| 專利範圍 |
1.一種長週期砷化銦鎵/砷化銦鋁(GaInAs/AlInAs)超晶
格共振穿透電晶體結構,其包括:一基板,係由磷化銦(
InP)材料所形成;一緩衝層,係由砷化銦鎵(Ga0.47In0.
53As)材料所形成,其形成於該基板上;一集極層,係由
砷化銦鎵(Ga0.47In0.53As)材料所形成,其形成於該緩衝
層上;一基極層,係由砷化銦鎵(Ga0.47In0.53As)材料所
形成,其形成於該集極層上;一射極層,係由砷化銦鎵(
Ga0.47In0.53As)材料所形成,其形成於該基極層上;一
20週期超晶格穿透層,其障壁層係由砷化銦鋁(Al0.48In0
.52As)材料所形成,其量子井係由砷化銦鎵(Ga0.47In0.
53As)材料所形成,其形成於該射極層上;以及一歐姆接
觸層,係由砷化銦鎵(Ga0.47In
0.53As)材料所形成,其形成於該20週期超晶格穿透層上
。
2.如申請專利範圍第1項之長週期砷化銦鎵/砷化銦鋁(
GaInAs/AlInAs)超晶格共振穿透電晶體,其中該基板係由
n+型磷化銦(InP)材料所形成。
3.如申請專利範圍第1項之長週期砷化銦鎵/砷化銦鋁(
GaInAs/AlInAs)超晶格共振穿透電晶體,其中該緩衝層係
由厚度約為2,000A之n+型砷化銦鎵材料所形成,而其摻雜
濃度約為3ױ018cm-3。
4.如申請專利範圍第1項之長週期砷化銦鎵/砷化銦鋁(
GaInAs/AlInAs)超晶格共振穿透電晶體,其中該集極層係
由厚度約為5,000A之n型砷化銦鎵(Ga0.47In
0.53As)材料所形成,而其摻雜濃度約為5ױ016cm-3。
5.如申請專利範圍第1項之長週期砷化銦鎵/砷化銦鋁(
GaInAs/AlInAs)超晶格共振穿透電晶體,其中該基極層係
由厚度約為1,000A之p+砷化銦鎵(Ga0.47In0.53 As)材料
所形成,且其摻雜濃度約為1ױ019cm-3。
6.如申請專利範圍第1項之長週期砷化銦鎵/砷化銦鋁(
GaInAs/AlInAs)超晶格共振穿透電晶體,其中該射極層係
由厚度約為500A之n型砷化銦鎵(Ga0.47In0.53As)所形成
,且其摻雜濃度約為5ױ017cm-3。
7.如申請專利範圍第1項之長週期砷化銦鎵/砷化銦鋁(
GaInAs/AlInAs)超晶格共振穿透電晶體,其中超晶格中之
該障壁層是由厚度約為50A之無摻雜砷化銦鋁(Al0.48In0.
52As)材料所形成。
8.如申請專利範圍第1項之長週期砷化銦鎵/砷化銦鋁(
GaInAs/AlInAs)超晶格共振穿透電晶體,其中超晶格中之
該量子井層是由厚度約為50A之n型砷化銦鎵(Ga0.47In0.
53As)材料所形成,且其摻雜濃度約為5ױ017cm-3。
9.如申請專利範圍第1項之長週期砷化銦鎵/砷化銦鋁(
GaInAs/AlInAs)超晶格共振穿透電晶體,其中該歐姆接觸
層係由厚度約為3,000A之n+型砷化銦鎵(Ga
0.47In0.53As)材料所形成,而其摻雜濃度約為5ױ018cm
-3。圖式簡單說明:第一圖係本發明之20週期砷化銦鎵/
砷化銦鋁超晶格共振穿透電晶體結構圖;第二圖係本發明
之20週期砷化銦鎵/砷化銦鋁超晶格共振穿透電晶體於熱
平衡時之能帶圖;第三圖係本發明之20週期砷化銦鎵/砷
化銦鋁超晶格共振穿透電晶體於共振穿透時之能帶圖;第
四圖係本發明之20週期砷化銦鎵/砷化銦鋁超晶格共振穿
透電晶體於室溫下之電流-電壓輸出特性曲線圖;以及第
五圖係本發明之20週期砷化銦鎵/砷化銦鋁超晶格共振穿
透電晶體於低溫(77K)下之電流-電壓輸出特性曲線圖。 |
