057_093-075AP-TW

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057_093-075AP-TW

發佈日期 : 2009-04-29

發明專利說明書


※申請案號：094103432	※I P C 分類：C12M1/42,C12N15/87

一、	發明名稱：
	電泳預濃縮式電脈衝胞膜穿孔裝置與方法(全文下載)
	AN APPARATUS OF ELECTROPORATION UTILIIZING MICRO-ELECTROPHORESIS AND THE METHOD FOR MAKING THE SAME

二、

中文發明摘要：

一種電泳預濃縮式電脈衝胞膜穿孔裝置至少包括：一至少具有一平滑表面之基材、一殼體結構、第一電極、第二電極、第三電極以及一電源供應裝置。其中殼體結構與基材之平滑表面結合，藉以定義出相連通之第一區以及第二區。第一電極與第二電極皆位於第一區之內；且第二電極與第一電極之間至少具有一距離。第三電極位於第二區之內，具有大於該第一區之一半徑範圍。電源供應裝置則分別提供第一電極、電二電極以及電三電極所需的工作電壓。

三、

英文發明摘要：

An apparatus of Electroporation utilizing Micro-Electrophoresis and the method for making the same comprise a substrate having at least one smooth surface, a housing, a first electrode, a second electrode, a third electrode, and a means for power supply. Wherein, the conjunction of the housing and the smooth surface of the substrate can identify a first area and a second area, communicating with each other. The first electrode and the second electrode with a distance between each other are located in the first area; the third electrode is located in the second area having a diameter greater than the diameter of the first area. The means of power supply provides working voltage for the first electrode, the second electrode, and the third electrode respectively.

四、	指定代表圖：
	(一)本案指定代表圖為：第1圖
	(二)本代表圖之元件符號簡單說明：
	100‧‧‧反應晶片
	102‧‧‧基材
	104‧‧‧殼體結構
	106‧‧‧第一電極
	108‧‧‧第二電極
	110‧‧‧第三電極
	201‧‧‧第一區域
	203‧‧‧第二區域

