| 專利範圍 |
1.一種磷化銦鎵/砷化銦鎵/砷化鎵組成調變式通道場效
電晶體,其包括:
一基板,包含砷化鎵材料;
一第一層,成長於上述基板上,包含砷化鎵材料;
一第二層,成長於上述第一層上,包含砷化銦鎵材料;
一第三層,成長於上述第二層上,包含砷化銦鎵材料;
一第四層,成長於上述第三層上,包含砷化鎵材料;
一第一金屬層,成長於上述第三層上;以及
一第二金屬層,成長於上述第四層上。
2.如申請專利範圍第1項所述之電晶體,其中,上述基板
係由半絕緣之砷化鎵所組成。
3.如申請專利範圍第1項所述之電晶體,其中,上述第一
層係由無摻雜之砷化鎵所組成,其用以當成緩衝層。
4.如申請專利範圍第1項所述之電晶體,其中,上述第二
層係由n-摻雜之砷化銦鎵所組成。
5.如申請專利範圍第1項所述之電晶體,其中,上述第三
層係由無摻雜之磷化銦鎵所組成。
6.如申請專利範圍第1項所述之電晶體,其中,上述第四
層係由n摻雜之砷化鎵所組成。
7.如申請專利範圍第1項所述之電晶體,其中,上述第一
金屬層係由金蒸鍍而成,其用以當成閘極,其與上述第三
層間構成一肖特基接觸。
8.如申請專利範圍第1項所述之電晶體,其中,上述第二
金屬層係由金-鍺-鎳合金蒸鍍而成,其用以當成汲極、
源極,其與上述第四層間構成一歐姆接觸。
9.如申請專利範圍第3項所述之電晶體,其中,上述第一
層之厚度為0.5mum。
10.如申請專利範圍第4項所述之電晶體,其中,上述第
二層之摻雜濃度為5ױ017cm-3。
11.如申請專利範圍第10項所述之電晶體,其中,上述第
二層由下而上共分為五組成層,上述各組成層厚度皆為30
埃,而銦莫耳比例由上而下分別為0.1,0.15,0.2,0.15
,0.1。
12.如申請專利範圍第5項所述之電晶體,其中,上述第
三層之銦鎵莫耳百分比為41:59,其厚度為300埃。
13.如申請專利範圍第6項所述之電晶體,其中,上述第
四層之厚度為300埃,摻雜濃度為4ױ018cm-3。
圖示簡單說明:
第一圖為本發明之結構圖;
第二圖為本發明之電流-電壓特性;
第三圖為當汲極-源極電壓為7V時,汲極飽和電流和
轉導値對閘極電壓之關係圖;
第四圖為閘極電壓之電流-電壓特性圖;以及
第五圖為本發明元件之通道中V型能帶之結構圖。 |
