066_093-060DP-TW

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066_093-060DP-TW

發佈日期 : 2009-04-29

發明專利說明書


※申請案號：093125913	※I P C 分類：

一、	發明名稱：
	微奈米壓印技術之機版的前處理製成(全文下載)
	PRETREATMENT PROCESS OF SUBSTRATE IN MICRO-NANO IMPRINTING TECHNOLOGY

二、

中文發明摘要：

一種微奈米壓印技術之基板的前處理製程，至少包括將基板置入反應室中、以及對基板進行電漿或離子處理。在進行基板之電漿處理時，先於反應室中通入反應氣體，再利用此反應氣體形成電漿，以使電漿與基板產生物理反應以及化學反應，來去除吸附於基板表面上之微粒和污染物，並活化基板表面。在進行基板離子處理時，於反應室中置入離子源，再利用離子源產生的離子或中性原子撞擊基板，與基板產生物理反應以及化學反應，來去除吸附於基板表面上之微粒和污染物，並活化基板表面。

三、

英文發明摘要：

A pretreatment process of a substrate in a micro-nano imprinting technology is disclosed, comprising depositing the substrate within a chamber and performing a plasma treatment or an ion treatment on the substrate. In the plasma treatment of the substrate, a reactive gas is first injected into the chamber, and forming a plasma by using the reactive gas, such that the plasma causes a physical reaction and a chemical reaction on the substrate, thereby removing particles and contaminants adhering to a surface of the substrate and activating the surface of the substrate. When the ion treatment is performed on the substrate, an ion source is placed into the chamber, and ions and neutral atoms generated by the ion source are used to bombard the substrate, so that the ions and the neutral atoms causes a physical reaction and a chemical reaction on the substrate, thereby removing particles and contaminants adhering to a surface of the substrate and activating the surface of the substrate.

