| 專利範圍 |
1.一種複晶矽薄膜電晶體製程,其係適用於以通道氧化處
理一複晶矽通道層並以電漿助長化學氣相沈積系統進行電
漿氫化,該製程至少包括下列步驟:
(a)提供一基板,並於該基板上形成一第一氧化層;
(b)形成一複晶矽層於該第一氧化層上;
(c)形成一閘極氧化層於該複晶矽層上;
(d)形成該複晶矽通道層於該閘極氧化層上,並定義一
源極與一汲極;
(e)以通道氧化方式處理該複晶矽通道層;
(f)形成一介電層於該複晶矽通道層上;以及
(g)利用電漿助長化學氣相沈積系統進行電漿氫化。
2.如申請專利範第1項之複晶矽薄膜電晶體製程,其中該
基板為一N型3~4���cm之(100)矽基板(Si-substrate)。
3.如申請專利範圍第1項之複晶矽薄膜電晶體製程,其中
該第一氧化層為一場氧化層。
4.如申請專利範圍第3項之複晶矽薄膜電晶體製程,其中
該場氧化層之厚度為5000埃。
5.如申請專利範圍第1項之複晶矽薄膜電晶體製程,其中
該複晶矽層係以低壓化學汽相沈積方式(LPCVD)沈積於該
第一氧化層上。
6.如申請專利範圍第5項之複晶矽薄膜電晶體製程,其中
該複晶矽層之厚度為550埃。
7.如申請專利範圍第6項之複晶矽薄膜電晶體製程,其中
該複晶矽薄膜層係以離子佈植方式植入5�10^|1^|5cm^|-^|2之硼磷
酸(PH3),並定義出N^|+閘極。
8.如申請專利範圍第1項之複晶矽薄膜電晶體製程,其中
該閘極氧化層係以低壓化學汽相沈積方式於790℃下沈積
於該複晶矽層上。
9.如申請專利範圍第8項之複晶矽薄膜電晶體製程,其中
該閘極氧化層之厚度為300埃。
10.如申請專利範圍第9項之複晶矽薄膜電晶體製程,其中
該閘極氧化層更以800℃高溫處理,使該閘極氧化層更為
緻密(densification)。
11.如申請專利範圍第1項之複晶矽薄膜電晶體製程,其中
該複晶矽通道層之形成係先形成一非晶矽層於該閘極氧化
層上,再經過一退火處理程序,使該非晶矽層再結晶而形
成該複晶矽通道層。
12.如申請專利範圍第11項之複晶矽薄膜電晶體製程,其
中該退火處理程序之條件為在氮氣環境下以600℃進行24
小時之退火處理。
13.如申請專利範圍第11項之複晶矽薄膜電晶體製程,其
中該複晶矽通道層係以離子佈植方式植入劑量5�10^|1^|2cm^|-^|2
之磷離子。
14.如申請專利範圍第11項之複晶矽薄膜電晶體製程,其
中該非晶矽層係以低壓化學汽相沈積方式於525℃下沈積
於該閘極氧化層上。
15.如申請專利範圍第14項之複晶矽薄膜電晶體製程,其
中該非晶矽層之厚度為300埃。
16.如申請專利範圍第1項所述之複晶矽薄膜電晶體製程,
其中該源極與該閘極區域內植入劑量為5�10^|1^|5cm^|-^|2之硼離
子。
17如申請專利範圍第1項之複晶矽薄膜電晶體製程,其中
該通道氧化處理係以通過800℃之乾氧氣進行。
18.如申請專利範圍第1項之複晶矽薄膜電晶體製程,其中
該介電層係為一硼磷矽玻璃層(BPSG)。
19.如申請專利範圍第18項之複晶矽薄膜電晶體製程,其
中該硼磷矽玻璃層之厚度為6000埃。
20.如申請專利範圍第19項之複晶矽薄膜電晶體製程,其
中該硼磷矽玻璃層係經過850℃至950℃之熱爐管,利用高
溫熱流法使該硼磷矽玻璃層平坦化。
21.如申請專利範圍第1項之複晶矽薄膜電晶體製程,其中
該通道氧化處理在該複晶矽通道寬度為0.5���m時,最佳之
通道氧化時間為1小時。
22.如申請專利範圍第21項之複晶矽薄膜電晶體製程,其
中該電漿氫化之最佳處理時間為4小時。
23.如申請專利範圍第1項之複晶矽薄膜電晶體製程,其中
該步驟(f)之後更包括一步驟(f1)定義接觸窗並沈積金屬
以作為連接點。
24.如申請專利範圍第23項之複晶矽薄膜電晶體製程,其
中該步驟(f1)之後更包括一步驟(f2)形成一保護層。
25.一種複晶矽薄膜電晶體製程,至少包括下列步驟:
(a)提供一基板;
(b)形成一複晶矽通道層於該基板上;
(c)以一通道氧化方式處理該複晶矽通道層;以及
(d)利用電漿助長化學氣相沈積系統進行電漿氫化。
26.如申請專利範圍第25項之複晶矽薄膜電晶體製程,其
中該步驟(a)之後更包括一步驟(a1)於該基板上形成一第
一氧化層。
27.如申請專利範圍第26項之複晶矽薄膜電晶體製程,其
中該步驟(a1)之後更包括一步驟(a2)形成一複晶矽層於該
第一氧化層上。
28.如申請專利範圍第27項之複晶矽薄膜電晶體製程,其
中該步驟(a2)之後更包括一步驟(a3)形成一閘極氧化層於
該複晶矽層上。
29.如申請專利範圍第28項之複晶矽薄膜電晶體製程,其
中該步驟(a3)之後更包括一步驟(a4)形成該複晶矽通道層
於該閘極氧化層上。
30.如申請專利範圍第25項之複晶矽薄膜電晶體製程,其
中該步驟(b)之後更包括一步驟(b1)定義一源極與一汲
極。
31.如申請專利範圍第25項之複晶矽薄膜電晶體製程,其
中該步驟(c)之後更包括一步驟(c1)形成一介電層於該複
晶矽通道層上。
32.如申請專利範圍第31項之複晶矽薄膜電晶體製程,其
中該步驟(c1)之後更包括一步驟(c2)定義接觸窗,並沈積
金屬以做為連接點。
33.如申請專利範圍第32項之複晶矽薄膜電晶體製程,其
中該步驟(c2)之後更包括一步驟(c3)形成一保護層。 |
