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217_089-008AP-TW

發佈日期 : 2009-04-29
　　 　　發明專利說明書
﹝本說明書格式，順序及粗體字，請勿任意更動，※號部份請勿填寫﹞
　 ※申請案號： 090119554
　 ※申請日期： 20010809
※ＩＰＣ分類： Int.Cl.(7) H01L 31/0248

 

一、發明名稱： (中文/英文)
　
氮化鎵金屬-半導體-金屬型紫外光感測器之結構及其製造方法(全文下載)

 
二、申請人： 共 1 人

 
　 　 1 .
　姓名或名稱：(中文/英文)

 

　　 國立成功大學 / NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY

　代　表　人：(中文/英文)

 

　　 /

　住居所或營業所地址：(中文/英文)

 

　　 台南巿大學路一號 /

　國　　　　籍：(中文/英文)

 

　　 中華民國 / TW

 
三、發明人： 共 4 人

 
　 　 1 .
　姓名：(中文/英文)

 

　　 蘇炎坤 / SU, YAN-KUEN

　國　　　籍：(中文/英文)

 

　　 中華民國 / TW

 

　 2 .
　姓名：(中文/英文)

 

　　 陳進祥 / CHEN, JIN-SHIANG

　國　　　籍：(中文/英文)

 

　　 中華民國 / TW

 

　 3 .
　姓名：(中文/英文)

 

　　 張守進 / JANG, SHOU-JIN

　國　　　籍：(中文/英文)

 

　　 中華民國 / TW

 

　 4 .
　姓名：(中文/英文)

 

　　 許進恭 / SHIU, JIN-GUNG

　國　　　籍：(中文/英文)

 

　　 中華民國 / TW

 

 

 

四、聲明事項
　 □主張專利法第二十二條第二項 □ 第一款或 □ 第二款規定之事實，其事實發生日期為：年　月　日

 

□申請前已向下列國家(地區)申請專利:

 

　【格式請依:受理國家(地區)、申請日、申請案號、 順序註記】

 
　 　□ 有主張專利法第二十七條第一項國際優先權：

 


　□無主張專利法第二十七條第一項國際優先權：
　 □ 主張專利法第二十九條第一項國內優先權：

 

　【格式請依:申請日、申請案號、順序註記】

 
　
□ 主張專利法第三十條生物材料：

 

　□ 須寄存生物材料者：

 

　　　國內生物材料【格式請依:寄存機構、日期、號碼、順序註記】

　　　國外生物材料【格式請依:寄存國家、機構、日期、號碼、順序註記】
　
　　□ 不須寄存生物材料者:

　　 　所屬技術領域中具有通常知識者易於獲得時，不須寄存。

 

五、中文發明摘要：
　 一種氮化鎵金屬-半導體-金屬型紫外光感測器之結構及其製造方法，係以銦錫氧化物(ITO)作為透明電極，具有容易製造、高增益、高靈敏、高響應速度等特性。並且，製造過程中可和場效電晶體互相配合，將光感測器與放大電路置於同一基板上，而達成所謂光電積體電路(OEIC)的整合。本發明係利用銦錫氧化物做為紫外光感測器中的透明導電層，使透光度紫外波段可達98%，故可取代原本使用的不透光金屬層，而使用在具有高響應特性的指叉狀金屬-半導體-金屬(Metal-Semiconductor-Metal；MSM)紫外光感測器之中。
　
六、英文發明摘要：
　  
　
七、指定代表圖：
　（一）本案指定代表圖為：
　（二）本代表圖之元件符號簡單說明：

