436_088-075CP-TW
發佈日期 :
2009-04-30
| 243548 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 鉬/氮擴散障礙層晶體(全文下載) | |||||||||||||||||||||||||||||
| 1995/03/21 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 070887 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 1994/04/15 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 083103374 | |||||||||||||||||||||||||||||
| H01L-023/48 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 22-09 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 蔡清福 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 一種含鉬／氮擴散障礙層晶體之製造方法，其包括：ａ．令一矽晶片為基層，該基層上具導出線接點；ｂ．使基層上之導出線接點上形成一第一金屬墊層；ｃ．以鉬為鍍著法中靶臺之靶，將其鍍著至第一金屬墊層上；ｄ．以鍍著方式控制功率及氮氣之分壓，使於第一金屬墊層上形成一鉬／氮（γ- Mo2N）鍍層；以及ｅ．於鉬／氮鍍層上鍍著一第二金屬墊層，以防止與其下第一金屬墊層間相互擴散反應，而影響其導電功能。 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 1.一種含鉬/氮擴散障礙層矽晶體之製造方法,其包括:a .令一矽晶片為基層,該基層上具導出線接點; b.使基層 上之導出線接點上形成一第一金屬墊層; c.以鉬為鍍著法 中靶臺之靶,將其鍍著至第一金屬墊層上; d.以鍍著方式 控制功率及氮氣之分壓,使於第一金屬墊層上形成一鉬/ 氮(���-MoC_2CN)鍍層;以及e.於鉬/氮鍍層上鍍著一第 二金屬墊層,以防止與其下第一金屬墊層間相互擴散反應 ,而影響其導電功能。 2.如申請專利範圍第1項所述之製造方法,其中該所形成 之鉬/氮層,其厚度約2500以上。 3.如申請專利範圍第1項所述之製造方法,其中該所形成 之鉬/氮層,其氮氣之分壓為0.3mTorr以上。 4.如申請專利範圍第1項所述之製造方法,其中該所形成 之鉬/氮層,係呈柱狀組織。 5.如申請專利範圍第1項所述之製造方法,其中該所形成 之鉬/氮層,其之含氮量約3.5atomic-。 6.如申請專利範圍第1項所述之製造方法,其中該所形成 之鉬/氮層係���-MoC_2CN層。 7.如申請專利範圍第1項所述之製造方法,其中該所形成 之鉬/氮層係MoN層。 8.如申請專利範圍第1項所述之製造方法,其中該所形成 之鉬/氮層係Mo層。 9.一種含鉬/氮擴散障礙層矽晶體之製品,其包括:一矽 晶片,其上具電路及導出線接點;一第一金屬墊層,其係 鍍著於基層之導出線接點上;一鉬/氮鍍層,其係鍍著於 第一金屬墊層之導出線接點上;以及一第二金屬墊層,其 係鍍著於鉬/氮鍍層上,作為實際之導出線接點。 10.如申請專利範圍第9項所述之製造方法,其中該所形 成之鉬/氮層,其厚度約2500以上。 11.如申請專利範圍第9項所述之製造方法,其中該所形 成之鉬/氮層,其含氮量約3.5atomic-。 12.如申請專利範圍第9項所述之製造方法,其中該所形 成之鉬/氮層係���-MoC_2CN層。第一圖:係本案以WDS半 定量分析Mo-N鍍層其成份與氮氣分壓之關係圖。第二圖 :係本案不同之分壓下所形成Mo-N層之XRD圖。第三圖: 係本案經550℃真空熱處理之XRD分析圖。第四圖:係本案 經500℃真空熱處理之AES縱深奧傑電子光譜元素分析圖。 |
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| 專利權異動 |
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| 申請案件狀態 |
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