246_088-199CP-TW
發佈日期 :
2009-04-29
| 373341 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 電洞入射式吸收累增分離之累崩光二極體(全文下載) | |||||||||||||||||||||||||||||
| 1999/11/01 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 109163 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 1995/09/29 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 084110176 | |||||||||||||||||||||||||||||
| H01L-031/0248 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 26-31 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 陳井星 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 本發明係突破傳統累崩光二極體(Avalanche Photodiode) 之製作方式，改以非晶矽材料製成。並分離傳統累崩光二極體之吸收層及累增層，如此可降低暗電流(dark current)，提高光增益值，使本發明”電洞注入式吸收累增分離之累崩光二極體”在16伏特偏壓及入射光功率１μｗ條件下，其光增益值可達686-，非常適合長距離光電通訊應用，有別於傳統之累崩光二極體因高溫製程及製程複離而成本高昂；本發明具有製程簡單低溫製程，成本低廉之特性，實為極經濟之創新發明。 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 1.一種高增益吸收累增分離之累崩光二極體,其包括一基板;一吸收層,該吸收層位於該基板上,且係以非晶矽鍺(a-Sil-x Gex:H)材料形成;一累增層,該累增層位於該吸收層上,且係以非晶矽(a-Si:H)材料形成;及一鋁層,該鋁層位於該累增層上方。 2.如申請專利範圍第1項之高增益吸收累增分離之累崩光二極體,其中,該基板係由在玻璃上蒸鍍一層透明導電氧化物而形成。 3.如申請專利範圍第1項之高增益吸收累增分離之累崩光二極體,其中,該吸收層係由在一層n+型非晶矽材料上沉積一層本質非晶矽鍺材料而成。 4.如申請專利範圍第1項之高增益吸收累增分離之累崩光二極體,其中,該累增層係由在一層n+型非晶矽材料上沉積一層本質非晶矽材料而成。 5.如申請專利範圍第2項之高增益吸收累增分離之累崩光二極體,其中,該透明導電氧化物為氧化錫銦(ITO, Indium-Tin-Oxide)。 6.如申請專利範圍第2項之高增益吸收累增分離之累崩光二極體,其中,該非晶矽鍺(a-Sil-x Gex:H)材料的鍺含量原子百分比X値可為0至0.48,以分別吸收波長為525nm至820nm的紅光及紅外線。 圖式簡單說明: 第一圖高增異非晶矽吸收累增分離之累崩光二極體之結構圖。 第二圖高增異非晶矽吸收累增分離之累崩光二極體之能帶圖與電場 。 第三圖在不同入射光能量意下1-V之特性曲線圖。 第四圖電洞入射式SAMAPD與傳動式PIN APD之入射光能量以與光增益値之關係圖。 第五圖電洞入射式SAMAPD之光增益値與負偏壓之關係圖。 第六圖電洞入射式SAMAPD之暗電流與負偏壓關係圖。 第七圖電洞入射式SAMAPD之光頻譜響應圖。 第八圖電洞入射式SAMAPD在負偏壓14V時之響應速度。 |
|||||||||||||||||||||||||||||
| 專利權異動 |
|
||||||||||||||||||||||||||||
| 申請案件狀態 |
|
瀏覽數:
分享