| 專利範圍 |
1﹒一種大電流之氣體感測器,包括:
一第一半導體具有第一表面及第二表
一半導體薄層接合於第一表面,當偵
測到某一氣體時,其將會增加導電率;
一絕緣體薄層,其與該半導體薄層並
聯接在第一表面,在足夠的電壓之下,該
絕緣體薄層,可以通過穿透電流,而呈導
通狀態。
二電極,其由第二金屬形成之陽極,
係電連接於該第二表面,而其中第一金屬
形成之陰極,並聯接合該絕緣體薄層及半
導體薄層俾使該感測器,當未感測有某一
氣體時,該氣體感測器係呈ON狀態,於感
測到有該某一氣體時,該氣體感測器係呈
OFF 狀態。
2﹒如申論專利範圍第1項所述之氣體感測器
,其中該第一半導體可為n/p+矽晶片。
3﹒如申請專利範圍第1項所述之氣體感測器
,其中該第一表面可為n/p+矽晶片之n上
晶面。
4﹒如申請專利範圍第1項所述之氣體感測器
,其中該第二表面可為n/p+矽晶片之p+下
晶面。
5﹒如申請專利範圍第1項所述之氣體感測器
,其中該半導體薄層,可以為SnO2。
6﹒如申請專利範圍第5項所述之氣體感測器
,其中該半導體薄層係可以用蒸著之方式
接合在第一表面上。
7﹒如申請專利範圍第1項所述之氣體感測器
,其中該第一金屬可為Ag。
8﹒如申請專利範圍第1項所述之氣體感測器
,其中該第一金屬可為Au。
9﹒如申請專利範圍第7項所述之氣體感測器
,其中該第一金屬,可以用蒸鍍的方法,
蒸鍍並聯該絕緣體與該半導體薄層。
10﹒如申請專利範圍第1項所述之氣體感測
器,其中該第二金屬可為Al。
11﹒如申請專利範圍第10項所述之氣體感測
器,其中該第二金屬可以用蒸鍍的方式鍍
在第二表面。
12﹒如申請專利範圍第1項所述之氣體感測
器,其中該絕緣體薄層可為SiO2。
13﹒如申請專利範圍第12項所述之氣體感測
器,其中該絕緣體薄層可用氧化的方式獲
得。
14﹒如申請專利範圍第1項所述之氣體感測
器,其中該某一氣體可為氫氣(H2)。
15﹒如申請專利範圍第1項所述之氣體感測
器,其中該某一氣體可為酒精氣體
(ethano1)。
16﹒如申請專利範圍第1項所述之氣體感測
器,其絕緣體薄層之厚度可以介於25A─
35A。
17﹒如申請專利範圍第1項所述之氣體感測
器,其半導體薄層之厚度可以介於600A
─800A。
18﹒如申請專利範圍第1項所述之氣體感測
器,其中之氣體感測器更包括一直流電源
供應裝置。
19﹒如申請專利範圍第18項所述之氣體感測
器,其中之直流電源供應裝置,其供應實
値可以是2伏特(voltage)。
圖示簡單說明:
第一圖:係代表傳統電阻氣體感測器
(gas sens0r)結構。
第二圖:係示大電流氣體感測器
(MISS S gaS sens0r) (a) 空氣、(b)
200ppm酒精氣體及(c) 250ppm,氫氣在
室溫丁之I/V圖。
第三圖:係代表本案大電流氣體感測
器之結構圖。
第四圖:係代表當未感測到氣體時之
剖示能帶圖,其係可呈0N狀態。
第五圖:當感測到氣體時之剖示能帶
圖,其可在n一type區呈空乏區,故呈0FF
狀態。 |
