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249_088-196CP-TW

發佈日期 : 2009-04-29
公告號 412593
專利名稱 超耐磨耗氮化鈦鋁鍍層(TiAlN)之製程技術(全文下載)
公告/公開日 2000/11/21
證書號 123756
申請日 1996/12/21
申請號 085115812
國際分類 C23C-014/06
公報卷期 27-33
發明人 黃肇瑞
許博淵
蔡維恭
申請人 行政院國家科學委員會 台北巿和平東路二段一○六號十八樓
代理人名 陳井星
摘要 本發明是以反應磁控偏壓濺射的方式沉積多成份的氮化鈦鋁鍍層(TiAlN),以找出最佳的鍍層成份以生成高硬度、耐高溫氧化及耐磨耗的新一代陶瓷刀具鍍層材料,此產品可廣泛應用在提升各種磨耗件壽命(例如刀具、模具、噴嘴..)的應用上。本發明是以不同成份的鈦鋁 (TiAl) 合金作為濺射( sputtering)靶材,並在氬氣電漿中通入氮氣反應生成不同鋁含量(0.5,12.5,25,30 at.%)的氮化鈦鋁鍍層( TiAlN)。在沉積過程中並施加RF基板偏壓以進一步提升鍍層的密度及硬度。實際的切削結果則顯示,鋁含量在12.5-25 at.%時的氮化鈦鋁鍍層(TiAlN)有最佳的切削性質,在適當條件下鍍層可提升碳化物刀具(WC-TaC-TiC)及氮化鈦(TiN)鍍層碳化物刀具的抗斜面磨耗性能分別達9倍及7倍左右,對於產能的提升也有極大的助益。
專利範圍 1.一種以反應磁控PVD法生成TiAlN鍍層的製程,包括下列步驟:
a.將所使用基材SKH51高速鋼置於丙酮中作超音波震盪洗滌,並隨即製置入真空室中準備濺
鍍;
b.將基材(SKH51高速鋼)置入真空室後以真空幫浦抽至10-5torr以下;
c.導入氬氣,調整總壓至20mttor並點燃電漿作基板及靶材TiAl表面的濺射前處理以去除其
雜質與氧化層;
d.前處理後再導入氮氣,調整濺鍍電流及真空度再進行濺鍍,同時施加基板偏壓,基板溫度
則為300℃-350℃。
2.如申請專利範圍第1項所述的製程,其中使用的靶材為TiAl合金(Ti/Al:100/0.90/10.
75/25.50/50及60/40at.%)、Ti及Al為兩種純金屬或是Ti及Al的複合靶。
3.如申請專利範圍第1項所述的製程,其他步驟c的氣體總壓控制在2-20mtorr反應生成之
TiAlN鍍層。
4.如申請專利範圍第1項所述的製程,其中步驟d的氮氣占總氣體量百分比5-50%反應生成
TiAlN鍍層。
5.如申請專利範圍第1項所述的製程,其中步驟d的RF基板偏壓在0-150V反應生成TiAlN鍍層

圖式簡單說明:
第一圖反應濺鍍設備示意圖
第二圖不同鋁含量之氮化鈦鋁鍍層(TiAlN)的微硬度
第三圖各成份鍍層經SRV磨耗試驗的結果
第四圖鍍層碳化物刀具在不同切削速度及車削固定距離後所測得之斜面磨耗深度
第五圖不同切削速度時碳化物刀具與各成份鍍層刀具的斜面磨耗深度比値
雜項資料
雜項資訊 28卷14期 核發專利證書目錄
專利權號數 I123756
公告日期 0891121
專利申請案號 085115812
公告卷號 28
期數 14
專利權類別 發明
申請名稱 超耐磨耗氮化鈦鋁鍍層(TiAlN)之製程技術
申請人 行政院國家科學委員會
發證日期 0900418
專利權異動
專利申
請案號
授權
註記
質權
註記
讓與
註記
繼承
註記
信託
註記
異議
註記
舉發
註記
消滅
日期
撤銷
日期
專利權
始日
專利權
止日
年費有
效日期
年費有
效年次
085115812     20001121 20161220 20111120 11
申請案件狀態
專利申
請案號
狀態異
動日期
案件申
請日期
實體審查
申請日
相關申
請案號
公開號 公告號 證書號 證書型別 狀態異
動資料
085115812 20001121 19961221       412593 123756 發明 再審核准
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