四、	指定代表圖：
	(一)本案指定代表圖為：第2圖
	(二)本代表圖之元件符號簡單說明：
	100．．．基板
	102．．．電漿

五、	本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學式：

六、	發明說明：
	【發明所屬之技術領域】
[n]	本發明是有關於一種微奈米壓印技術之基板的前處理製程，且特別是有關於一種在微奈米壓印前，利用電漿對基板進行表面處理之製程。
	【先前技術】
[n]	光學微影技術(Optical Lithography)在半導體製程中扮演了極為重要的角色。隨著電子元件不斷地小型化，所採用之曝光波長也逐次遞減。受限於光之特性，以及對於高能輻射的需求，於是為了達到奈米級之圖案尺寸，在微影製程之製程設備及技術上遠較微米製程更為複雜且更加精密。如此，不僅導致設備成本昂貴及技術風險高等缺點，在不久的將來，更會面臨到光學成像技術的瓶頸。在現今之半導體技術中，微影及蝕刻製程中，昂貴的光罩及設備成本，已成為半導體導入50奈米級的障礙之一。
[n]	奈米壓印微影(Nanoimprinting Lithography)為一種新的奈米級製程技術，可製備小至10nm，甚至更小之圖案尺寸。印刷(Printing)技術只要製作一個印刷鑄模 (Mold)，即可重複進行快速且多次的印刷或圖案轉移，相當方便及簡易。其次，印刷屬一種加成製程，因此可大幅縮減材料的浪費。此外，印刷亦可運用在大面積圖案的製作上，而可大大地降低生產成本。因此，在微小化圖案製備技術中，印刷及壓印技術已廣泛應用在圖案製備及元件製作上。
[n]	在印刷及轉印的技術中，微接觸印刷(Micro Contact Printing)及微奈米壓印為應用較為廣泛的技術。這兩種圖案化技術均非傳統式曝光顯影製程技術，且具有低成本、高產能。
[n]	目前，已知在一般製程中，在一基板上進行元件之製作時，會先對基板進行乙醇或丙酮水溶液的超音波洗淨步驟，藉以去除附著於基板表面上的油污及微粒。此一乙醇或丙酮水溶液的超音波洗淨步驟除了耗時，且會有溶劑揮發或殘留而造成回收處理的困擾外，對於去除表面污染的程度有限，且更不具有使基板表面改質以提高阻劑對基板之附著力的能力。
	【發明內容】
[n]	因此，本發明之目的就是在提供一種微奈米壓印技術之基板的前處理製程，用以在微奈米壓印進行前，先利用電漿或離子清潔基板之表面，而運用電漿之例如離子轟擊(Ion Bombardment)等物理方式，來去除附著於基板表面上之微粒或物理吸附分子。如此一來，可大幅提高阻劑塗佈之均勻度。
[n]	本發明之另一目的是在提供一種微奈米壓印技術之基板的前處理製程，係在微奈米壓印進行前，利用離子或電漿之例如化學鍵結反應等化學方式對基板表面進行改質製程，以使基板表面上之斷鍵接上特定化學官能基(Chemical Functional Groups)。因此，可提高阻劑與基板之間的附著力，進而可大幅度地提升壓印製程的良率。
[n]	根據本發明之上述目的，提出一種微奈米壓印技術之基板的前處理製程，至少包括：將基板置入一反應室中；以及對上述基板進行一電漿或離子處理，其中此電漿或離子處理至少包括：通入一反應氣體於反應室中；以及利用反應氣體形成一電漿或離子源，以使電漿或離子與基板產生物理反應以及化學反應。
[n]	依照本發明一較佳實施例，上述電漿處理時之反應壓力介於約10^-6torr 至1500torr之間，且基板係位於反應室之電漿電極上，而施加於電漿電極之電源的頻率從直流電到射頻(Radiofrequency,~MHz)，甚至到微波(Microwave,~GHz)以上。此外，反應氣體較佳是至少包括惰性氣體以及活性氣體，其中惰性氣體可為氬氣、氦氣、氖氣或上述氣體之混合，而活性氣體可為氧氣、氮氣、水氣、碳氫氧氟化合物、矽化合物或上述氣體之混合。