五、	本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學式：

六、	發明說明：
	【發明所屬之技術領域】
[0001]	本發明是有關於一種基因轉殖技術，特別是適用於電脈衝胞膜穿孔技術之裝置與方法。
	【先前技術】
[0002]	基因轉殖(gene transfer)應用係把一段外來的基因或核酸片斷，經過外在力量(如注射、通電、粒子槍或化學藥劑等)迫使它進入配子、胚胎或體細胞的細胞核或細胞質內，好讓外來基因能在胚胎或細胞中繼續複製，進而在個體上表現該段外來基因的特色。
[0003]	試管試驗(In-Vitro)的基因轉殖方法中，可以將外來基因導入配子、胚胎或體細胞的細胞核或細胞質內的方法有很多，如鈣離子法，微脂粒法、病毒感染法、胚幹細胞法、顯微注射法、電脈衝胞膜穿孔法(Electroporation)、雷射誘導法、基因槍法及精子載體法。
[0004]	然而，使用病毒法進行基因轉殖，有免疫和基因重組等等的副作用及疑慮。而使用基因槍雖然有極高的轉殖率，但是受限於器材必須直接與轉殖區直接接觸，且基因槍法的載體微粒製備手續繁雜，儲存時間短，還需要有投入昂貴的設備。置於微注射法，則僅適用於單一細胞之上，無法同時施行於多個細胞。而其他方法如，微脂粒法、雷射誘導法、鈣離子法等技術也存在轉殖範圍有限、儀器設備昂貴、操作成本高或程序繁雜等缺點。
[0005]	相較之下，電脈衝胞膜穿孔法，利用脈衝電壓施加於目標細胞，使細胞膜上的微小孔洞張開，將DNA序列或藥物傳遞進入細胞之中，操作程序較為單純。然而，傳統電脈衝胞膜穿孔法操作規模較大，消耗大量的耗材試劑；且最大的缺點是高達百伏的電壓產生大量的焦耳熱，造成部份細胞的死亡影響轉殖效率。
[0006]	因此有必要提供一種轉殖效率高、消耗樣本少、操作成低的電脈衝胞膜穿孔方法與裝置。
	【發明內容】
[0007]	因此本發明的目的就是在提供一種轉殖效率高、消耗樣本少、操作成低的電脈衝胞膜穿孔裝置與方法。其特徵在於利用電泳力與電脈衝胞膜穿孔轉殖法相結合，在電胞膜穿孔效應之前或之間提供一個預濃縮的電場力，來提高所要傳遞之DNA序列或藥物在目標細胞周圍的局部濃度；並且縮小操作體積，降低操作樣本與試劑之消耗，減少電能轉換生熱對目標細胞的損傷，藉此增進轉殖效率降低成本。
[0008]	在本發明的一些實施例之中，提供一電泳預濃縮式電脈衝胞膜穿孔裝置，至少包括：至少具有一平滑表面之基材、一殼體結構、第一電極、第二電極、第三電極以及一電源供應裝置。其中殼體結構與基材之平滑表面結合，藉以定義出相互連通之第一區以及第二區。第一電極與第二電極位於第一區之內；且第二電極與第一電極之間至少具有一距離。第三電極位於第二區之內，具有大於該第一區之一半徑範圍。電源供應裝置則分別提供第一電極、電二電極以及電三電極所需的工作電壓。
[0009]	在本發明的較佳實施例之中，提供一工作容量小於0.05ml之電脈衝胞膜穿孔裝置。其中，此一裝置之電源供應裝置可以輸出一交握電壓，藉以在電胞膜穿孔反應之前或之間提供一個預濃縮的電場力，來提高目標細胞周圍DNA序列或藥物的局部濃度。而且第一電極與該第二電極具有小於3mm之一距離，兩者之間的有效工作電可降低至12V以下，以減少電脈衝胞膜穿孔反應中，因為電能轉換所產生之熱能對細胞的破壞。
[0010]	因此根據以上述，本發明確實可以提供一種轉殖效率高、消耗樣本少、操作成低的電脈衝胞膜穿孔裝置，以達到本發明之目的。
	【實施方式】
[0011]	本發明的目的就是在提供一種電脈衝胞膜穿孔裝置與方法。係利用電泳原理提供一個預濃縮的電場力與電脈衝胞膜穿孔轉殖法相結合，並使用微機電製程結合微流體設計(Microfloidics)，改善一般電脈衝胞膜穿孔技術的高電位問題，提供一電轉殖效率高、消耗樣本少、操作成低的電泳預濃縮式電脈衝胞膜穿孔基因轉殖裝置。此一裝置至少包括：一基材、第一電極電場、第二電極電場、以及電源供應裝置。其中第一電場位於提供目標細胞生存所需的培養基之中，第一電場可以促使細胞膜上之微小孔洞張開，使培養基中之帶電荷之分子可以傳遞進入該細胞之中；第二電場包圍於該第一電場之外，藉以在第一電場形成之前或形成之間提供一個濃縮帶電荷分子的電場；而電源供應裝置則分別提供第一電場以及電二電場所需之工作電壓。