 
　  
　
　
八、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學式：
　  
　
九、發明說明：
　 發明領域：
本發明係有關於氮化鎵金屬-半導體-金屬型紫外光感測器，特別是有關於以銦錫氧化物(ITO)作為透明電極的氮化鎵金屬-半導體-金屬型紫外光感測器。
發明背景：
紫外光檢測器可以用在太空通訊(SpaceCommunication)、臭氧層的破裂偵測(Ozone LayerMonitoring)與紫外線指數檢測、火焰的監測(FrameDetection)、以及農藥檢測儀器等，其功用與目的分別在下列敘述。在太空通訊方面，由於紫外光的波長較短所以能量較高，在過程中損失較少，適合做為衛星之間的通訊方式，所以研發紫外光檢測器有利於發展太空通訊。在臭氧層的破裂偵測與監測紫外線指數方面，紫外線的增加會造成許多人體健康的傷害，如曬傷、皮膚癌、白內障及其它眼球疾病與免疫系統的受損。而目前臭氧層不斷的破裂，所以必須時時偵測監控臭氧層破裂的情況，並告知民眾何處的紫外線有多少，以避免民眾暴露在大量的紫外光下而造成身體的傷害。在火焰偵測方面，當飛彈飛起時，透過紫外光檢測器，偵測地面對天空、天空對天空及地面對地面的威脅而能預先獲得警訊，進而利用飛彈防衛系統攔截敵方之飛彈。另外，在農業檢測儀器方面，因為一般農藥的檢測波長約在200nm~400nm之間，高效能液相層析儀最常使用的檢測器為紫外光檢測器(UV Detector)。
習知的紫外光檢測器是以矽(silicon)為主的元件，然而，由於矽半導體本身材料的能隙為1.12eV，而針對檢測紫外光輻射而言，使用材料之能隙須大於相對應紫外光光子能量的能隙值，約為3.18eV，因此，當使用矽作為紫外光檢測器材料以偵測到紫外光輻射時，也會同時檢測到可見光甚至遠紅外光的信號反應。理想的紫外光檢測器對於可見光及遠紅外光的信號應該極不靈敏，也就是所謂的太陽光盲目(Solar-Blind)或者是可見光盲目(Visible-Blind)檢測器，所以使用矽作為紫外光檢測器材料顯然並不恰當。
因此，發展出以寬能隙材料做為紫外光檢測器元件。寬能隙材料對於紫外光以外等其他波長的光線幾乎是完全穿透而不吸收的，其中又以氮化鎵(GaN)材料之能隙為3.4eV，最適合作為紫外光檢測器。氮化鎵材料早在1970年代即開始被研究，但直到1990年左右，才因緩衝層的引入，使得磊晶的品質大大提高，而隨著有機金屬氣相沈積法(MOCVD)逐漸成熟，成長高品質氮化鎵及其相關化合物並非難事。
以氮化鎵材料為主體的各種形式紫外光感測器，目前全世界已經正在逐步研究中，例如正負接面二極體(P-NJunction Diode)、正-本-負二極體(P-I-N Diode)、蕭特基能障感測器(Schottky Barrier Detector)及金屬-半導體-金屬型光感測器，其中以金屬-半導體-金屬型光感測器最具有研發潛力，因為它具有較小的本質電容阻抗、容易製作、低成本、高增益、高靈敏度及高響應速度等特性，而且製作過程可和場效電晶體互相配合，而把光感測器與放大電路作在同一塊基板上，而達成所謂光電積體電路的目標。
發明目的及概述：
目前以氮化鎵材料為主體的金屬-半導體-金屬型紫外光感測器均是以不透光金屬例如鎳(Ni)、金(Au)、鈀(Pd)、鉑(Pt)等等來當作指叉狀電極部分，這樣將使得大部分入射光會被金屬電極反射，而使得光感測效率降低而無法達到所需要的高響應特性;另一方面，有人採取從基板背面照光以避免光被基板正面之金屬電極反射的情況，但這個方法從製程觀點來著墨是非常不恰當的，會產生一些問題，例如製作感測器元件的圖樣所需的光學微影製程無法配合這種背面照射製程，會增加元件製程的步驟與困難度，成本偏高，而且元件的封裝製程部分也有相當的困難度。