[n]	在微奈米壓印製程進行前，利用電漿或離子對壓印基板進行表面處理，可大幅提高壓印基板之表面的清潔度，並可藉由電漿來活化基板表面，並使基板表面產生官能基，而可提升壓印基板與阻劑之間的附著力。因此，除了可減少阻劑塗佈時附著不好產生的氣泡，更可達到大幅提高微奈米壓印製程之良率的目的。
	【實施方式】
[n]	本發明揭露一種微奈米壓印技術之基板的前處理製程，係在微奈米壓印進行之前，先利用電漿或離子對基板表面進行清潔與改質製程，而可清除附著於基板表面上之油污及微小之固體顆粒污染物。如此一來，可提高基板與所塗佈阻劑的平坦度與均勻性，並可提升阻劑與基板的附著力，進而達到大幅提升壓印製程之良率以及奈米圖案之準確度的目的。為了使本發明之敘述更加詳盡與完備，可參照下列描述並配合第1圖至第4圖之圖示。
[n]	微奈米壓印製程，泛指涉及微奈米級尺度圖案之轉移的印刷製程，包括常見的微熱壓成型(Hot Embossing)、微觸印刷(Micro Contact Printing)、以及步進快閃式壓印微影(Step-and-flash Imprinting Lithography)等技術。微奈米壓印成像技術，主要包括前段的印刷鑄模製作，以及後段的微奈米成型技術。首先，製作印刷鑄模，利用例如電子束投射成像或電子束直接寫在電子束光阻劑上，再經蝕刻步驟後，而得到具有微奈米圖案之印刷鑄模。接著，進行微奈米圖案壓印成型的程序，利用所製作之微奈米印刷鑄模直接壓印成型至基板上之阻劑上，而得到微奈米圖案。
[n]	請參照第1圖至第4圖，第1圖至第4圖係繪示依照本發明一較佳實施例的一種微奈米壓印之製程剖面圖。首先，提供基板100，其中此基板100之材質可例如為玻璃、矽基板、金屬、以及陶瓷類等硬式基板，或可為塑膠、矽膠、由單一金屬元素所構成之薄金屬片以及由多種金屬元素所構成之合金片等軟性可撓曲基板，或者亦可為前述材質之基板經過特殊之表面處理，例如於前述材質之基板上鍍上透明導電陶瓷材料等。上述基板100所使用之薄金屬片的材質可例如為銅以及鎳，而基板100所使用之合金片的材質可例如為鋼材。接下來，利用水流112及/或氣流114對此基板100進行沖洗步驟以及高速氣流噴刷步驟，以先將附著在基板表面上之大顆粒污染物予以去除，並預處理與清潔基板 100，如第1圖所示。其中，上述之液體沖洗步驟至少包括使用沖洗液體，此沖洗液體可包括純水、含化學物質水溶液、有機溶劑、有機溶液或上述溶液之組合。但是，對於原本就以薄膠片保護的基板而言，上述之沖洗步驟可以省略。
[n]	接著，請參照第2圖，將基板100送進電漿處理裝置或離子處理裝置之反應室(未繪示)內，以對基板100進行電漿處理或離子處理，此反應室較佳可為一真空系統。在電漿處理裝置中，此反應室至少包括電漿電極，且基板 100較佳是放置在反應室之電漿電極上。隨後，將電漿102之反應氣體通入反應室中，所導入之反應氣體可為電漿條件能均勻產生在基板100上並對基板 100進行電漿物理性轟擊的氣體，例如氬氣、氦氣以及氖氣等惰性氣體。反應氣體亦可為電漿條件能均勻產生在基板100上並對基板100進行電漿化學反應的氣體，例如氧氣、氮氣、水氣、碳氫氧氟化合物、矽化合物等具有活性的氣體分子。或者，反應氣體為上述之惰性氣體與具有活性之氣體依製程需求以預設比例混合而成。待反應氣體導入反應室後，對電漿電極施加電源，以使電漿102產生在基板100之表面上。在基板100之電漿處理時，電漿處理裝置之操作環境較佳是控制在真空壓力範圍內，較佳介於約10^-6torr至1500torr之間，以使電漿102能穩定產生在基板上。產生電漿102所使用之電源頻率由直流電到射頻(~MHz)，甚至到微波(~GHz)以上範圍皆可以使用。此外，電漿電極可例如為電容式或電感式。在本發明中，只要電漿 102能穩定產生在基板100上，電漿電極之結構及相關組件，例如磁場形式與大小，均無限制。