[0012]	在本發明的較佳實施例之中，電泳預濃縮式電脈衝胞膜穿孔裝置係由一電泳預濃縮式電脈衝胞膜穿孔晶片100(以下簡稱反應晶片100)以及一電源供應裝置所組成。其中反應晶片100係提供電脈衝胞膜穿孔作用之反應空間，電源供應裝置，係分別提供電泳預濃縮電場以及電脈衝胞膜穿孔反應所需之工作電壓。
[0013]	在本發明的一些實施例之中，電源供應裝置係一脈衝電源供應系統，包括一電脈衝強度(amplitude)控制裝置、一脈衝維持時間(duration time)控制裝置以及一脈衝數目控制。在本發明的一較佳實施例之中，係以單晶片微處理器作為脈衝電源供應系統，提供一交握電壓的輸出。
[0014]	請參照第1圖，第1圖係根據本發明之一較佳實施例所繪示之電泳預濃縮式電脈衝胞膜穿孔晶片100的俯視圖。在本發明的一些實施例之中，反應晶片至少包括基材102、殼體結構104、第一電極106、第二電極108以及第三電極110。
[0015]	其中基材102係作為承載基礎，同時具有生物相容性，使細胞可以生長，因此至少具有一平滑表面。構成基材102的材質至少包括一玻璃基板，在本發明的一些較佳實施例之中，基材102係7626mm之載玻片。
[0016]	請參照第2圖，第2圖係根據本發明之一較佳實施例所繪示之殼體結構的透視圖。在本發明之中，殼體結構104至少包括一中空結構，例如，四方體形中空結構、圓柱體形中空結構、或多邊柱狀體形中空結構。在本發明的較佳實施例之中，殼體結構係一四方方體形中空結構，尺寸大約為15mm×15mm×2mm。
[0017]	在本發明之中，殼體結構104與基材102平滑表面相連接，藉以定義出相互連通之第一區域201以及第二區域203，有效容量大約小於0.05ml。
[0018]	在本發明的一些實施例之中，第一區201係殼體結構 104與該基材102所定義之內層空間。此一內層空間可以是，例如圓柱體形、四方方體形或多邊形柱狀體。在本發明的較佳實施例之中，殼體104之四方體形中空結構與該基材102所定義出的內層空間(第一區201)係為一圓柱體形；此一圓柱體具有小於2mm之半徑，以及小於2mm之深度。在本發明之中，第一區域201，可容納細胞培養時所需的培養基，係培養細胞的位置，也是胞膜穿孔的反應範圍。
[0019]	在本發明之中，殼體結構104與該基材102所定義之空間更包括一外層空間(第二區203)與內層空間相連通。外層空間(第二區203)至少包括一凹室205位於第一區201之側壁周圍。在本發明的一些實施例之中，凹室205係由包圍第一區201之中空結構與基材所定義而成，其中，包圍第一區201之中空結構係以一側壁與第一區201相隔，並以此一側壁與第一區201相互連通。在本發明的另一些實施例之中，凹室205係位於第一區201側壁上，並與第一區201相互連通之一凹槽。在本發明的較佳實施例之中，如第2圖所繪示，第二區203係包圍於第一區 201之外側，並與基材所共同定義而成之一U字型凹室205，凹室205內層側壁上方與第一區201相互連通。
[0020]	根據本發明的較佳實施例，殼體結構104之材質，必需具有化學成分安定，無溶劑揮發等特性；且必須具有貼附力佳，不易傷害基板與電極，組裝方便加工容易，材質透明方便實驗觀察等優點。其中較佳材質至少包括聚二甲基矽氧烷(Polydimethylsiloxane，PDMS)。
