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435_088-076CP-TW

發佈日期 : 2009-04-30
公告號 243549
專利名稱 矽晶片接線墊焊錫隆點之製造方法(全文下載)
公告/公開日 1995/03/21
證書號 070945
申請日 1994/05/18
申請號 083104508
國際分類 H01L-023/488
公報卷期 22-09
發明人 李傳英
林光隆
申請人 行政院國家科學委員會 台北巿和平東路二段一○六號十八樓
代理人名 蔡清福
摘要 一種矽晶片接線墊焊錫隆點之製造方法,其包括:a .令一矽晶片為基層,該基層上具導出線接點;b .使基層上之導出線接點上形成一第一金屬墊層;c .將第一金屬墊層置於含鋅之溶液中,使形成一鋅置換層;d .將鋅置換層置於無電鍍鎳磷鍍浴中所鍍,使形成一第二金屬墊層;以及 e .將矽晶片浸入熔融之錫中,使於第二金屬墊層上形成焊錫接點。
專利範圍 1.一種矽晶片接線墊焊錫隆點之製造方法,其包括:a.令
一矽晶片為基層,該基層上具導出線接點; b.使基層上之
導出線接點上形成一第一金屬墊層; c.將第一金屬墊層置
於含鋅之溶液中,使形成一鋅置換層; d.將鋅置換層置於
無電鍍鎳磷鍍浴中析鍍,使形成一第二金屬墊層;以及e.
將矽晶片浸入熔融之錫中,使於第二金屬墊層上形成焊錫
接點。
2.如申請專利範圍第1項所述之製造方法,其中該第一金
屬墊層係鋁墊層。
3.如申請專利範圍第2項所述之製造方法,其中該鋁墊層
於形成鋅置換層前可先加鹼洗作業,以鹼性溶液洗除第一
金屬墊層上之油脂。
4.如申請專利範圍第3項所述之製造方法,其中該鹼性溶
液係約5wt之溶液。
5.如申請專利範圍第2項所述之製造方法,其中該鋁墊層
於形成鋅置換層前可先加酸洗作業,以酸性溶液洗除第一
金屬墊層上之氧化物。
6.如申請專利範圍第5項所述之製造方法,其中該酸性溶
液係約50vol之硝酸溶液。
7.如申請專利範圍第1項所述之製造方法,其中該含鋅之
溶液每公升中約含120-150g之NaOH、20-25g之ZnO、1g
之NaNOC_3C及45-55g之CC_4CHC_4CKNaOC_6C.4HC_2CO溶
液。
8.如申請專利範圍第7項所述之製造方法,其中該溶液可
添加酒石酸、氰酸鹽等離子,以降低第一金屬墊層之溶解
速率。
9.如申請專利範圍第1項所述之製造方法,其中該無電鍍
鎳磷鍍浴中之溶液係每公升中約含30-35g之NiClC_2C.6H
C_2CO、7.5-10g之NaHC_2CPOC_2C.HC_2CO、72-80g之Na
C_3CCC_6CHC_5COC_7C.2HC_2CO及45-50g之NHC_4CCl,其
PH値為約為9.5-10.5,而鍍層中磷之含量約為4wt。
10.如申請專利範圍第1項所述之製造方法,其中該無電
鍍鎳磷鍍浴中之溶液係每公升中約含16-18g之NaHC_2CPO
C_2C.HC_2CO、60-70g之(NHC_4C)C_2CSOC_4C、55-65g
之NaC_3CCC_6CHC_5COC_7C.2HC_2CO及26-30g之NiSOC_4C
.6HC_2CO,其PH値為約為8.5-9.5,而鍍層中磷之含量約
為6.5wt。
11.如申請專利範圍第1項所述之製造方法,其中該無電
鍍鎳磷鍍浴中之溶液係每公升中約含20-30g之NiClC_2C.
