度小於8nm時，粗糙度大的矽表面會造成氧化層的局部厚度減少，使得這些地方的漏電流大增，因此本發明可以有效處理矽表面，幫助後續高品質氧化層之成長。　　本發明將有助於沈積一高品質、低成本之氧化層以提供未來超大型積體電路(ULSI)元件中超薄閘極氧化層(GateOxide)之用。實施例一標準美國無線電公司(RCA)清洗法　　將晶圓以氨水及雙氧水混合液合液(MM)溶液(NH ₄ OH:H ₂ O ₂ :H ₂ O=0.05:10:50)，在80℃下煮15分鐘以去除有機雜質。浸置於純水(19MΩ-Cm)5分鐘將晶圓上殘留之氨水及雙氧水混合液合液(APM)溶液完全洗淨。將晶圓在鹽酸及雙氧水混合液(HPM)溶液80℃下煮15分鐘以去除鹼金屬離子及金屬離子。該鹽酸及雙氧水混合液(HPM)溶液係以10:10:60比例混合36%鹽酸(HCl)、30%雙氧水(H ₂ O ₂ )、水(H ₂ O)組成。　　浸置於純水(19MΩ-Cm)5分鐘將晶圓上殘留之鹽酸及雙氧水混合液(HPM)溶液完全洗淨。實施例二 CN-1清洗法　　採用實施例一標準美國無線電公司(RCA)清洗法作為前置清洗處理，以1:40之比例，混合48%氟化氫(HF)、水蝕刻15秒，在鹽酸及雙氧水混合液(HPM)溶液80℃下煮5分鐘，氮氣吹乾。鹽酸及雙氧水混合液係以10:10:60比例混合36%鹽酸(HCl)、30%雙氧水(H ₂ O ₂ )、水組成。實施例三 CN-3A清洗法　　採用實施例一標準美國無線電公司(RCA)清洗法作為前置清洗處理，以1:10比例混合48%氟化氫(HF)、甲醇(MeOH)蝕刻30秒，氮氣吹乾。實施例四 CN-3B清洗法　　採用實施例一標準美國無線電公司(RCA)清洗法作為前置清洗處理，以1:10比例混合48%氟化氫(HF)與甲醇(MeOH)蝕刻30秒，在鹽酸及雙氧水混合液(HPM)80℃下煮5分鐘，氮氣吹乾。鹽酸及雙氧水混合液係以10:10:60比例混合36%鹽酸(HCl)、30%雙氧水(H ₂ O ₂ )、水組成。實施例五 CN-4B清洗法　　採用實施例一標準美國無線電公司(RCA)清洗法作為前置清洗處理，以1:200比例混合48%氟化氫(HF)與水蝕刻2分鐘，在鹽酸及雙氧水混合液(HPM)溶液80℃下煮5分鐘。鹽酸及雙氧水混合液係以10:10:60比例混合36%鹽酸(HCl)、30%雙氧水(H ₂ O ₂ )、水組成。　　以1:200比例混合48%氟化氫(HF)、水蝕刻2分鐘，氮氣吹乾。實施例六 CN-5B清洗法　　採用實施例一標準美國無線電公司(RCA)清洗法作為前置清洗處理，以1:200比例混合48%氟化氫(HF)、水蝕刻2分鐘，在鹽酸及雙氧水混合液(HPM)80℃下煮5分鐘。鹽酸及雙氧水混合液係以10:10:60比例混合36%鹽酸(HCl)、30%雙氧水(H ₂ O ₂ )、水組成。　　以60:0.1:39.9比例混合70%硝酸(HNO ₃ )、48%化(HF)、水=蝕刻5分鐘，氮氣吹乾。實施例七 CN-6B清洗法　　採用實施例一標準美國無線電公司(RCA)清洗法作為前置清洗處理，以1:200比例混合48%氟化氫(HF)、水蝕刻2分鐘，在鹽酸及雙氧水混合液(HPM)溶液係以10:10:60比例混合之36%鹽酸(HCl)、30%雙氧水(H ₂ O ₂ )、水，在80℃下煮5分鐘。　　以50:0.5:49.5比例混合70%硝酸(HNO ₃ )、48%氟化氫(HF)、30%雙氧水(H ₂ O ₂ )蝕刻5分鐘，氮氣吹乾。　　　　 #氟化氫(HF):48%。其他溶液之濃度為：NH ₄ OH:28%；HCl:36%;H ₂ O ₂ :30%；HNO ₃ :70%. 　　　　圖式簡單說明　　表一不同蝕刻溶液　　表二崩潰電場值　　表三介面電荷值圖式簡單說明　　圖一液相沈積流程　　圖二快速熱退火升溫模式　　圖三液相沈積之成長曲線圖l.CN-3A，6分鐘2.CN-4B，l2分鐘3.CN-5B，～0分鐘4.成長延遲時間〔分〕(Growth Delay Time, GDT〔min〕) 　　圖四不同表面處理後其崩潰電場之分佈圖(a)剛沈積(b)快速退火後1.CN-1 2.CN-3A 3.CN-3B4.CN-4B 5.CN-5B 6.CN-6B 　　圖五不同表面處理之介面密度及崩潰電場比較圖剛沈積實線（平均界面電荷）粗線（平均崩潰電場）快速熱退火後實線（平均界面電荷）粗線（平均崩潰電場）　　圖六不同表面處理之表面粗糙度

十、申請專利範圍：
	1.一種矽表面處理以改善摻雜二氧化矽電特性之方法，其係以標準美國無線電公司(RCA)清洗法清洗矽表面並用二階段HF蝕刻技術，氮氣吹乾處理矽晶圓，隨即進行液相沈積氧化層；以飽和六氟矽酸加水稀釋當成長溶液在30℃恆溫槽環境下成長厚度約10nm之氧化層；以快速熱退火技術趕走液相沈積氧化層之氟離子並使之緻密化。　　 2.如申請專利範圍第1項之方法，其二階段氟化氫蝕刻技術係以48%氟化氫(HF)：水＝1：200蝕刻2分鐘，在鹽酸及雙氧水混合液(HPM)溶液係以10：10：60比例混合36%鹽酸(HCl)、30%雙氧水(H2O2)、水，80℃下煮5分鐘，以1：200比例混合48%氟化氫(HF)、水溶液蝕刻2分鐘，氮氣吹乾。　　 3.如申請專利範圍第1項之方法，其飽和六氟矽酸濃度為3.09mole/l加上適當水量稀釋成1.8mole/l。　　 4.如申請專利範圍第1項之方法，其快速熱退火技術係950℃，150秒，氮氣(N2)環境趕走液相沈積氧化層之氟離子並使之緻密化。


十一、圖式：

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