244_088-201CP-TW
發佈日期 :
2009-04-29
| 296487 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 實空間傳導二極體及其製造方法(全文下載) | |||||||||||||||||||||||||||||
| 1997/01/21 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 083916 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 1996/07/19 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 085108802 | |||||||||||||||||||||||||||||
| H01L-029/12 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 24-03 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 洪澄文 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 一種實空間傳導二極體及製造方法，揭示以載子濃度調變 (carrier density modulation) 的構想，利用非合金歐姆層(nonalloyed ohmic conact) 及下集層 (sewer layer) ，製作以 InP 為基底實空間傳導二極體 (rdal-space transfer diode, RSTD) 。此結構所呈現峰對對谷電流 (PVR) 特別高，於室溫下可達約140,000，於77K 下可達1,000,000，為目前InAlAs/InGaAs RST係統中最高者。再者，其谷值電流區寬 (broad valley current range) 室溫下可達約7V，而於77K時可達約13V。此等特性在數位邏輯、高速關關和可程式化隨機存取記憶體等之應用，極具應用潛力。 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 1. 一種實空間傳導二極體,包括: 一半絕緣基底; 一緩衝層,形成於該半導絕緣基底上; 一下集層,形成於該緩衝層上; 一間隔層,形成於該下集層上; 一射極層,形成於該間隔層上,其具有較該下集層大的能 帶間隙;以及 一源極結構和一汲極結構,互為相隔形成於該射極層上。 2. 如申請專利範圍第1項所述之該實空間傳導二極體,其 中,該半絕緣基底是一InP基底。 3. 如申請專利範圍第1項所述之該實空間傳導二極體,其 中,該緩衝層是經摻雜呈P型之一InP層,其厚度約介於0. 3-2(?間的範圍。 4. 如申請專利範圍第1項所述之該實空間傳導二極體,其 中,該下集層是一本質InGaAs層,其厚度約可介於10- 200nm間的範圍。 5. 如申請專利範圍第1項所述之該實空間傳導二極體,其 中,該間隔層是一本質InAlAs層,其厚度約可介於4- 50nm間的範圍。 6. 如申請專利範圍第1項所述之該實空間傳導二極體,其 中,該射極層是經摻雜呈n型之一InAlAs層,其厚度約可 介於10-40nm間的範圍,其摻雜@ps9,9.4 濃度約可介於7 �10@su1@su7-5�10@su1@su8cm@su-@su3@ps9,9.5 間的 範圍。 7. 如申請專利範圍第1項所述之該實空間傳導二極體,其 中,該源極結構和該汲極結構由下而上分別包括: 一n型濃摻雜之InGaAs蓋層和一Au/Ge/Ni非合金金層。 8. 如申請專利範圍第7項所述之該實空間傳導二極體,其 中,該等n型濃摻雜之InGaAs蓋層厚度約可介於5-200nm 間的範圍,其摻雜濃度約大於10@su1@su8cm@su-@su3。 9. 一種實空間傳輸二極體的製造方法,係經有機氣相沈 積法而得,包括下列步驟: (a) 提供一半絕緣基底; (b) 通以@ps9,7.5(CH@ss3)@ss3In、PH@ss3@ps9,9.4和@ ps9,7.5(C@ss2H@ss5)@ss2Zn@ps9,9.5 等氣體,形成一 InP緩衝層於該半絕緣基底上; (c) 通以(CH@ss3)@ss3Ga、(CH@ss3)@ss3In和AsH@ss3等 氣體,形成一InGaAs下集層於該InP緩衝層上; (d) 通以(CH@ss3)@ss3In、(CH@ss3)@ss3Al和AsH@ss3等 氣體,形成一InAlAs間隔層於該InGaAs下集層上; (e) 通以(CH@ss3)@ss3In、(CH@ss3)@ss3Al、AsH@ss3和 SiH@ss4等氣體,形成一InAlAs射極層於該InAlAs間隔層 上; (f) 通以(CH@ss3)@ss3Ga、(CH@ss3)@ss3In、AsH@ss3和 SiH@ss4等氣體,形成互為相隔之二InGaAs蓋層於該 InAlAs射極層上;以及 (g) 形成二AuGe/Ni非合金歐姆接觸分別於該等InGaAs蓋 層上。 10. 如申請專利範圍第9項所述之該實空間傳導二極體的 製造方法,其中,步驟(b)內之(CH@ss3)@ss3In流量約為 376sccm、PH@ss3流量約介於100-200sccm間、以及(C@ ss2H@ss5)@ss2Zn流量約可介於0-1sccm間的範圍,成長 溫度約可介於600-750℃間,所形成之該Inp緩衝層厚度 約介於0.3-2(?。 11. 如申請專利範圍第9項所述之該實空間傳導二極體的 製造方法,其中,步驟(c)內之(CH@ss3)@ss3Ga流量約為 27.1sccm、(CH@ss3)@ss3In流量約為376sccm以及AsH@ss3 流量約為75sccm等,成長溫度約可介於600-750℃間,所 形成之該InGaAs下集層厚度約可介於10-200nm間。 12. 如申請專利範圍第9項所述之該實空間傳導二極體的 製造方法,其中,步驟(d)內之(CH@ss3)@ss3In流量約為 376sccm、(CH@ss3)@ss3Al流量約為73.5sccm、以及AsH@ ss3流量約為75sccm等,成長溫度約可介於600-750℃, 所形成之該InAlAs間隔層厚度約可介於4-50nm間。 13. 如申請專利範圍第9項所述之該實空間傳導二極體的 製造方法,其中,步驟(e)內(CH@ss3)@ss3In流量約為 376sccm、(CH@ss3)@ss3Al流量約為73.5sccm、AsH@ss3流 量約為75sccm間、以及SiH@ss4流量約介於70-200sccm間 等,成長溫度約可介於600-700℃間,所形成之該InAlAs 射極層厚度約可介於10-40nm間。 14. 如申請專利範圍第9項所述之該實空間傳導二極體的 製造方法,其中,步驟(f)內(CH@ss3)@ss3Ga流量約為27. 1sccm、(CH@ss3)@ss3In流量約為376sccm、AsH@ss3流量 約為75sccm間、以及SiH@ss4流量約介於50-200sccm間等 條件,成長溫度約可介於600-750℃間的範圍,所形成之 該InGaAs蓋層厚度約可介於5-200nm間。 圖示簡單說明: 第1圖係顯示用以說明根據本發明一較佳實施例的部份示 |
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| 專利權異動 |
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| 申請案件狀態 |
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