[0021]	請參照第3圖，第3圖係根據本發明之一較佳實施例所繪示之電脈衝胞膜穿孔晶片100的電路圖。在本發明之中，第一電極106與第二電極108位於第一區201之內；分別作為電脈衝胞膜穿孔反應之正極與負極。第三電極係位於第二區203之中，係用來提供一電泳預濃縮電場。在本發明的一些實施例之中第一電極106、第二電極108以及第三電極110係分別由不同製程所形成之電極；且第一電極、第二電極以及第三電極不共平面。但在本發明較佳實施例之中，第一電極106、第二電極108以及第三電極110係由同一製程所同時形成之一電路圖配置，其中第一電極106、第二電極108以及第三電極110係同時形成於該基材102之該平滑表面。(如第3圖所繪示)。
[0022]	在此一電路圖配置中，第一電極106與第二電極108兩者都具有線寬至少小於60μm之指叉(Interdigitated)狀結構，且此一指叉狀結構交互排列，彼此並不相連接。其中第一電極106與該第二電極108之指叉狀結構之間的距離至少小於3mm。
[0023]	第三電極110至少包括一環形電極，在本發明的較佳實施例之中第三電極110係一環形電極，位於該基材之該平滑表面之上，且位於第二區203之中，環繞第一電極106與第二電極108之指叉結構。第三電極110之半徑大於第一區201之半徑範圍，大於3mm小於 5mm，在電脈衝胞膜穿孔反應區周圍形成一環繞電場。在電脈衝胞膜穿孔反應之前或之間，當電源供應裝置輸出一交握電壓時，第三電極110可以提供一個預濃縮的電場力，來提高目標細胞周圍DNA序列或藥物的局部濃度。
[0024]	請參照第4圖，第4圖係根劇本發明之較佳實施例所繪示之電脈衝胞膜穿孔晶片之製程分解圖。根據本發明的較佳實施例，本發明的第一電極106、第二電極108或第三電極110係同時形成於該基材102之該平滑表面之電路。材質較佳係一金屬，例如金、銀、鈦、鋁、銅、以及上述物質之任意組合。在本發明的較佳實施例之中，第一電極106、第二電極108與第三電極 110係由一鈦金屬層401以及金(Au)質層403採用微機電方法所形成。由於鈦金屬與玻璃基材102之附著力較佳，因此以鈦金屬層401作為金質層 403與基材102之間的黏著層。由於金具有良好的導電率及生物相容性，不容易產生電化學反應，可作為電脈衝胞膜穿孔之反應電極層。首先清洗玻璃基板，然後利用，例如蒸鍍法將鈦金屬沉基於基材102之上。再於鈦金屬層401上蒸鍍一層金質薄膜。之後，進行一連串光罩、蝕刻製程以完成如第3圖所繪示之電路結構。由於微機電製程係習知技術在此不作贅述。
[0025]	根據以上說明書所述之實施例，本發明不僅利用電泳原理提供一預濃縮的電場力，可以將目標細胞周圍DNA序列或藥物的局部濃度提高，增加反應濃度極反應效率；且整合微機電製程與電泳原理，將工作電壓範圍控制在12V以下，減少電能轉換對細胞的破壞。藉以提一種轉殖效率高、消耗樣本少、操作成低的電脈衝胞膜穿孔裝置。
[0026]	雖然本發明已以一較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
	【圖式簡單說明】
[0038]	透過以下說明書之詳細描述，並配合附圖之說明，讀者將會對本發明所揭露之內容有更多的了解。必須強調的是，各個附圖之中相同(似)的元件具有相同的元件參照號碼，且為了清楚地說明起見，所有的附圖均未按照比例尺繪圖，不同的附圖會依據表達的重點，加以擴大或縮小。
[0039]	第1圖係係根據本發明之一較佳實施例所繪示之電泳預濃縮式電脈衝胞膜穿孔晶片的俯視圖。
[0040]	第2圖係根據本發明之一較佳實施例所繪示之殼體結構的透視圖。
[0041]	第3圖係根據本發明之一較佳實施例所繪示之電脈衝胞膜穿孔晶片的電路圖。
[0042]	第4圖係根劇本發明之較佳實施例所繪示之電脈衝胞膜穿孔晶片電極之製程分解圖。
	【主要元件符號說明】
[0027]	100‧‧‧反應晶片
[0028]	102‧‧‧基材
[0029]	104‧‧‧殼體結構
[0030]	106‧‧‧第一電極
[0031]	108‧‧‧第二電極
[0032]	110‧‧‧第三電極
[0033]	201‧‧‧第一區域
[0034]	203‧‧‧第二區域
[0035]	205‧‧‧凹室
[0036]	401‧‧‧鈦金屬層
[0037]	403‧‧‧金質層

