| 專利範圍 |
1.一種於半導體晶片之電極上製作焊錫隆點的連續方法,
包含下列步驟:
a)於一半導體晶圓之複數個半導體晶片的電極上形成一擴
散障礙層;
b)於該擴散障礙層上形成一潤濕層;
c)將複數個具有該擴散障礙層及潤濕層的半導體晶圓,以
該擴散障礙層及潤濕層朝向地面的方式連續通過一熔融焊
錫波面,並讓該等半導體晶圓具擴散障礙層及潤濕層的一
表面與該熔融焊錫波面接觸,於是在該潤濕層表面上形成
焊錫隆點,且在除了該擴散障礙層及潤濕層以外的半導體
晶片表面上實質上不形成有焊錫隆點。
2.如申請專利範圍第1項的連續方法,其中該熔融焊錫波
面係使用一溫度介於210℃至360℃之鉛錫合金而形成。
3.如申請專利範圍第1項的連續方法,其中該等半導體晶
圓於通過該熔融焊錫波面之前被預熱至一介於150℃至200
℃的溫度。
4.如申請專利範圍第1項的連續方法,其中該等半導體晶
圓與該熔融焊錫波面接觸的時間介於3秒至7秒。
5.如申請專利範圍第2項的連續方法,其中該鉛錫合金為
63Sn-37Pb或95Pb-5Sn。
6.如申請專利範圍第1項的連續方法,其中該等半導體晶
圓被預熱的時間介於20秒至40秒。
7.如申請專利範圍第1項的連續方法,其中該等半導體晶
圓通過該熔融焊錫波面的速度介於1.0m/min至2.5m/min。
8.如申請專利範圍第1項的連續方法,其中該潤濕層上所
形成的焊錫隆點被進一步施予一助熔劑並加熱重流之,而
加高該焊錫隆點的高度。
9.如申請專利範圍第1項的連續方法,其中該潤濕層為Au
、Pd、Cu、Sn、Ag或Cr或其等彼此之間的合金。
10.如申請專利範圍第1項的連續方法,其中該擴散障礙
層為Mo、MoN、Ni、非電鍍Ni或TiN。
11.如申請專利範圍第1項的連續方法,其中該擴散障礙
層的厚度介於3000埃至5000埃。
12.如申請專利範圍第1項的連續方法,其中該潤濕層的
厚度介於3000埃至5000埃。
13.如申請專利範圍第1項的連續方法,其中該擴散障礙
層係使用一用於形成該半導體晶片之電極的樣式化光阻作
為罩層進行濺鍍而形成。
14.如申請專利範圍第13項的連續方法,其中該潤濕層係
接著該擴散障礙層之濺鍍後,繼續濺鍍另一種材料,及剝
除該樣式化光阻罩層而形成。
圖示簡單說明:
第一圖為本發明方法中製作焊錫隆點下方金屬(Under
BumpMetallurgies,簡稱UMB)的流程圖。
第二圖為依本發明方法之一第一實施例所製作焊錫隆
點下方金屬(5000A Al/5000A Mo/5000A Pd)的歐傑縱
深分析圖。
第三圖為依本發明方法之一第二實施例所製作焊錫隆
點下方金屬(5000A Al/5000A ���-Mo2N/5000A Pd)的歐
傑縱深分析圖。
第四圖為依本發明方法之一第三實施例於一矽晶圓(3
.0英吋)所製得焊錫隆點的放大照片,其中該矽晶圓有8� 8組矽晶片,每片矽晶片有20�20個100���m�100���m大小
之焊錫隆點。
第五圖為第四圖之進一步放大照片。
第六圖依本發明方法之一第四實施例於一矽晶圓(3.0
英吋)所製得焊錫隆點的放大照片,其中該矽晶圓有8�8
組矽晶片,每片矽晶片有20�20個100���m�100���m大小之
焊錫隆點。
第七圖為第六圖之進一步放大照片。
第八圖依本發明方法之一第五實施例於一矽晶圓(3.0
英吋)所製得焊錫隆點的放大照片,其中該矽晶圓有8�8
組矽晶片,每片矽晶片有20�20個100���m�100���m大小之
焊錫隆點。
第九圖為第八圖之進一步放大照片。
mbox第十圖依本發明方法之一第三實 施例於一矽晶
圓(3.0英吋)所製得焊mbox錫隆點[Al(5000A)/���--Mo2N(
5000A) /Pd(5000A)/63Sn-37Pb的歐傑縱深分析圖,其
中該焊錫隆點經150℃熱處理1000小時。 |