[n]	利用產生於基板100上之電漿102中的活性分子，包括離子與自由基等，對基板100表面進行物理反應，例如物理離子轟擊，以及化學反應，例如化學鍵結(Chemical Bonding)反應。電漿102對基板100所進行之物理反應，可將基板100表面上之固體細小微粒或物理吸附的分子予以清除，如此一來，可大大地提高基板100與後續所塗佈之阻劑104(請參見第3圖)的平坦度與均勻性。在電漿102對基板100所進行之化學反應中，電漿102除了會與基板100表面上之化學吸附進行反應，以形成小分子氣態化合物，而由基板100表面脫附外，更會對基板100表面進行改質製程。在電漿102對基板100表面之改質製程中，電漿102將裸露出來之基板100表面上的斷鍵接上特定化學官能基，例如-CO-、-CN-或-C-Si-等強化學鍵結，並於基板100表面上產生活性基座(Active Site)，如此一來，除了可去除掉基板100表面之油污，以提升阻劑104塗佈於基板100上之均勻度，更可提高阻劑104與基板100之間的附著力。因此，可達到大幅度提高壓印製程之良率的目的，尤其在奈米尺度範圍，對於基板100表面特性，例如粗糙度以及黏著性等的嚴格要求下，此一基板前處理之步驟對於壓印效果將有決定性的影響。
[n]	在本發明之另一較佳實施例中，係利用離子對基板100進行處理。對基板100進行離子處理時，於反應室中置入離子源，例如離子槍，再將離子之反應氣體通入反應室中並利用離子源而產生離子或中性原子來撞擊基板 100。其中，離子源所使用之反應氣體與氣體比例可與上述實施例所使用之電漿102反應氣體相同。離子源所產生之離子或中性原子與基板100產生物理反應以及化學反應，可去除吸附於基板100表面上之微粒和污染物，並活化基板100之表面。
[n]	完成基板100之電漿處理或離子處理後，利用例如旋轉塗佈的方式形成阻劑104覆蓋在基板100上，如第3圖所示。由於已利用電漿102或離子進行基板100表面之清潔與改質，因此阻劑104可均勻地形成於基板 100表面上，且阻劑104對基板100表面之附著例可獲得有效提升。
[n]	然後，提供壓印之鑄模106，此鑄模106之一表面具有圖案 108。接下來，先進行加熱步驟，以使製程溫度大於阻劑104之玻璃轉化溫度。再將壓印之鑄模106下壓於阻劑104上，以將鑄模106表面上之圖案 108轉印至阻劑104。隨後，進行降溫動作，而後再進行離形動作，以將鑄模106從阻劑104上移開。如此一來，即可在基板100上方之阻劑104上得到與鑄模106表面之圖案108互補之圖案110，如第4圖所示。
[n]	由上述本發明較佳實施例可知，本發明之一優點就是因為本發明在微奈米壓印進行前，先利用電漿或離子來進行壓印基板表面之處理。藉由電漿之離子與自由基等活性物種在基板表面上所進行之物理反應與化學反應，可有效去除附著於基板表面上之微粒、油污或物理吸附分子。因此，可達到大幅提升阻劑塗佈之均勻度的目的。
[n]	由上述本發明較佳實施例可知，本發明之又一優點就是因為本發明在微奈米壓印進行前，利用電漿或離子在基板表面上所進行之化學鍵結等化學反應，來對基板表面進行改質動作，而使基板表面上產生活性基及化學官能基。因此，有助於提升阻劑與基板的附著力，對於壓印製程之良率和奈米圖案之準確度有大幅提高的效果。
[n]	雖然本發明已以一較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
	【圖式簡單說明】
[n]	第1圖至第4圖係繪示依照本發明一較佳實施例的一種微奈米壓印之製程剖面圖。
	【主要元件符號說明】
[y]	100．．．基板
[y]	102．．．電漿
[y]	104．．．阻劑
[y]	106．．．鑄模
[y]	108．．．圖案
[y]	110．．．圖案
[y]	112．．．水流
[y]	114．．．氣流