鑒於上述之習知技術之缺點，因此，本發明提供一種氮化鎵金屬-半導體-金屬之結構及其製造方法，在不破壞原有製程和封裝步驟且不增加成本的前提之下，使用銦錫氧化物之透明電極材料來取代原有的指叉狀不透光金屬。本發明利用銦錫氧化物之透明電極材料來取代原有的指叉狀不透光金屬之金屬-半導體-金屬型紫外光感測器結構及其製造方法，可使入射光不受電極阻擋而直接射入半導體薄膜中，能有效提昇感測器的響應特性，並能增加響應速度。
本發明氮化鎵金屬-半導體-金屬型紫外光感測器之製造方法，包含：依序形成半導體薄膜、銦錫氧化物之透明導電層於基板上。接著，進行回火步驟。隨後，形成金屬連線區於銦錫氧化物之透明導電層上。
本發明氮化鎵金屬-半導體-金屬型紫外光感測器之製造方法中，上述之基板可為氧化鋁基板，而半導體薄膜可選由氮化鎵、氮化鋁鎵或氮化鋁銦鎵等n或P型之Ⅲ-V族化合物所構成，且銦錫氧化物之透明導電層可由銦氧化物與錫氧化物之混合物所構成，而金屬接線區係由選自於鉻金合金、鉻之合金與金之合金所組成之一族群所構成。
另外，形成半導體薄膜之步驟係利用低壓有機金屬氣相磊晶方法，而形成銦錫氧化物之透明導電層之步驟可利用電子束蒸鍍法，於溫度約300℃之環境下，通入氧氣做為反應氣體，以形成厚度約為1000的銦錫氧化物之透明導電層。除了電子束蒸鍍法外，也可利用真空蒸著法以形成銦錫氧化物之透明導電層。上述的銦錫氧化物之透明導電層可為指叉狀或蚊香狀電極或者是其它形式，端視使用者需要而定。而上述的回火步驟係例如在氮氣環境之下，且溫度約300℃至600℃之間，進行回火約5分鐘至20分鐘。其中，較佳的回火步驟為溫度約為600℃，且進行回火約15分鐘。
本發明氮化鎵金屬-半導體-金屬型紫外光感測器之結構，係具有高響應特性，其結構包含：一基板，與依序位於基板上的半導體薄膜、銦錫氧化物之透明導電層、以及金屬銲墊。
本發明氮化鎵金屬-半導體-金屬型紫外光感測器之結構中，上述之基板可為藍寶石基板，而半導體薄膜可為氮化鎵、氮化鋁鎵或氮化鋁銦鎵等n或p型之Ⅲ-Ⅴ族化合物。另外，上述之銦錫氧化物之透明導電層可為指叉狀或蚊香狀電極，而金屬銲墊可為鉻金合金、鉻之合金與金之合金所構成。
而透過一系列以銦錫氧化物為透明導電層的指叉狀金屬-半導體-金屬型紫外光感測器之研製，我們發明了具有最大光電流（約0.12A）、光電流與暗電流感測範圍差高達5個數量級（即105倍）以及在入射光波長為345nm、反向偏壓為5V及0.5V以下，其光響應度(responsivity)分別可達到7.2A/W及0.9A∕W，這是以往傳統使用一般不透光金屬作為接觸(contact)所無法比擬的。
圖式簡單說明
本發明的較佳實施例將於往後之說明文字中輔以下列圖形做更詳細的闡述，其中：
第1圖所繪示為氮化鎵金屬-半導體-金屬型紫外光感測器之指叉型電極圖案示意圖；
第2圖所繪示為氮化鎵金屬-半導體-金屬型紫外光感測器之蚊香型電極圖案示意圖；
第3圖所繪示為本發明具有銦錫氧化物透明電極金屬之指叉型氮化鎵金屬-半導體-金屬型紫外光感測器之元件結構示意圖；
第4圖所繪示為將銦錫氧化物薄膜鍍在康寧玻璃上，經不同溫度回火之光穿透特性曲線圖；
第5a圖所繪示為本發明具有銦錫氧化物透明電極之氮化鎵半導體，經不同溫度回火之順向偏壓之電流電壓特性曲線圖；
第5b圖所繪示為將銦錫氧化物薄膜鍍在氮化鎵半導體上，經不同溫度回火之逆向偏壓之電流電壓特性曲線圖；
第6圖所繪示為本發明將銦錫氧化物透明電極經400℃及600℃回火處理後，應用於指叉型氮化鎵金屬-半導體-金屬型紫外光感測器之光電流響應及暗電流之電流電壓曲線圖；以及
第7圖所繪示為在不同反向偏壓下，本發明具有銦錫氧化物透明導電膜之氮化鎵金屬-半導體-金屬型紫外光感測器之光頻譜響應圖。
