415_088-089CP-TW
發佈日期 :
2009-04-29
| 229334 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 雙頻銻化銦鎵應力層超晶格選頻器 (全文下載) | |||||||||||||||||||||||||||||
| 1994/09/01 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 067602 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 1994/04/01 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 083102878 | |||||||||||||||||||||||||||||
| H01L-031/36 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 21-25 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 洪澄文 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 一般的光檢測器或量子井和超晶格光檢測器無法提供雙頻檢測之選擇。本發明則利用應力層超晶格，因得格受應力而使得重電洞（heavy hole）及輕電洞 （light hole）分離，以致產生不同的侷限能量，並加不同的偏壓以改變波函數之耦合。使得在電子的侷限能量（1C）和重電洞的侷限能量（1 HH）間的能量轉移以及在IC和輕電洞的侷限能量（ 1 LH）間的能量轉移會受外加偏壓不同的影響而分別成為主要的光吸收。亦即因1C至1HH之轉移能量與1C1H之轉移能量不同，故可以用外加電壓來調變不同的吸收波長。 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 1.一種雙頻銻化銦鎵應力層超晶格選頻器,垂直地由下至 上係包括:一第一型歐姆接觸層;一第一型銻化鎵層,前 述第一型銻化鎵層係位於前述第一型歐姆接觸層上方;複 數本質銻化銦鎵/銻化鎵應力層超晶格層,其係形成於前 述第一型銻化鎵層上方;一第二型銻化鎵層,其係形成於 前述複數本質銻化銦鎵/銻化鎵應力層超晶格層上方;及 一第二型歐姆接觸層,其係形成於前述第二型銻化鎵層上 方。 2.如申請專利範圍第1項的選頻器,其中,第一型為N型 且第二型為P型。 3.如申請專利範圍第1項的選頻器,其中,第一型為P型 且第二型為N型。 4.如申請專利範圍第1項的選頻器,其中,前述複數本質 銻化銦鎵/銻化鎵應力層超晶格層中每一層銻化銦鎵層的 厚度約為130,而每一層銻化鎵的厚度約為。 5.如申請專利範圍第1項的選頻器,其中,前述複數本質 銻化銦鎵/銻化鎵應力層超晶格層的層數約為十層。 6.如申請專利範圍第1項的選頻器,其特徵在於:為使用 p-i-n應力層超晶格結構的光二極體,其可經由在前述光 二極體上施以不同的外加電壓來得到不同的吸收波長。 7.如申請專利範圍第6項的選頻器,其中,當外加電壓接 近於零伏特時,主要吸收波長約為1.93?m,而當外加電 壓為接近0.1伏特的反向偏壓時,主要的吸收波長約為 1.77?m。 8.如一種雙頻銻化銦鎵應力層超晶格選頻器的製造方法, 其包括如下之步驟:(Ⅰ)在一N型銻化鎵基板上沈積複數 本質銻化銦鎵/銻化鎵應力層超晶格層;(Ⅱ)在前述複數 本質銻化銦鎵/銻化鎵應力層超晶格層上沈積一層P型銻 化鎵層;(Ⅲ)利用金屬蒸鍍法,在前述N型銻化鎵基板上 形成一N型歐姆接觸層,並在前述P型銻化鎵層上形成一P 型歐姆接觸層。 9.如申請專利範圍第8項的方法,其中,使前述P型銻化 鎵的厚度約為1500。 10.如申請專利範圍第8項的方法,其中,使前述P型歐姆 接觸層包括金鋅合金。 11.如申請專利範圍第8項的方法,其中,使前述N型歐姆 接觸層包括金、鍺和鎳合金。 12.如申請專利範圍第8項的方法,其中,沈積前述複數 本質銻化銦鎵/銻化鎵應力層超晶格層的方法為金屬有機 化學蒸氣法,其條件為溫度約500℃,壓力約150托耳,且 流量比為(TMSB+TEGa+TMIn)/HC_2C=10C^-4C,其中,銦佔 三族固態組成的19,鎵佔三族固態組成的81。第1圖係顯 示本發明之選頻器的架構的剖面圖;第2a圖係顯示在接近 零偏壓時本發明之能帶圖;第2b圖係顯示在有反向偏壓時 |
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| 專利權異動 |
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| 申請案件狀態 |
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