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098_092-049DP-TW

發佈日期 : 2009-04-30

發明專利說明書


※申請案號：093101725	※I P C 分類：

一、	發明名稱：
	透明電極之製作方法(全文下載)

二、

中文發明摘要：

一種透明電極之製作方法，包含：(A)於一基板上疊覆一透明導電膜。(B)以熱塑性材料均勻塗佈於透明導電膜上，而形成一披覆層。(C)將一刻有凹陷之電路佈局的模板及披覆層同時加熱至披覆層具有可塑性之溫度以上。(D)將模板蓋覆於披覆層之上，並施加壓力使披覆層上形成一具有電路佈局的凸出部，及無設置電路佈局之凹陷部。(E)待冷卻後將模板取下。(F)並將披覆層之凹陷部去除，而使不設置電路佈局之透明導電膜裸露。(G)以蝕刻的方式將裸露之透明導電膜去除，披覆層之凸出部下之透明導電膜即形成具有電路佈局之透明電極。

三、

英文發明摘要：

四、	指定代表圖：
	(一)本案指定代表圖為：第2圖
	(二)本代表圖之元件符號簡單說明：
	2．．．基板
	3．．．透明導電膜
	4．．．披覆層
	41．．．凸出部
	42．．．凹陷部
	5．．．模板
	51．．．凹槽

五、	本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學式：

六、	發明說明：
	【發明所屬之技術領域】
[n]	本發明是有關於一種透明電極的製作方法，特別是指一種利用熱壓印技術製作透明電極之製作方法。
	【先前技術】
[n]	目前製作透明導電電極的方法仍以傳統的黃光微影蝕刻技術為主流，參閱圖1，其製作流程是於一基板11上疊設一透明導電膜12，再舖設一光阻層13於該透明導電膜12上，其次將一繪製有電路佈局圖141之光罩14蓋覆於該光阻層13上，經由紫外線照射，未被電路佈局圖141遮蔽之光阻層13發生化學變化，利用顯影液將產生化學變化的光阻層13清洗去除，而使部分不設置電路佈局圖之透明導電膜12裸露在外，也使得光罩14上的電路佈局圖141轉移到該光阻層13上，再蝕刻裸露之透明導電膜12，最後將該光阻層13完全清除，即形成具有電路佈局之透明導電電極。
[n]	上述黃光微影製法不僅所需的設備昂貴，所用之光阻層13的成分及顯影液均為對人體有害之化學溶液，不但對現場之操作人員的健康造成嚴重的影響，也對環境生態造成嚴重的污染。以顯影液清除產生化學變化之光阻層13時，如浸泡清洗時間過長，會使轉印於該光阻層13上之電路佈局圖141脫離或分解，降低生產良率。
	【發明內容】
[n]	因此，本發明之目的，即在提供一種低成本、良率高，且低污染之透明電極的製作方法。
[n]	於是，本發明透明電極之製造方法包含：
[n]	(A)於一基板上疊覆一透明導電膜。
[n]	(B)以熱塑性材料均勻塗佈於該透明導電膜上，而形成一披覆層。
[n]	(C)將一刻有凹陷之電路佈局的模板及該披覆層同時加熱至該披覆層具有可塑性之溫度以上。
[n]	(D)將該模板蓋覆於該披覆層之上，並施加壓力使該披覆層上形成一具有電路佈局的凸出部，及無設置電路佈局之凹陷部。
[n]	(E)待冷卻後將該模板取下。
[n]	(F)將該披覆層之凹陷部去除，而使不設置電路佈局之透明導電膜裸露。
[n]	(G)以蝕刻的方式將裸露之透明導電膜去除，該披覆層之凸出部下之透明導電膜即形成具有電路佈局之透明電極。
[n]	本發明之功效能提供一種製程中不需昂貴的黃光儀器及光阻劑和顯影劑的透明電極製作方法，利用此製程可達到大幅度降低製作成本，減少化學廢液的產生，及生態保育之功效。
	【實施方式】
[n]	有關本發明之前述及其他技術內容、特點與功效，在以下配合參考圖式之一較佳實施例的詳細說明中，將可清楚的明白。
[n]	參閱圖2，本發明之製作方法是用於製造一透明電極，所述透明電極係為製作液晶面板之重要元件之一，其製作方法之較佳實施例包含有以下步驟：
[n]	(A)於一基板2上疊覆一透明導電膜3，該基板2一般是以透明之玻璃材質為主，該透明導電膜3是由銦錫氧化物(Indium-Tin-Oxide，簡稱ITO)所組成，具有可撓曲性，極佳之導電性、高可見光穿透性及高紅外線反射等特性，該透明導電膜3是以濺鍍的方式沉積於該基板2上，一般該透明導電膜3厚度約為100nm。
[n]	(B)以熱塑性材料均勻塗佈於該透明導電膜3上，而形成一厚度約為2μm的披覆層4，該熱塑性材料是由高分子聚甲基丙烯酸甲酯所組成。其塗佈方法是先將熱塑性材料加熱至105℃以上，使其具有可塑性，並以旋轉塗佈方式將熱塑性材料淋滴於該透明導電膜3上，而在該透明導電膜3上形成均勻分佈之披覆層4。
[n]	(C)將一具有電路佈局形狀之凹槽51的模板5及該披覆層4 同時加熱至該披覆層4具有可塑性之溫度以上，約120℃。該模板5之製作是將電路佈局圖像利用電子束投射成像於該模板5上，再經金屬沉積及離子蝕刻 (RIE)技術而將電路佈局以凹陷的形式刻於該模板5上而形成凹槽51。
[n]	(D)將該模板5蓋覆於該披覆層4之上，並施加壓力使該披覆層4上形成一具有電路佈局圖像形狀的凸出部41，及電路佈局圖像以外之凹陷部42。
[n]	(E)待冷卻後將該模板5取下。
[n]	(F)以離子蝕刻(RIE)方式將該披覆層4之凹陷部42去除，而使不設置電路佈局之透明導電膜3裸露。本實施例中是以氧氣電漿來去除該披覆層4之凹陷部42。
[n]	(G)以草酸為蝕刻液，用濕蝕刻的方式將裸露之透明導電膜3蝕刻去除，該披覆層4之凸出部41下之透明導電膜3即形成具有電路佈局形狀之透明電極。
[n]	(H)最後再以離子蝕刻(RIE)方式將該披覆層4之凸出部41去除，使有電路佈局形狀之透明電極完全伸露於外，即完成透明電極之製作。
[n]	由以上本實施例的實施可以發現，本實施例與習知者相較具有如下之優點：
[n]	1.是以熱壓印之技術將電路佈局圖轉印至該披覆層4上，沒有光學繞射的問題，電路佈局之線路寬度不受光學技術瓶頸之限制。
[n]	2.不需使用昂貴之光學顯影設備，降低生產成本。
[n]	3.不使用光阻層及顯影液來成像於該披覆層4上，可減低人員受化學藥劑危害之風險，降低對環境生態之污染。
[n]	4.以熱壓印將電路佈局圖印蓋於該披覆層4上，良率較高，光學顯影技術可能因曝光時間或浸泡顯影液時間過長而產生圖案不清或脫離該披覆層4之瑕疵品。
[n]	歸納上述，本發明透明電極之製作方法，故確實能製作出低成本、良率高、且低污染的透明電極具有極佳之產業利用價值。
[n]	惟以上所述者，僅為本發明之較佳實施例而已，當不能以此限定本發明實施之範圍，即大凡依本發明申請專利範圍及發明說明書內容所作之簡單的等效變化與修飾，皆應仍屬本發明專利涵蓋之範圍內。
	【圖式簡單說明】
[n]	圖1是習知之黃光微影蝕刻技術之製程；及
[n]	圖2是本發明透明電極之製作方法較佳可行實施例的過程示意圖。
	【主要元件符號說明】
[y]	2．．．基板
[y]	3．．．透明導電膜
[y]	4．．．披覆層
[y]	41．．．凸出部
[y]	42．．．凹陷部
[y]	5．．．模板
[y]	51．．．凹槽