七、

申請專利範圍：

1.一種微奈米壓印技術之基板的前處理製程，至少包括：將該基板置入一反應室中；以及對該基板進行一電漿處理，其中該電漿處理至少包括：通入一反應氣體於該反應室中；以及利用該反應氣體形成一電漿，以使該電漿與該基板產生一物理反應以及一化學反應。
2.如申請專利範圍第1項所述之微奈米壓印技術之基板的前處理製程，其中該基板為硬式基板。
3.如申請專利範圍第2項所述之微奈米壓印技術之基板的前處理製程，其中該基板之材質係選自於由玻璃、矽基板、金屬、以及陶瓷所組成之一族群。
4.如申請專利範圍第1項所述之微奈米壓印技術之基板的前處理製程，其中該基板為軟性可撓曲基板。
5.如申請專利範圍第4項所述之微奈米壓印技術之基板的前處理製程，其中該基板之材質係選自於由塑膠、以及矽膠所組成之一族群。
6.如申請專利範圍第4項所述之微奈米壓印技術之基板的前處理製程，其中該基板之材質係選自於由單一金屬元素所構成之一薄金屬片以及由複數個金屬元素所構成之一合金片所組成之一族群，且該薄金屬片之材質係選自於由銅以及鎳所組成之一族群，而該合金片之材質包括鋼材。
7.如申請專利範圍第1項所述之微奈米壓印技術之基板的前處理製程，其中該基板係選自於由表面鍍有透明導電陶瓷材料之玻璃、矽基板、金屬、陶瓷、塑膠、以及矽膠所組成之一族群。
8.如申請專利範圍第1項所述之微奈米壓印技術之基板的前處理製程，其中該電漿處理時之反應壓力介於約10^-6torr至1500torr之間。
9.如申請專利範圍第1項所述之微奈米壓印技術之基板的前處理製程，其中該反應室至少包括一電漿電極，且該電漿處理至少包括使用一電源施加在該電漿電極上，而該基板位於該電漿電極上。
10.如申請專利範圍第9項所述之微奈米壓印技術之基板的前處理製程，其中該電源之頻率從直流電(DC)到微波(Microwave,~GHz)以上。
11.如申請專利範圍第9項所述之微奈米壓印技術之基板的前處理製程，其中該電源之頻率從直流電到射頻(Raaiofrequency,~MHz)。
12.如申請專利範圍第1項所述之微奈米壓印技術之基板的前處理製程，其中該反應氣體至少包括一惰性氣體，且該惰性氣體係選自於由氬氣、氦氣、氖氣及其組合所組成之一族群。
13.如申請專利範圍第1項所述之微奈米壓印技術之基板的前處理製程，其中該反應氣體至少包括一活性氣體，且該活性氣體係選自於由氧氣、氮氣、水氣、碳氫氧氟化合物、矽化合物及其組合所組成之一族群。
14.如申請專利範圍第1項所述之微奈米壓印技術之基板的前處理製程，其中該反應氣體至少包括一惰性氣體以及一活性氣體，且該惰性氣體係選自於由氬氣、氦氣、氖氣及其組合所組成之一族群，而該活性氣體係選自於由氧氣、氮氣、水氣、碳氫氧氟化合物、矽化合物及其組合所組成之一族群。
15.如申請專利範圍第1項所述之微奈米壓印技術之基板的前處理製程，其中該物理反應為一物理離子轟擊(Ion Bombardment)反應。
16.如申請專利範圍第1項所述之微奈米壓印技術之基板的前處理製程，其中該化學反應為一化學鍵結(Chemical Bonding)反應。
17.如申請專利範圍第1項所述之微奈米壓印技術之基板的前處理製程，其中將該基板置入該反應室之步驟前，更至少包括對該基板進行一液體沖洗步驟，以及一高速氣流噴刷步驟，以進行該基板之預處理與清潔，其中該液體沖洗步驟至少包括使用一沖洗液體，且該沖洗液體係選自於由純水、含化學物質水溶液、有機溶劑、有機溶液及其組合所組成之一族群。
18.一種微奈米壓印技術之基板的前處理製程，至少包括：將該基板置入一真空反應室之一電漿電極上；通入一反應氣體於該真空反應室中；以及施加一電源於該電漿電極上，以在該基板之一表面上形成一電漿來處理該基板之該表面。
19.如申請專利範圍第18項所述之微奈米壓印技術之基板的前處理製程，其中將該基板置入該真空反應室之該電漿電極上的步驟前，更至少包括對該基板進行一沖洗沖洗步驟，以及一高速氣流噴刷步驟，以進行該基板之預處理與清潔，其中該液體沖洗步驟至少包括使用一沖洗液體，且該沖洗液體係選自於由純水、含化學物質水溶液、有機溶劑、有機溶液及其組合所組成之一族群。
20.如申請專利範圍第18項所述之微奈米壓印技術之基板的前處理製程，其中該基板為硬式基板。
21.如申請專利範圍第20項所述之微奈米壓印技術之基板的前處理製程，其中該基板之材質係選自於由玻璃、矽基板、金屬、以及陶瓷所組成之一族群。
22.如申請專利範圍第18項所述之微奈米壓印技術之基板的前處理製程，其中該基板為軟性可撓曲基板。
23.如申請專利範圍第22項所述之微奈米壓印技術之基板的前處理製程，其中該基板之材質係選自於由塑膠、以及矽膠所組成之一族群。
24.如申請專利範圍第22項所述之微奈米壓印技術之基板的前處理製程，其中該基板之材質係選自於由單一金屬元素所構成之一薄金屬片以及由複數個金屬元素所構成之一合金片所組成之一族群，且該薄金屬片之材質係選自於由銅以及鎳所組成之一族群，而該合金片之材質包括鋼材。
