097_092-050DP-TW
發佈日期 :
2009-04-30
| I263119 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 非平整面之壓印技術(全文下載) | |||||||||||||||||||||||||||||
| 2006/10/01 | |||||||||||||||||||||||||||||
| I263119 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 2004/02/10 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 093103053 | |||||||||||||||||||||||||||||
| G03F-007/12 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 33-28 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 惲軼群;陳文郎 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 一種非平整面之壓印方法包含以下步驟：(A)將填充材料填補於一非平整表面之基板的凹陷部位，使基板頂面平整。(B)疊鋪一光阻膜於基板之頂面。(C)將 一刻有凹陷之電路佈局且可透光的模板上以遮光材料塗佈於預定部位上。(D)將模板覆蓋於光阻膜之頂面，並施以壓力以將光阻膜上壓印形成一具有電路佈局的凸 出部，及無設置電路佈局之凹陷部。(E)以光源曝照互相疊壓之模板與基板，使部分光阻膜產生變化。(F)將模板脫模，由基板頂面移除。(G)將光阻膜之凹 陷部洗除，留下具有電路佈局形狀之光阻膜凸出部於基板上。 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 1.一種非平整面之壓印方法,包含以下步驟: (A)將填充材料填補於一非平整表面之基板的凹陷部位,使該基板頂面平整; (B)疊鋪一光阻膜於該基板之頂面; (C)將一刻有凹陷之電路佈局且可透光的模板上以遮光材料塗佈於預定部位上; (D)將該模板覆蓋於該光阻膜之頂面,並施以壓力以將該光阻膜上壓印形成一具有電路佈局的凸出部,及無設置電路佈局之凹陷部; (E)以光源曝照互相疊壓之模板與基板,使部分光阻膜產生變化; (F)將該模板脫模,由該基板頂面移除; (G)將該光阻膜之凹陷部洗除。 2. 根據申請專利範圍第1項之非平整面之壓印方法,其中,步驟(B)中,該光阻膜是正型光阻劑所組成,步驟(C)中該遮光材料是均勻濺鍍於該模板上,再將該模 板上凸出部分上之遮光材料磨除直到透光為止,使遮光材料僅塗佈於刻有電路佈局之凹陷處,致使步驟(E)中該光阻膜之凹陷部頂面的光阻膜曝光產生變化,並於 步驟(G)中以鹼洗方式將凹陷部已曝光產生變化之光阻膜洗除。 3.根據申請專利範圍第1項之非平整面之壓印方法,其中,步驟(B)中,該光阻膜是負型光阻劑所組成,步驟(C)中該遮光材料是塗佈於該模板之凸出部分上,於步驟(E)中該光阻膜之凸出部頂面的光阻膜曝光產生變化,並於步驟(G)中以顯影劑將凹陷部未曝光之光阻膜洗除。 4.根據申請專利範圍第1項之非平整面之壓印方法,其中,步驟(C)中,該模板是由鉻石英材質所組成。 5.根據申請專利範圍第1項之非平整面之壓印方法,其中,步驟(B)中,該光阻膜是乾膜式的,並以浮貼方式貼於該填補層之頂面。 6.根據申請專利範圍第1項之非平整面之壓印方法,其中,步驟(B)中,該光阻膜是溼式的,並以旋轉塗佈方式貼覆於該填補層之頂面。 7.根據申請專利範圍第1項之非平整面之壓印方法,更包含一接續於該步驟(G)之後的步驟(H),該步驟(H)是以強鹼將填補於基板表面凹陷部位的填充材料移除,留下該具有電路佈局形狀之光阻膜凸出部於該非平整表面之基板上。 8.根據申請專利範圍第1項之非平整面之壓印方法,其中,該步驟(G)中是以莫爾濃度0.1之弱鹼性碳酸鈉水溶液以鹼洗方式將該光阻膜之凹陷部洗除。 圖式簡單說明: 圖1是習知之非平整面之壓印方法的過程示意圖; 圖2是本發明非平整面之壓印方法的較佳實施例的過程示意圖;及 圖3是該較佳實施例中一模板之凹陷部位塗上遮光材料形成一遮光層的過程示意圖。 |
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| 專利權異動 |
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| 申請案件狀態 |
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