七、

申請專利範圍：

1. 一種透明電極之製作方法，包含：(A)於一基板上疊覆一透明導電膜；(B)以熱塑性材料均勻塗佈於該透明導電膜上，而形成一披覆層；(C)將一刻有凹陷之電路佈局的模板及該披覆層同時加熱至該披覆層具有可塑性之溫度以上；(D)將該模板蓋覆於該披覆層之上，並施加壓力使該披覆層上形成一具有電路佈局的凸出部，及無設置電路佈局之凹陷部；(E)待冷卻後將該模板取下；(F)將該披覆層之凹陷部去除，而使不設置電路佈局之透明導電膜裸露；(G)以蝕刻的方式將裸露之透明導電膜去除，該披覆層之凸出部下之透明導電膜即形成具有電路佈局之透明電極；及(H)以蝕刻方式將該披覆層之凸出部去除。
2.依據申請專利範圍第1項所述之透明電極之製作方法，其中，該透明導電膜是由銦錫氧化物所組成。
3.依據申請專利範圍第1項所述之透明電極之製作方法，其中，該熱塑性材料是由高分子聚甲基丙烯酸甲酯所組成。
4.依據申請專利範圍第1項所述之透明電極之製作方法，其中，該步驟(F)中是以氧氣電漿去除該披覆層之凹陷部。
5.依據申請專利範圍第1項所述之透明電極之製作方法，其中，該步驟(G)中是以草酸為蝕刻液，將裸露之透明導電膜去除。
6.依據申請專利範圍第1項所述之透明電極之製作方法，其中，該步驟(B)中是將熱塑性材料加熱至具有可塑性之溫度以上，並以旋轉塗佈方式將熱塑性材料淋滴至於該透明導電膜上，而在該透明導電膜上形成該披覆層。

八、	圖式：
	圖1 圖2

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