25.如申請專利範圍第18項所述之微奈米壓印技術之基板的前處理製程，其中該基板係選自於由表面鍍有透明導電陶瓷材料之玻璃、矽基板、金屬、陶瓷、塑膠、以及矽膠所組成之一族群。
26.如申請專利範圍第18項所述之微奈米壓印技術之基板的前處理製程，其中形成該電漿時之反應壓力介於約10^-6torr至1500torr之間。
27.如申請專利範圍第18項所述之微奈米壓印技術之基板的前處理製程，其中該電源之頻率從直流電到微波以上。
28.如申請專利範圍第18項所述之微奈米壓印技術之基板的前處理製程，其中該電源之頻率從直流電到射頻。
29.如申請專利範圍第18項所述之微奈米壓印技術之基板的前處理製程，其中該反應氣體至少包括一惰性氣體，且該惰性氣體係選自於由氬氣、氦氣、氖氣及其組合所組成之一族群。
30.如申請專利範圍第18項所述之微奈米壓印技術之基板的前處理製程，其中該反應氣體至少包括一活性氣體，且該活性氣體係選自於由氧氣、氮氣、水氣、碳氫氧氟化合物、矽化合物及其組合所組成之一族群。
31.如申請專利範圍第18項所述之微奈米壓印技術之基板的前處理製程，其中該反應氣體至少包括一惰性氣體以及一活性氣體，且該惰性氣體係選自於由氬氣、氦氣、氖氣及其組合所組成之一族群，而該活性氣體係選自於由氧氣、氮氣、水氣、碳氫氧氟化合物、矽化合物及其組合所組成之一族群。
32.如申請專利範圍第18項所述之微奈米壓印技術之基板的前處理製程，其中以該電漿來處理該基板之該表面時，該電漿與該基板之該表面之間至少包括產生一物理反應。
33.如申請專利範圍第32項所述之微奈米壓印技術之基板的前處理製程，其中該物理反應為一物理離子轟擊反應。
34.如申請專利範圍第32項所述之微奈米壓印技術之基板的前處理製程，其中以該電漿來處理該基板之該表面時，該電漿與該基板之該表面之間至少包括產生一化學反應。
35.如申請專利範圍第34項所述之微奈米壓印技術之基板的前處理製程，其中該化學反應為一化學鍵結反應。
36.一種微奈米壓印技術之基板的前處理製程，至少包括：將該基板置入一反應室中；以及對該基板進行一離子處理，其中該離子處理至少包括：通入一反應氣體於該反應室中；以及利用該反應氣體形成一離子團，以使該離子團與該基板產生一物理反應以及一化學反應。
37.如申請專利範圍第36項所述之微奈米壓印技術之基板的前處理製程，其中該基板為硬式基板。
38.如申請專利範圍第37項所述之微奈米壓印技術之基板的前處理製程，其中該基板之材質係選自於由玻璃、矽基板、金屬、以及陶瓷所組成之一族群。
39.如申請專利範圍第36項所述之微奈米壓印技術之基板的前處理製程，其中該基板為軟性可撓曲基板。
40.如申請專利範圍第39項所述之微奈米壓印技術之基板的前處理製程，其中該基板之材質係選自於由塑膠、以及矽膠所組成之一族群。
41.如申請專利範圍第39項所述之微奈米壓印技術之基板的前處理製程，其中該基板之材質係選自於由單一金屬元素所構成之一薄金屬片以及由複數個金屬元素所構成之一合金片所組成之一族群，且該薄金屬片之材質係選自於由銅以及鎳所組成之一族群，而該合金片之材質包括鋼材。
42.如申請專利範圍第36項所述之微奈米壓印技術之基板的前處理製程，其中該基板係選自於由表面鍍有透明導電陶瓷材料之玻璃、矽基板、金屬、陶瓷、塑膠、以及矽膠所組成之一族群。
43.如申請專利範圍第36項所述之微奈米壓印技術之基板的前處理製程，其中該反應氣體至少包括一惰性氣體，且該惰性氣體係選自於由氬氣、氦氣、氖氣及其組合所組成之一族群。
44.如申請專利範圍第36項所述之微奈米壓印技術之基板的前處理製程，其中該反應氣體至少包括一活性氣體，且該活性氣體係選自於由氧氣、氮氣、水氣、碳氫氧氟化合物、矽化合物及其組合所組成之一族群。
45.如申請專利範圍第36項所述之微奈米壓印技術之基板的前處理製程，其中該反應氣體至少包括一惰性氣體以及一活性氣體，且該惰性氣體係選自於由氬氣、氦氣、氖氣及其組合所組成之一族群，而該活性氣體係選自於由氧氣、氮氣、水氣、碳氫氧氟化合物、矽化合物及其組合所組成之一族群。
46.如申請專利範圍第36項所述之微奈米壓印技術之基板的前處理製程，其中該物理反應為一物理離子轟擊反應。
47.如申請專利範圍第36項所述之微奈米壓印技術之基板的前處理製程，其中該化學反應為一化學鍵結反應。
48.如申請專利範圍第36項所述之微奈米壓印技術之基板的前處理製程，其中將該基板置入該反應室之步驟前，更至少包括對該基板進行一液體沖洗步驟，以及一高速氣流噴刷步驟，以進行該基板之預處理與清潔，其中該液體沖洗步驟至少包括使用一沖洗液體，且該沖洗液體係選自於由純水、含化學物質水溶液、有機溶劑、有機溶液及其組合所組成之一族群。

八、	圖式：
	第1圖第2圖第3圖第4圖

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