| 專利範圍 |
1. 一種用以製造金-絕-半-絕-金式多重負微分電阻
元件之方法,包含步驟:
提供一晶圓;
形成一第一層於該晶圓上;
形成一第二層於第一層上方;
形成一第三層於第二層上方;以及
蒸鍍一金屬陰極及陽極於第三層上方;
此元件利用第二層所造成之步階漸變式副量子井內載子連
續堆積過程和位障降低效應而產生多重負微分電阻特性。
2. 如申請專利範圍第1項所述之方法,其中提供晶圓包含
提供半絕緣砷化鎵晶圓。
3. 如申請專利範圍第1項所述之方法,其中形成第一層包
含形成一厚度約0.5um而雜質摻雜濃度約為1�10@su1@
su6cm@su-@su3之n-型第一層。
4. 如申請專利範圍第1項所述之方法,其中形成第二層包
含形成一包括有序變化之四層成份之第二層。
5. 如申請專利範圍第4項所述之方法,其中第二層該四層
成份變化層,各層厚度皆約50埃而雜質摻雜濃度約為1� 10@su1@su6cm@su-@su3之n-型砷化銦鎵層;其成份變化銦
和鎵之莫耳百分比為第一層5:95,第二層10:90,第三
層15:85及第四層20:80。
6. 如申請專利範圍第1項所述之方法,其中形成第三層包
含一厚度約200埃而雜質摻雜濃度約為之1�10@su1@su6cm
@su-@su3之n-摻雜砷化鎵鋁第三層。
7. 如申請專利範圍第6項所述之方法,其中第三層由鋁和
鎵莫耳百分比30:70之砷化鎵鋁所形成。
8. 如申請專利範圍第1項所述之方法,其中金屬陰極及陽
極由金元素蒸鍍在第三層上方。
9. 如申請專利範圍第8項所述之方法,其中金元素和第三
層之間為蕭特基接觸。
10. 如申請專利範圍第1項所述之方法,該金-絕-半-
絕-金式多重負微分電阻元件為室溫三重,-105℃低溫六
重之負微分電阻元件。
11. 一種金-絕-半-絕-金式多重負微分電阻元件,其
結構由下而上包括:
一晶圓;
一第一層生長於該晶圓上;
一第二層生長於第一層上方;
一第三層生長於第二層上方;以及
一金屬陰極及陽極蒸鍍在第三層上方;
此元件利用第二層所造成之步階漸變式副量子井內載子連
續堆積過程和位障降低效應而產生多重負微分電阻特性。
12. 如申請專利範圍第11項所述之金-絕-半-絕-金式
多重負微分電阻元件,其中該晶圓由半絕緣砷化鎵所構成
。
13. 如申請專利範圍第11項所述之金-絕-半-絕-金式
多重負微分電阻元件,其中第一層該層為一厚度約0.5um
而雜質摻雜濃度約為1�10@su1@su6cm@su-@su3之n-型砷
化鎵層。
14. 如申請專利範圍第11項所述之金-絕-半-絕-金式
多重負微分電阻元件,其中第二層該層包括有序變化之四
層成份變化層。
15. 如申請專利範圍第14項所述之金-絕-半-絕-金式
多重負微分電阻元件,其中第二層該四層成份變化層,各
層厚度皆約50埃而雜質摻雜濃度約為1�10@su1@su6cm@su
-@su3之n-型砷化銦鎵層;其成份變化銦和鎵之莫耳百分
比為第一層5:59,第二層10:90,第三層15:85及第四
層20:80。
16. 如申請專利範圍第11項所述之金-絕-半-絕-金式
多重負微分電阻元件,其中第三層該層為一厚度約200埃
而雜質摻雜濃度約為之1�10@su1@su6cm@su-@su3之n-摻
雜砷化鎵鋁層。
17. 如申請專利範圍第16項所述之金-絕-半-絕-金式
多重負微分電阻元件,其中第三層由鋁和鎵莫耳百分比30
:70之砷化鎵鋁所形成。
18. 如申請專利範圍第11項所述之金-絕-半-絕-金式
多重負微分電阻元件,其中金屬陰極及陽極由金元素蒸鍍
在第三層上方。
19. 如申請專利範圍第18項所述之金-絕-半-絕-金式
多重負微分電阻元件,其中金元素和第三層之間為蕭特基
接觸。
20. 如申請專利範圍第11項所述之金-絕-半-絕-金式
多重負微分電阻元件,該金-絕-半-絕-金式多重負微
分電阻元件為室溫三重,-150℃低溫六重之負微分電阻元
件。
圖示簡單說明:
圖一係本發明金-絕-半-絕-金式多重負微分電阻元件
之結構圖。
圖二係本發明金-絕-半-絕-金式多重負微分電阻元件
於關閉狀態(off-state)之能帶圖。
圖二A係本發明金-絕-半-絕-金式多重負微分電阻元
件,由於能帶不連續(���Ec)所造成的副量子井能帶圖。
圖二B係本發明金-絕-半-絕-金式多重負微分電阻元
件,由於能帶不連續(���Er)所造成的副量子井能帶圖。
圖三係本發明金-絕-半-絕-金式多重負微分電阻元件
於on-state(虛線)及flatband state(實線)之能帶圖。
圖四係本發明金-絕-半-絕-金式多重負微分電阻元件
由於載子堆積所造成之位能重新分佈圖。
圖五(a)係本發明金-絕-半-絕-金式多重負微分電阻
元件在室溫27℃時之電流-電壓特性圖。
圖五(b)係本發明金-絕-半-絕-金式多重負微分電阻 |
