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470_088-052CP-TW

發佈日期 : 2009-04-30
公告號 328969
專利名稱 鎳鋁介金屬基陶瓷複合材料之製造方法(全文下載)
公告/公開日 1998/04/01
證書號 093803
申請日 1995/09/30
申請號 084110286
國際分類 B22F-003/14
公報卷期 25-10
發明人 劉添瑞
申請人 江秀完 台南巿小東路三○七巷九十一弄十號
摘要 本發明係有關於一種鎳鋁介金屬基陶瓷複合材料之製造方法,特別是鎳鋁介金屬-氧化物陶瓷複合材料之製造方法;其特徵是將鎳鋁介金屬粉末於含氧的氣氛下做適當的氧化處理,使一厚度適中的氧化物薄膜形成於鎳鋁介金屬粉末的表面層,再將粉末施以熱壓燒結後即製造成鎳鋁介金屬-氧化物陶瓷複合材燒結體;此複合材燒結體之機械性質優於鎳鋁介金屬粉末未經氧化處理者。
專利範圍 1.一種鎳鋁介金屬基陶瓷複合材料之製造方法,其特徵係
包括下列步驟:a.鎳鋁介金屬粉末在空氣中700℃下進行
氧化處理,其氧化處理之持溫時間為0-4小時;其中之持
溫時間0小時是指以一定的升溫速率加熱至700℃後,即
關閉電源停止加熱的過程; b.氧化處理後之鎳鋁介金屬粉
末,在真空中進行熱壓燒結,其燒結條件為1400℃溫度下
持溫0-2小時,熱壓壓力為30-40MPa,以製得緻密的塊
狀鎳鋁介金屬基陶瓷複合材料者。
2.如申請專利範圍第1項所述之製造方法,其中步驟a之
氧化處理,是以每分鐘小於10℃之升溫速率由室溫加熱至
700℃者。
3.如申請專利範圍第1項所述之製造方法,其中步驟a之
鎳鋁介金屬粉末在空氣中700℃進行氧化處理之最佳持溫
時間為4小時。
4.如申請專利範圍第1項所述之製造方法,其中製造步驟
a鎳鋁介金屬粉末改以在氧氧氣氛中進行氧化處理者。
5.如申請專利範圍第1項所述之製造方法,其中步驟b改
以在氬氣或氮氣氣氛中進行熱壓燒結者。圖示簡單說明:
第一圖為鎳鋁介金屬粉末經適當的氧化處理後,在粉末表
面形成一薄且厚度適中的氧化物層之示意圖。第二圖為鎳
鋁介金屬粉末經較高溫度或較長時間的氧化處理,在粉末
表面形成的氧化物層因太厚而有部分剝裂(Spalling)現象
及孔隙形成之示意圖,其中之M及O分別表示金屬離子及氧
離子的擴散。第三圖為鎳鋁介金屬粉末經氧化處理後,其
鎳鋁介金屬基材與氧化物之間,存在著一組成濃度呈梯度
分佈之示意圖,其中黑色處及白色處分別表示氧化物陶瓷
及鎳鋁介金屬;該氧化物陶瓷及鎳鋁介金屬之組成濃度(y
)分佈分別以y1及y2表示。第四圖為本發明實施例中未經
氧化處理之鎳鋁介金屬粉末(圖A)及其經700℃、800℃及
1000℃氧化處理2小時之粉末(分別為圖B、圖C及圖D),
其表面以Ar+離子濺射的AES(Auger electron
spetrometer)縱深分析之結果。第五圖為本發明實施例中
鎳鋁介金屬粉末於熱壓燒結過程中之溫度(實線表示)及熱
壓壓力(虛線表示)曲線圖,其中之戊及己分別表示以10℃
/分鐘及5℃/分鐘之升溫速率的燒結處理,庚表示在
1400℃持溫1小時,辛表示以30℃/分鐘之降溫速率的冷
卻處理。
雜項資料
雜項資訊 27卷09期 專利權消滅
專利權證號 I093803
專利申請號 084110286
專利權人 行政院國家科學委員會
專利名稱 鎳鋁介金屬基陶瓷複合材料之製造方法
消滅原因 未依限繳費(專利權當然消滅)
消滅日期 088/04/01
雜項資訊 26卷06期 專利權讓與
專利權證號 I93803
專利申請號 084110286
專利名稱 鎳鋁介金屬基陶瓷複合材料之製造方法
原專利權人 江秀完
受讓人 行政院國家科學委員會
專利權異動
專利申
請案號
授權
註記
質權
註記
讓與
註記
繼承
註記
信託
註記
異議
註記
舉發
註記
消滅
日期
撤銷
日期
專利權
始日
專利權
止日
年費有
效日期
年費有
效年次
084110286 19990401   19980401 20150929 19990331 001
申請案件狀態
專利申
請案號
狀態異
動日期
案件申
請日期
實體審查
申請日
相關申
請案號
公開號 公告號 證書號 證書型別 狀態異
動資料
084110286 19980401 19950930       328969 093803 發明 初審核准
 
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