262_088-189CP-TW
發佈日期 :
2009-04-29
| 370571 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 連續式成長高附著性類碳膜之方法(全文下載) | |||||||||||||||||||||||||||||
| 1999/09/21 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 114377 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 1998/10/19 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 087117245 | |||||||||||||||||||||||||||||
| C23C-016/30 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 26-27 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 林聖富 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 本發明提出一種連續式成長高附著性類碳膜之方法，包括例如先沈積一層具梯度組成的低應力含矽碳膜在一基材上作為中介層，隨後再連續沈積一層類鑽碳膜或含矽類鑽碳膜。該基材可為矽晶片、玻璃、KBr、鈦合金(Tl-6Al-4V)-SKD61及SKH9。該中介層及類鑽碳膜或含矽類鑽碳膜的成長較佳地係利用電漿化學氣相沈積法(PECVD)。 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 1. 一種在一基材上連續式成長高附著性類鑽碳膜之 方法,包含下列步驟: (a)在該基材表面成長一層具梯度組成的中介層,其 中該中介層的組成由接近該基材部份的純矽逐漸增加碳含 量; (b)繼續在該中介層上,成長一層類鑽碳膜或含矽類 鑽碳膜。 2. 如申請專利範圍第1項之方法,其中該步驟(a)及 (b)的成長是藉由電漿輔助氣相化學沈澱法(PECVD)、電子 迴旋共振微波電漿法(Electron Cyclion Resonance Microwave Plasma)、濺鍍法(Sputtering)或離子塗佈法 (Ion Plating)而達成。 3. 如申請專利範圍第1項之方法,其中該基材係選自 矽晶片、玻璃基板、溴化鉀鹽片、鈦合金或鋼材所組成之 族群。 4. 如申請專利範圍第2項之方法,其中該步驟(a)係 在一反應區內進行,該反應區內被導入一固定流量的含碳 氣源、一流量逐漸降低的含矽氣源及選擇性地一作為稀釋 劑的惰性氣體,其中該含碳氣源為C|^nH|^2.^n|^+|^2, n=1-3之烷; 該含矽氣源係選自SiCl|^4, SiH|^4或Si(CH|^3)|^4;及該惰性氣體 為Ar。 5. 如申請專利範圍第4項之方法,其中該步驟(a)及 (b)的成長是在該反應區內藉由電漿輔助氣相化學沈積法 (PECVD)而達成,其中該基材具有一介於室溫到400℃的溫 度,該反應區具有一介於0.01 torr至1.0 torr的工作壓 力,及使用一介於40 W至200 W的射頻功率。 6. 如申請專利範圍第4項之方法,其中該步驟(b)的 成長係接續該步驟(a)在同一反應區內進行,並且該含矽 氣源被停止導入,而只導入該含碳氣源及選擇性地該作為 稀釋劑的惰性氣體,而成長該類鑽碳膜。 7. 如申請專利範圍第4項之方法,其中該步驟(b)的 成長係接續該步驟(a)在同一反應區內進行,並且含矽氣 源的流量被進一步降低,而成長該含矽類鑽碳膜。 8. 如申請專利範圍第5項之方法,其中該步驟(b)的 成長係接續該步驟(a)在同一反應區內藉由電漿輔助氣相 化學沈積法(PECVD)來進行,並且該含矽氣源被停止導 入,而只導入該含碳氣源及選擇性地該作為稀釋劑的惰性 氣體,而成長該類鑽碳膜,其中該基材具有一介於室溫到 400℃的溫度,該反應區具有一介於0.01 torr至1.0 torr 的工作壓力,及使用一介於40 W至200 W的射頻功率。 9. 如申請專利範圍第5項之方法,其中該步驟(b)的 成長係接續該步驟(a)在同一反應區內藉由電漿輔助氣相 化學沈積法(PECVD)來進行,並且該含矽氣源的流量被進 一步降低而成長含矽類鑽碳膜,其中該基材具有一介於室 溫到400℃的溫度,該反應區具有一介於0.01 torr至1.0 torr的工作壓力,及使用一介於40 W至200 W的射頻功 率。 10. 如申請專利範圍第1項之方法,其中該中介層的 厚度為2.0���m。 11. 如申請專利範圍第1項之方法,其中該類鑽碳膜 的厚度為2.0���m。 12. 如申請專利範圍第1項之方法,其中該含矽類鑽 碳膜的厚度為2.0���m。 |
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| 專利權異動 |
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| 申請案件狀態 |
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