七、

申請專利範圍：

1.一種電泳預濃縮式電脈衝胞膜穿孔裝置，至少包括：一基材；一第一電極電場，可使位於該細胞之細胞膜上之微小孔洞張開，使一帶電荷之分子可以傳遞進入該細胞之中；一第二電極電場，具有大於該第一區之一半徑範圍，包圍於該第一電場之外，藉以在該第一電場形成之前或形成之間提供一個濃縮該帶電荷分子的電場；以及一電源供應裝置，分別提供該第一電場以及該電二電場所需之工作電壓。
2.如申請專利範圍第1項所述之電泳預濃縮式電脈衝胞膜穿孔裝置，其中該基材至少具有一表面。
3.如申請專利範圍第1項所述之電泳預濃縮式電脈衝胞膜穿孔裝置，其中該基材至少包括一玻璃基板。
4.如申請專利範圍第3項所述之電泳預濃縮式電脈衝胞膜穿孔裝置，其中該玻璃基板係一方形板材，具有76mm×26mm之一尺寸。
5.如申請專利範圍第1項所述之電泳預濃縮式電脈衝胞膜穿孔裝置，更包括：一第一電極；一第二電極，與該第一電極形成該第一電場；以及一第三電極，與該第一電極以及該第二電極二者之一形成該第二電場。
6.如申請專利範圍第5項所述之電泳預濃縮式電脈衝胞膜穿孔裝置，其中該第一電極與該第二電極之間的該距離至少小於3mm。
7.如申請專利範圍第5項所述之電泳預濃縮式電脈衝胞膜穿孔裝置，更包括：一反應槽，至少包括相互連通之一第一區以及一第二區；其中該第一電極與該第二電極位於該第一區之內，以及該第三電極，位於該第二區之內。
8.如申請專利範圍第7項所述之電泳預濃縮式電脈衝胞膜穿孔裝置，其中該第一區有效工作容量小於0.05ml，可容納細胞培養時所需的培養基，可作為細胞培養區以及電脈衝胞膜穿孔反應區。
9.如申請專利範圍第7項所述之電泳預濃縮式電脈衝胞膜穿孔裝置，其中該第二區至少包括一凹室位於該第一區之側壁外側，並與該第一區相互連通。
10.如申請專利範圍第7項所述之電泳預濃縮式電脈衝胞膜穿孔裝置，其中該反應槽之材質至少包括聚二甲基矽氧烷。
11.如申請專利範圍第7項所述之電泳預濃縮式電脈衝胞膜穿孔裝置，該反應槽至少包括一殼體結構，與該基材結合，藉以定義出相互連通之該第一區以及該第二區。
12.如申請專利範圍第11項所述之電泳預濃縮式電脈衝胞膜穿孔裝置，其中該殼體結構至少包括一中空結構，其外型係選自於由圓柱體、四方體、以及多邊柱狀體所組成之一群。
13.如申請專利範圍第12項所述之電泳預濃縮式電脈衝胞膜穿孔裝置，其中該中空結構，至少包括尺寸為15mm×15mm×2mm之一四方體形中空結構。
14.如申請專利範圍第12項所述之電泳預濃縮式電脈衝胞膜穿孔裝置，其中該四方體形中空結構之中空部分與該基板所定義之空間，係選自於由圓柱體、四方體、以及多邊柱狀體所組成之一群。
15.如申請專利範圍第7項所述之電泳預濃縮式電脈衝胞膜穿孔裝置，其中該第一電極、該第二電極以及該第三電極係由不同製程所分別形成之電極。
16.如申請專利範圍第15項所述之電泳預濃縮式電脈衝胞膜穿孔裝置，其中該第一電極、該第二電極以及該第三電極不共平面。
17.如申請專利範圍第7項所述之電泳預濃縮式電脈衝胞膜穿孔裝置，其中該第一電極、該第二電極以及該第三電極係由同一製程所同時形成之一電路圖。
18.如申請專利範圍第17項所述之電泳預濃縮式電脈衝胞膜穿孔裝置，其中該第一電極、該第二電極以及該第三電極係形成於該基材之表面。
19.如申請專利範圍第18項所述之電泳預濃縮式電脈衝胞膜穿孔裝置，其中該第一電極、該第二電極、以及該第三電極係由沉積於該基材上之至少一金屬層所構成，其中該至少一金屬層係選自於由金，銀、鈦、鋁、銅、以及上述任意組合所組成之一群。
20.如申請專利範圍第19項所述之電泳預濃縮式電脈衝胞膜穿孔裝置，其中該至少一金屬層至少包括一鈦金屬層一以及金(Au)質層。
21.如申請專利範圍第20項所述之電泳預濃縮式電脈衝胞膜穿孔裝置，其中該鈦金屬層係一黏著層位於該基材與該金質層之間。
22.如申請專利範圍第17項所述之電泳預濃縮式電脈衝胞膜穿孔裝置，其中該第一電以及該第二電極係一指叉狀結構，彼此共平面交互排列之，但彼此不相連，接其中該指叉狀結構至少包括小於60μm之一線寬。
23.如申請專利範圍第17項所述之電泳預濃縮式電脈衝胞膜穿孔裝置，其中該第三電極至少包括一環形電極，環抱該第一電極與該第二電極，可在該第一區周圍形成一環繞電場，來提高目標細胞周圍DNA序列或藥物的局部濃度。
24.如申請專利範圍第23項所述之電泳預濃縮式電脈衝胞膜穿孔裝置，其中該第三電極至少包括大於3mm小於5mm之一半徑。
