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069_093-057AP-TW

發佈日期 : 2009-04-29
公告號 I259274
專利名稱 雙電容式感測器(全文下載)
公告/公開日 2006/08/01
證書號 I259274
申請日 2004/07/15
申請號 093121220
國際分類 G01K-007/34
公報卷期 33-22
發明人 鍾震桂 CHUNG, CHEN KUEI
方柏凱 FANG, P. K.
洪益智 HONG, Y. Z.
申請人 國立成功大學 NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY 臺南市東區大學路1號
代理人名 歐奉璋
摘要 本發明係一種雙電容式感測器,係應用在感測溫度方面,當溫度產生變化時雙材料將產生形變,進而改變第一電容、第二電容兩端電容變值進而輸出電壓差,以雙材 料的受熱產生形變偏移理論,進而對所設計的尺寸進行模擬,所得的理論溫差與本發明模擬結果誤差在0.4%以下,線性量測範圍達到100℃,靈敏度約為 2.2 mV/℃,精準度可達0.3℃。本發明之雙電容式感測器具有改善感測器在使用電路上所可能產生的熱、高靈敏度、低誤差和高精準度之優點。
專利範圍 1.一種雙電容式感測器,其係包括有:
一第一固定電極、一第二固定電極,該第一電極一端設有一擋板,且該第一固定電極、第二固定電極之間設有一可動電極,而該可動電極一端接連一雙材料之金屬端,一設置於雙材料另一端之隔熱層,且該雙材料及隔熱層相連處設有一導線,藉此形成雙電容式感測器。
2.依據申請專利範圍第1項所述之一種雙電容式感測器,其中,該可動電極包含一第一電容、一第二電容。
3.依據申請專利範圍第2項所述之一種雙電容式感測器,其中,該第一電容、第二電容與一第一參考電容、一第二參考電容相連接形成一惠式電路。
4.依據申請專利範圍第1項所述之一種雙電容式感測器,其中,該雙電容式感測器之外觀結構為矩形構造。
5.依據申請專利範圍第1項所述之一種雙電容式感測器,其中,該雙材料之感測端必須為電容板材料,係可選自於鋁、金、銅、鎳、白金、矽、多晶矽(Poly-Si)、氧化物、氮化物或。
6.依據申請專利範圍第1項所述之一種雙電容式感測器,其中,該雙電容式感測器之精準度,以懸臂樑和電容板的長度比例為1:1為最佳。
7.依據申請專利範圍第1項所述之一種雙電容式感測器,其中,該雙電容式感測器之最大線性量測範圍為100℃。
8.依據申請專利範圍第1項所述之一種雙電容式感測器,其中,該雙電容式感測器之靈敏度可達2.2mV∕℃。
9.依據申請專利範圍第1項所述之一種雙電容式感測器,其中,該雙電容式感測器之量測誤差可降低達0.4以下。
10.依據申請專利範圍第1項所述之一種雙電容式感測器,其中,該雙電容式感測器是利用雙材料不同之熱膨脹係數,取代傳統非線性的TCR。
11.依據申請專利範圍第2項所述之一種雙電容式感測器,其中,該第一電容、一第二電容,利用雙材料結構受熱,造成電容値極產生變化。
12.依據申請專利範圍第2項所述之一種雙電容式感測器,其中,該第一電容、第二電容,利用其為雙電容式輸出,可改善感測器因電路所產生的發熱而影響到輸出結果。
圖式簡單說明:
第1A圖,係本發明雙電容式感測器之俯視示意圖。
第1B圖,係本發明雙電容式感測器之前視示意圖。
第2圖,係本發明之惠斯頓電橋電路示意圖。
第3圖,係本發明雙電容式感測器剖面結構構成方程式推導示意圖。
第4圖,係本發明之一般可使用材料之係數圖。
第5圖,係本發明雙電容式感測器之Matlab的模擬結果示意圖。
第6圖,係本發明雙電容式感測器之線性量測範圍100℃時模擬結果與理論結果的比較示意圖。
雜項資料  
專利權異動
專利申
請案號
授權
註記
質權
註記
讓與
註記
繼承
註記
信託
註記
異議
註記
舉發
註記
消滅
日期
撤銷
日期
專利權
始日
專利權
止日
年費有
效日期
年費有
效年次
093121220     20060801 20240714 20090731 003
申請案件狀態
專利申
請案號
狀態異
動日期
案件申
請日期
實體審查
申請日
相關申
請案號
公開號 公告號 證書號 證書型別 狀態異
動資料
093121220 20060801 20040715 20040715   200602628 I259274 I259274 發明 初審核准
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