| 專利範圍 |
1.一種步階摻雜式通道場效電晶體,包括:一半絕緣的砷
化鎵基板;一無摻雜的砷化鎵層,成長於前述砷化鎵基板
上,以作為元件的緩衝層;一n-摻雜之砷化銦鎵層,成長
於前述無摻雜的砷化鎵層上,且其摻雜濃度係從與前述無
摻雜砷化鎵層的界面處開始步階式地增加,以作為元件的
通道層;一無摻雜之砷化鋁鎵層,成長於前述n-摻雜之砷
化銦鎵層上;一n-摻雜之砷化鎵層,成長於前述無摻雜之
砷化鋁鎵層上;及金屬層,分別形成於前述無摻雜之砷化
鋁鎵層和n-摻雜之砷化鎵層。
2.如申請專利範圍第1項的場效電晶體,其中,前述無摻
雜的砷化鎵層之厚度約為0.5?m。
3.如申請專利範圍第1項的場效電晶體,其中,前述n-摻
雜之砷化銦鎵層中,銦和鎵的莫耳百分比為15:85。
4.如申請專利範圍第1項的場效電晶體,其中,前述n-摻
雜之砷化銦鎵層中,步階式變化的摻雜濃度分別為5ל1017cm-3約100埃、1ױ018cm-3約100埃、及4ױ018cm-3
約50埃。
5.如申請專利範圍第1項的場效電晶體,其中,前述無摻
雜之砷化鋁鎵層中,鋁和鎵的莫耳百分比為30:70,且其
厚度約為300埃。
6.如申請專利範圍第1項的場效電晶體,其中,前述n-摻
雜之砷化鎵層的厚度為300埃,且其摻雜濃度為4ױ018cm
-3。
7.如申請專利範圍第1項的場效電晶體,其中,形成於前
述無摻雜之砷化鋁鎵層上的金屬層為鋁。
8.如申請專利範圍第1項的場效電晶體,其中,形成於前
述n-摻雜之砷化鎵層上的金屬層為金-鍺-鎳合金。圖示
簡單說明:第一圖係繪示本發明之擬晶性步階摻雜通道式
場效電晶體的結構圖式;第二圖係繪示本發明之擬晶性步
階摻雜通道式場效電晶體的電流-電壓之圖式;及第三圖
係繪示在本發明中當汲-源電壓(VDS)為4V時汲極飽和電
流和轉導植對閘極電壓的關係之圖式。 |