主要元件符號說明
10．．．藍寶石基板
12．．．氮化鎵緩衝層
13．．．氮化鎵層
14．．．銦錫氧化物之透明電極
16．．．銲墊
發明詳細說明：
目前以氮化鎵材料為主體的金屬-半導體-金屬型紫外光感測器均是以不透光金屬例如鎳(Ni)、金(Au)、鈀(Pd)、鉑(Pt)等等來當作指叉狀電極部分，使得大部分入射光會被金屬電極反射，而造成光感測效率降低，無法達到所需要的高響應特性。然而，另一種從基板背面照光以避免光被基板正面之金屬電極反射的改良方式會產生一些製程方面的問題，例如，製作感測器元件的圖樣所需的光學微影製程無法配合這種背面照射製程，而增加元件製程的步驟與困難度，並且成本偏高，在元件的封裝製程部分也有相當的困難度。
因此，本發明提供一種利用銦錫氧化物的透明電極材料來取代原有的指叉狀不透光金屬之金屬-半導體-金屬型紫外光感測器結構及其製造方法，可使入射光不受電極阻擋而直接射入半導體薄膜中，能有效提昇感測器的響應特性，並能增加響應速度。指叉狀金屬-半導體-金屬感測器具有容易製造、高增益、高靈敏度、高響應速度等特性，且可適用於光電積體電路的整合部分，本發明的銦錫氧化物透明導電層薄膜，其透光度在紫外波段可達98%，故可用在高響應特性的金屬-半導體-金屬型紫外光感測器，以取代原本使用的不透光金屬層。
本發明氮化鎵金屬-半導體-金屬型紫外光感測器之結構及其製造方法分別說明如下：本發明氮化鎵金屬-半導體-金屬型紫外光感測器之製造方法包括：首先，使用例如有機金屬化學氣相沈積技術在例如氧化鋁基板上成長低溫氮化鎵薄膜作為緩衝層，此低溫氮化鎵薄膜厚度約為300。接著，再沈積一層厚度約為2μm的高溫n型氮化鎵半導體薄膜，在本發明之實施例中，經過霍爾量測後可得知此高溫n型氮化鎵半導體薄膜之濃度為1×10 17 /cm 3 ，霍爾移動率為210cm 2 /V-sec。其中，上述之氧化鋁基板即為藍寶石基板，另外，上述之氮化鎵薄膜可由n型或p型之Ⅲ-V族化合物，如氮化鎵、氮化鋁鎵或氮化鋁鎵銦或其他材質所構成。
隨後再於氮化鎵薄膜上，以不同的成長方法，例如真空蒸著法、電子束蒸鍍法、離子濺鍍法等，改變不同成長條件，例如成長溫度、成長壓力、成長速率等，鍍上一層銦錫氧化物的透明導電層。本發明的較佳實施例中，根據光學反射穿透計算，利用電子束蒸鍍法在成長壓力約1×10 -3 Torr、成長溫度約300℃，長成厚度約1000的銦錫氧化物之透明導電膜為較佳，藉此可獲得較良好的穿透光學特性。
接著，形成光阻層於銦錫氧化物薄膜上，並利用曝光技術，將光感測器元件圖樣，例如第1圖所示之指叉型圖案，轉移到光阻之上。第1圖所繪示為氮化鎵金屬-半導體-金屬型紫外光感測器之指叉型電極圖案示意圖，其中，指叉狀結構之指長約為100μm，兩指間隙約為2μm。另一種電極圖案如第2圖所示，第2圖所繪示為氮化鎵金屬-半導體-金屬型紫外光感測器之蚊香型電極圖案示意圖。接著，再以例如濕式或乾式蝕刻法，去除圖形外多餘的銦錫氧化物薄膜，以完成感測器主體結構。隨後，將置入氧化爐管中，經過不同的溫度及時間之回火以除去缺陷，以獲得最佳的光穿透特性及導電特性。另外，值得注意的是本發明之電極圖案並非限定於指叉型或蚊香型，本發明之電極圖案也可是任何其他形式，端視使用者需要而定，本發明不限於此。
上述本發明氮化鎵金屬-半導體-金屬型紫外光感測器之製造方法中，所使用之光阻劑係為可抗酸性溶液或乾式電漿離子的腐蝕，其使用方法可和熟悉此技藝者所知之光學微影技術互相配合。另外，後續去除多餘銦錫氧化物所使用的蝕刻方法可為濕式蝕刻及乾式蝕刻。其中，濕式蝕刻法可使用例如氯化氫(HCl)溶液作為蝕刻液，而乾式蝕刻法可使用活性離子蝕刻(RIE)、電子迴旋共振蝕刻(ECR)、感應耦合式電漿蝕刻(ICP)等，操作者可視製程與產品需要而加以應用，本發明不限於此。