6HC_2CO、25-30g之NaHC_2CPOC_2C.HC_2CO、16g之NaC_2
CCC_4CHC_4COC_4C.7HC_2CO,其PH値為約為4.6-5,而鍍
層中磷之含量約為8.5wt。
12.如申請專利範圍第1項所述之製造方法,其中該無電
鍍鎳磷鍍層之厚度約2���m。
13.如申請專利範圍第12項所述之製造方法,其中該第二
金屬墊層後可加鍍一無電鍍第三金屬層,以增加焊錫之焊
接性。
14.如申請專利範圍第13項所述之製造方法,其中該第三
金屬層係黃金。
15.如申請專利範圍第14項所述之製造方法,其中該第三
金屬層之厚度約0.2���m。
16.如申請專利範圍第14項所述之製造方法,其中該無電
鍍第三金屬層鍍浴之溶液係每公升中約含1.5-2.5g之KAu
(CN)C_2C、70-80g之NHC_4CCl、50-75g之NaC_3CCC_6CH
C_5COC_7C.2HC_2CO及10g之NaHC_2CPOC_2C.HC_2CO。
17.如申請專利範圍第14項所述之製造方法,其中該所形
成之黃金鍍層,其後可浸入助熔劑後約5秒後,再將矽晶
片浸入熔融之焊錫爐中,使於第三金屬墊層上形成焊錫接
點。
18.如申請專利範圍第17項所述之製造方法,其中該助熔
劑係約10g之Stearic Acid、10g之Glutamic Acid及20ml
之酒精混合液。
19.如申請專利範圍第17項所述之製造方法,其中該焊錫
接點係焊錫隆點。
20.如申請專利範圍第1項所述之製造方法,其中該熔融
之錫中係焊錫爐中。
21.如申請專利範圍第1項所述之製造方法,其中該焊錫
接點係焊錫隆點。
22.一種矽晶片鋁墊焊錫隆點之製品,其包括:一矽晶片
,其上具電路及導出線接點;一第一金屬鋁墊層,其係鍍
著於基層之導出線接點上;一鋅置換層,其係置換該金屬
鋁墊層;以及一第二金屬墊層,其係以無電鍍鍍著一鎳層
於鋅置換層之導出線接點上。
23.如申請專利範圍第22項所述之製品,其中該第二金屬
墊層上更包括一第三金屬墊層,其係以無電鍍鍍著於第二
金屬墊層之上,以增加焊錫之焊接性。
24.如申請專利範圍第23項所述之製品,其中該第三金屬
墊層係黃金層,以增加焊錫之焊接性。第一圖:係本案鋅
置換後鋁墊的表面型態及元素分佈掃瞄圖。第二圖:係本
案矽晶片在無電鍍鎳磷後的表面型態,以及鎳原子的點掃
瞄分析圖。第三圖:係本案焊錫隆點的上視圖以及鉛錫的
線掃瞄分析圖。第四圖:係本案焊錫隆點的側視圖。第五
圖:係本案焊錫隆點經150℃,1000小時熱處理後,試片
橫截面的歐傑電子光譜元素線掃描分析圖,無電鍍鎳中含
磷量為8.5wt。第六圖:係本案焊錫隆點經150℃,1000小
時熱處理後,試片橫截面的歐傑電子光譜元素線掃描分析
圖,無電鍍鎳中含磷量為6.5wt。第七圖:係本案焊錫隆
點經150℃,1000小時熱處理後,試片橫截面的歐傑電子
雜項資料  
專利權異動
專利申
請案號
授權
註記
質權
註記
讓與
註記
繼承
註記
信託
註記
異議
註記
舉發
註記
消滅
日期
撤銷
日期
專利權
始日
專利權
止日
年費有
效日期
年費有
效年次
083104508     19950321 20140517 20140517 020
申請案件狀態
專利申
請案號
狀態異
動日期
案件申
請日期
實體審查
申請日
相關申
請案號
公開號 公告號 證書號 證書型別 狀態異
動資料
083104508 19950321 19940518       243549 070945 發明 初審核准
 
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