| 專利範圍 |
1.一種單晶碳化矽/單晶矽異質接面負微分電阻製造方法,其適用於一第一型矽基底上,而在該第一型矽基底上已形成有一原氧化層,其包括:
去除該原氧化層;
形成一漸變層於該第一型矽基底上;
形成一第二型單晶碳化矽層於該漸變層上;以及
形成一第一金屬層於該第二型碳化矽層上以及一第二金屬層於該第一型矽基底下。
2.如申請專利範圍第1項一種單晶碳化矽/單晶矽異質接面負微分電阻製造方法,其該第一型為N型、第二型為P型。
3.如申請專利範圍第1項一種單晶碳化矽/單晶矽異質接面負微分電阻製造方法,其該第一型為P型、第二型為N型。
4.如申請專利範圍第1項一種單晶碳化矽/單晶矽異質接面負微分電阻製造方法,其中該漸變層是藉由通入12sccm的SiH4與1.2lpm的H2,並將成長壓力維持在2.5Torr,升溫至1,200℃,然後通入C3H8,並將該C3H8的流速從0逐漸增至10sccm所形成的。
5.一種單晶碳化矽/單晶矽異質接面負微分電阻製造方法,其適用於一第一型矽基底上,而在該第一型矽基底上已形成有一原氧化層,其包括:
去除該原氧化層;
形成一第一漸變層於該第一型矽基底上;
形成一第二型單晶碳化矽層於該第一漸變層上;以及
形成一第二漸變層於該第二型單晶碳化矽層上;
形成一第二型單晶矽層於該第二漸變層上;
形成一第一金屬層於該第二型單晶矽層上以及一第二金屬層於該第一型矽基底下。
6.如申請專利範圍第5項一種單晶碳化矽/單晶矽異質接面負微分電阻製造方法,其該第一型為N型、第二型為P型。
7.如申請專利範圍第5項一種單晶碳化矽/單晶矽異質接面負微分電阻製造方法,其該第一型為P型、第二型為N型。
8.如申請專利範圍第5項一種單晶碳化矽/單晶矽異質接面負微分電阻製造方法,其中該第一漸變層是藉由通入12sccm的SiH4與1.2lpm的H2,並將成長壓力維持在2.5Torr,升溫至1,200℃,然後通入C3H8,並將該C3H8的流速從0逐漸增至10sccm所形成的。
9.如申請專利範圍第8項一種單晶碳化矽/單晶矽異質接面負微分電阻製造方法,其中該第二漸變層是藉由將該C3H8的流速由10sccm逐漸降至0,並將溫度快速降至1,050℃,而後將該SiH4流速由12sccm逐漸降至2.2sccm所形成的。
10.一種單晶碳化矽/單晶矽異質接面負微分電阻製造方法,其適用於一第一型矽基底上,而該第一型矽基底上已形成有一原氧化層,其包括:
去除該原氧化層;
形成一第一漸變層於該第一型矽基底上;
形成一第一第二型單晶碳化矽層於該第一漸變層上;以及
形成一第二漸變層於該第二型單晶碳化矽層上;
形成一第一型單晶矽層於該第二漸變層上;
形成第三漸變層於該第一型單晶矽層上;
形成一第二第二型單晶碳化矽層於該第三漸變層上;以及
形成一第一金屬層於該第二第二型單晶碳化矽層上以及一第二金屬層於該第一型矽基底下。
11.如申請專利範圍第10項一種單晶碳化矽/單晶矽異質接面負微分電阻製造方法,其該第一型為N型、第二型為P型。
12.如申請專利範圍第10項一種單晶碳化矽/單晶矽異質接面負微分電阻製造方法,其該第一型為P型、第二型為N型。
13.如申請專利範圍第10項一種單晶碳化矽/單晶矽異質接面負微分電阻製造方法,其中該第一漸變層是藉由通入12sccm的SiH4與1.2lpm的H2,並將成長壓力維持在2.5Torr,升溫至1,200℃,然後將通入C3H8,並將該C3H8的流速從0逐漸增至10sccm所形成的。