之後，在銦錫氧化物薄膜上蒸鍍上接線區金屬之銲墊，如鉻金合金，以作為金屬連線之用，如第3圖所示，具結構可例如由上而下為：銲墊／16銦錫氧化物之透明電極14／氮化鎵層13／氮化鎵緩衝層12／藍寶石基板10。其中，上述做為金屬連線區之銲墊16除了可使用鉻金合金外，還可使用例如鉻之合金、金之合金或其混合物或者是其它材質，本發明不限於此。
在本發明較佳實施例中，係利用上述之製造方法，將此銦錫氧化物薄膜鍍在例如康寧玻璃（本發明亦可應用於其它玻璃）上，以利用光學穿透儀量測銦錫氧化物薄膜本身的光學穿透頻譜特性，其結果如第4圖所示。第4圖所繪示為將銦錫氧化物薄膜鍍在康寧玻璃上，經不同溫度回火之光穿透特性曲線圖，請參照第4圖，其中，當光波長為390nm時，在沒有回火過程、400℃回火過程或500℃回火過程，可獲得85%穿透率，但是，經過600℃回火過程的銦錫氧化物薄膜卻可以獲得高達98%的高穿透率。不但如此，此具有98%高穿透率之銦錫氧化物薄膜的低光損耗度(Responsivity)分別可達到7.2A/W及0.9A/W，這是習知使用一般不透光金屬作為接觸所無法比擬的。
接著，再利用上述之製造方法，在本發明銦錫氧化物導電物質之上，以光學顯影技術做成蕭特基接觸以量測銦錫氧化物薄膜的電特性參數，如第5a圖及第5b圖所示。第5a圖所繪示為本發明具有銦錫氧化物透明電極之氮化鎵半導體，經不同溫度回火之順向偏壓之電流電壓特性曲線圖，而第5b圖所繪示為將銦錫氧化物薄膜鍍在氮化鎵半導體上，經不同溫度回火之逆向偏壓之電流電壓特性曲線圖。利用第5a圖及第5b圖經過分析計算後可知，銦錫氧化物薄膜400℃、500℃及600℃回火後的蕭特基接觸能障值分別為0.68eV、0.88eV及0.98eV。因此綜合以上所知，經過600℃回火的銦錫氧化物薄膜，其光學特性及電氣特性均為較佳。
另外，將本發明具有銦錫氧化物導電薄膜之氮化鎵金屬-半導體-金屬紫外線感測器，經光照射前及照射後量測其暗電流和光電流，以得知回火溫度對本發明之重要性，，係利用400℃及600℃回火溫度做為數據對照，如第6圖所示。其中，在暗電流部分，600℃回火比400℃回火具有更小的暗電流，這意味著本元件使用600℃回火將較不受雜訊之干擾。另外，在光電流部分，600℃回火較400℃回火具有更大的光電流，這顯示出600℃回火可以使感測器具有更大的光靈敏度及光增益，其中600℃回火之光電流已高達0.12A，而再從光感測器的感測範圍來看，所謂感測範圍即指光電流和暗電流之差別，600℃回火更可高達5個數量級的感測範圍，亦即光電流與暗電流相差達105倍。
最後，量測本發明感測器之光響應度對於入射光的波長之影響，如第7圖所示。第7圖所繪示為在不同反向偏壓下，本發明具有銦錫氧化物透明導電膜之氮化鎵金屬-半導體-金屬型紫外光感測器之光頻譜響應圖，其中，在351nm附近具有一個截止頻率，可以完成所謂的可見光盲目之目標，並藉著5V及0.5V不同偏壓之下，分別可以獲得7.2A∕W及0.9A∕W，其中7.2A∕W已經是氮化鎵系列UV感測器之中最高的響應度。
透過一系列以銦錫氧化物為透明導電層的指叉狀金屬-半導體-金屬型紫外光感測器之研製，本發明之感測器具有最大光電流（約0.12A）、光電流與暗電流感測範圍差高達5個數量級（即105倍）以及在入射光波長為345nm、反向偏壓為5V及0.5V以下，其光響應度分別可達到7.2A∕W及0.9A/W，這些優點係為習知使用一般不透光金屬作為接觸之感測器所無法比擬的。
如熟悉此技術之人員所瞭解的，以上所述僅為本發明之較佳實施例而已，並非用以限定本發明之申請專利範圍；凡其它未脫離本發明所揭示之精神下所完成之等效改變或修飾，均應包含在下述之申請專利範圍內。