25.如申請專利範圍第1項所述之電泳預濃縮式電脈衝胞膜穿孔裝置，其中該電源供應裝置至少包括輸出一交握電壓，藉以在電胞膜穿孔反應之前或之間提供一個預濃縮的電場力。
26.如申請專利範圍第1項所述之電泳預濃縮式電脈衝胞膜穿孔裝置，其中該第一電極與該第二電極之間之有效工作電壓可以降低至12V以下，以減少電脈衝胞膜穿孔反應中，因為電能轉換所產生之熱能對細胞的破壞。
27.一種電泳預濃縮式電脈衝胞膜穿孔基因轉殖晶片，至少包括：一基材；至少具有一表面；一殼體結構，與該該平滑表面結合，藉以定義出一第一區以及一第二區，其中該第一區與該第二區相互連通；一第一電極，位於該基材之上；一第二電極，位於該基材之上，且與該第一電極之間至少具有一距離；以及一第三電極，位於該電泳電極區之內，具有大於該第一區之一半徑範圍。
28.如申請專利範圍第27項所述之電泳預濃縮式電脈衝胞膜穿孔基因轉殖晶片，其中該基材至少包括一玻璃基板。
29.如申請專利範圍第28項所述之電泳預濃縮式電脈衝胞膜穿孔基因轉殖晶片，其中該玻璃基板係一方形板材，具有76mm×26mm之一尺寸。
30.如申請專利範圍第27項所述之電泳預濃縮式電脈衝胞膜穿孔基因轉殖晶片，其中該殼體結構至少包括一中空結構，其外型係選自於由圓柱體、四方體、以及多邊柱狀體所組成之一群。
31.如申請專利範圍第30項所述之電泳預濃縮式電脈衝胞膜穿孔基因轉殖晶片，其中該殼體結構係尺寸為15mm×15mm×2mm之一四方體形中空結構。
32.如申請專利範圍第31項所述之電泳預濃縮式電脈衝胞膜穿孔基因轉殖晶片，其中該四方體形中空結構之中空部分與該基板所定義之空間，係選自於由圓柱體、四方體、以及多邊柱狀體所組成之一群。
33.如申請專利範圍第32項所述之電泳預濃縮式電脈衝胞膜穿孔基因轉殖晶片，其中該方形中空結構之中空部分，係一圓柱型空間，具有小於2mm之一半徑，以及小於2mm之一深度。
34.如申請專利範圍第27項所述之電泳預濃縮式電脈衝胞膜穿孔基因轉殖晶片，其中該殼狀結構之材質至少包括聚二甲基矽氧烷。
35.如申請專利範圍第27項所述之電泳預濃縮式電脈衝胞膜穿孔基因轉殖晶片，其中該第一區，可容納細胞培養時所需的培養基，可作為細胞培養區以及電脈衝胞膜穿孔反應區。
36.如申請專利範圍第27項所述之電泳預濃縮式電脈衝胞膜穿孔基因轉殖晶片，其中該第二區至少包括一凹室位於該第一區之側壁外側。
37.如申請專利範圍第27項所述之電泳預濃縮式電脈衝胞膜穿孔基因轉殖晶片，其中該第一電極、該第二電極以及該第三電極係由同一製程所同時形成之一電路圖。
38.如申請專利範圍第37項所述之電泳預濃縮式電脈衝胞膜穿孔基因轉殖晶片，其中該第一電極、該第二電極以及該第三電極係形成於該基材之該表面。
39.如申請專利範圍第38項所述之電泳預濃縮式電脈衝胞膜穿孔基因轉殖晶片，其中該第一電極、該第二電極、以及該第三電極係由沉積於該基材上之至少一金屬層所構成，其中該至少一金屬層係選自於由金、銀、鈦、鋁、銅、以及上述組合組成之一群。
40.如申請專利範圍第39項所述之電泳預濃縮式電脈衝胞膜穿孔基因轉殖晶片，其中該至少一金屬層至少包括一鈦金屬層一以及金(Au)質層。
41.如申請專利範圍第40項所述之電泳預濃縮式電脈衝胞膜穿孔基因轉殖晶片，其中該鈦金屬層係一黏著層位於該基材與該金質層之間。
42.如申請專利範圍第37項所述之電泳預濃縮式電脈衝胞膜穿孔基因轉殖晶片，其中該第一電以及該第二電極係一指叉狀結構，彼此共平面交互排列之，但彼此不相連，接其中該指叉狀結構至少包括小於60μm之一線寬。
43.如申請專利範圍第37項所述之電泳預濃縮式電脈衝胞膜穿孔基因轉殖晶片，其中該第一電極與該第二電極之間的該距離至少小於3mm。
44.如申請專利範圍第37項所述之電泳預濃縮式電脈衝胞膜穿孔基因轉殖晶片，其中該第三電極至少包括一環形電極，環抱該第一電極與該第二電極。
45.如申請專利範圍第44項所述之電泳預濃縮式電脈衝胞膜穿孔基因轉殖晶片，其中該第三電極至少包括大於3mm小於5mm之一半徑。
46.一種電泳預濃縮式電脈衝胞膜穿孔方法，至少包括：提供一細胞；提供一培養基，可提供細胞所需的養分；提供一帶電荷分子，包含於該培養基之中；提供一第一電場，位於該培養基之中，使位於該細胞之細胞膜上之微小孔洞張開，該帶電荷分子傳遞進入該細胞之中；以及提供一第二電場，包圍於該第一電場之外，藉以在該第一電場形成之前或形成之間提供一個濃縮該帶電荷分子的電場力。

八、	圖式：
	第1圖第2圖第3圖第4圖

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