14.如申請專利範圍第13項一種單晶碳化矽/單晶矽異質接面負微分電阻製造方法,其中該第二漸變層是藉由將該C3H8的流速由10sccm逐漸降至0,並快速降至1,050℃,而後將SiH4流速由12sccm逐漸降至2.2sccm所形成的。
15.如申請專利範圍第14項一種單晶碳化矽/單晶矽異質接面負微分電阻製造方法,其中該第三漸變層是藉由將該SiH4流速由2.2sccm快速增至12sccm,並快速升溫至1,200℃,而後將C3H8的流速由0逐漸增至10sccm所形成的。
16.一種單晶碳化矽/單晶矽異質接面負微分電阻結構,其適用於一第一型矽基底上,其包括:
一漸變層,其形成於該第一型矽基底上;
一第二型單晶碳化矽層,其形成於該漸變層上;以及
一第一金屬層,其形成於該第二型單晶碳化矽層上以及一第二金屬層,其形成於該第一型矽基底下。
17.如申請專利範圍第16項一種單晶碳化矽/單晶矽異質接面負微分電阻結構,其該第一型為N型、第二型為P型。
18.如申請專利範圍第16項一種單晶碳化矽/單晶矽異質接面負微分電阻結構,其該第一型為P型、第二型為N型。
19.一種單晶碳化矽/單晶矽異質接面負微分電阻結構,其適用於一第一型矽基底上,其包括:
一第一漸變層,其形成於該第一型矽基底上;
一第二型單晶碳化矽層,其形成於該第一漸變層上;
一第二漸變層,其形成於該第二型單晶碳化矽層上;
一第二型單晶矽層,其形成於該第二漸變層上;以及;
一第一金屬層,其形成於該第二型單晶矽層上以及一第二金屬層,其形成於該第一型矽基底下。
20.如申請專利範圍第19項一種單晶碳化矽/單晶矽異質接面負微分電阻結構,其該第一型為N型、第二型為P型。
21.如申請專利範圍第19項一種單晶碳化矽/單晶矽異質接面負微分電阻結構,其該第一型為P型、第二型為N型。
22.一種單晶碳化矽/單晶矽異質接面負微分電阻結構,其適用於一第一型矽基底上,其包括:
形成一第一漸變層於該第一型矽基底上;
一第一第二型單晶碳化矽層,其形成於該第一漸變層上;以及
一第二漸變層,其形成於該第二型單晶碳化矽層上;
一第一型單晶矽層,其形成於該第二漸變層上;
一第三漸變層,其形成於該第一型單晶矽層上;
一第二第二型單晶碳化矽層,其形成於該第三漸變層上;以及
一第一金屬層,其形成於該第二第二型單晶碳化矽層上以及一第二金屬層,其形成於該第一型矽基底下。
23.如申請專利範圍第22項一種單晶碳化矽/單晶矽異質接面負微分電阻結構,其該第一型為N型、第二型為P型。
24.如申請專利範圍第22項一種單晶碳化矽/單晶矽異質接面負微分電阻結構,其該第一型為P型、第二型為N型。
圖式簡單說明:
第一圖A-第一圖D係顯示出依據本發明第一實施例之一種單晶碳化矽/單晶矽異質接面負微分電阻製造方法的剖面圖;
第二圖係顯示出依據本發明第一實施例之一種單晶碳化矽/單晶矽異質接面負微分電阻製造方法所製成之元件的電流-電壓特性曲線圖;
第三圖A-第三圖F係顯示出依據本發明第二實施例之一種單晶碳化矽/單晶矽異質接面負微分電阻製造方法的剖面圖;
第四圖係顯示出依據本發明第二實施例之一種單晶碳化矽/單晶矽異質接面負微分電阻製造方法所製成之元件的電流-電壓特性曲線圖;
第五圖A-第五圖H係顯示出依據本發明第三實施例之一種單晶碳化矽/單晶矽異質接面負微分電阻製造方法的剖面圖;以及
第六圖係顯示出依據本發明第三實施例之一種單晶碳化矽/單晶矽異質接面負微分電阻製造方法所製成之元件的電流-電壓特性曲線圖。 |