 
　
十、申請專利範圍：
　 　　 1.一種氮化鎵金屬-半導體-金屬型紫外光感測器之製造方法，至少包含：提供一基板；形成一半導體薄膜在該基板上；形成一銦錫氧化物之透明導電層於該半導體薄膜上；進行一回火步驟；以及形成一金屬連線區於該銦錫氧化物之透明導電層。
　　 2.如申請專利範圍第1項所述之氮化鎵金屬-半導體-金屬型紫外光感測器之製造方法，其中上述之基板係為氧化鋁基板。
　　 3.如申請專利範圍第1項所述之氮化鎵金屬-半導體-金屬型紫外光感測器之製造方法，其中上述之半導體薄膜係選自於由氮化鎵、氮化鋁鎵或氮化鋁銦鎵等n或p型之III-V族化合物所構成。
　　 4.如申請專利範圍第1項所述之氮化鎵金屬-半導體-金屬型紫外光感測器之製造方法，其中上述之形成該半導體薄膜之步驟係利用低壓有機金屬氣相磊晶方法。
　　 5.如申請專利範圍第1項所述之氮化鎵金屬-半導體-金屬型紫外光感測器之製造方法，其中上述之銦錫氧化物之透明導電層係由銦氧化物與錫氧化物之混合物所構成。
　　 6.如申請專利範圍第1項所述之氮化鎵金屬-半導體-金屬型紫外光感測器之製造方法，其中上述之形成銦錫氧化物之透明導電層之步驟係利用電子束蒸鍍法。
　　 7.如申請專利範圍第6項所述之氮化鎵金屬-半導體-金屬型紫外光感測器之製造方法，其中上述之形成銦錫氧化物之透明導電層之步驟係於溫度約300℃之環境中進行，並通入一氧氣做為一反應氣體。
　　 8.如申請專利範圍第7項所述之氮化鎵金屬-半導體-金屬型紫外光感測器之製造方法，其中上述之形成銦錫氧化物之透明導電層之厚度約為1000。
　　 9.如申請專利範圍第1項所述之氮化鎵金屬-半導體-金屬型紫外光感測器之製造方法，其中上述之形成銦錫氧化物之透明導電層之步驟係利用真空蒸著法。
　　 10.如申請專利範圍第1項所述之氮化鎵金屬-半導體-金屬型紫外光感測器之製造方法，其中上述之銦錫氧化物之透明導電層係為一指叉狀電極。
　　 11.如申請專利範圍第1項所述之氮化鎵金屬-半導體-金屬型紫外光感測器之製造方法，其中上述之銦錫氧化物之透明導電層係為一蚊香狀電極。
　　 12.如申請專利範圍第1項所述之氮化鎵金屬-半導體-金屬型紫外光感測器之製造方法，其中上述之回火步驟係在一氮氣環境之下，溫度約低於600℃，進行回火約15分鐘。
　　 13.如申請專利範圍第1項所述之氮化鎵金屬-半導體-金屬型紫外光感測器之製造方法，其中上述之回火步驟係在一氮氣環境之下，溫度約300℃至600℃之間，進行回火約5分鐘至20分鐘。
　　 14.如申請專利範圍第1項所述之氮化鎵金屬-半導體-金屬型紫外光感測器之製造方法，其中上述之金屬連線區係由選自於鉻金合金、鉻之合金與金之合金所組成之一族群所構成。
　　 15.一種氮化鎵金屬-半導體-金屬型紫外光感測器之結構，係具有高響應特性，該氮化鎵金屬-半導體-金屬型紫外光感測器之結構至少包含：一基板；一半導體薄膜位於該基板上；一銦錫氧化物之透明導電層位於該半導體薄膜上；以及一金屬銲墊位於該銦錫氧化物之透明導電層上。
　　 16.如申請專利範圍第15項所述之氮化鎵金屬-半導體-金屬型紫外光感測器之結構，其中上述之基板係為藍寶石基板。
　　 17.如申請專利範圍第15項所述之氮化鎵金屬-半導體-金屬型紫外光感測器之結構，其中上述之半導體薄膜係選自於由氮化鎵、氮化鋁鎵或氮化鋁銦鎵等n或p型之III-V族化合物所構成。
　　 18.如申請專利範圍第15項所述之氮化鎵金屬-半導體-金屬型紫外光感測器之結構，其中上述之銦錫氧化物之透明導電層係為一指叉狀電極。
　　 19.如申請專利範圍第15項所述之氮化鎵金屬-半導體-金屬型紫外光感測器之結構，其中上述之銦錫氧化物之透明導電層係為一蚊香狀電極。
　　 20.如申請專利範圍第15項所述之氮化鎵金屬-半導體-金屬型紫外光感測器之結構，其中上述之金屬銲墊係由選自於鉻金合金、鉻之合金與金之合金所組成之一族群所構成。
　
十一、圖式：
　  
　






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