| 專利範圍 |
1.一種高功率磷化銦鎵/砷化鎵超晶格射極共振穿透式異
質結構電晶體,其結構包括:一基板,包含砷化鎵材料;
一緩衝層,包含砷化鎵材料,形成於上述基板上;一集極
層,包含砷化鎵材料,形成於上述緩衝層上;一基衝層,
包含砷化鎵材料,形成於上述集極層上;一射極層,包含
砷化鎵材料,形成於上述基極層上;一5週期超晶格侷限
層,其障壁包含磷化銦鎵材料,其井包含砷化鎵材料,形
成於上述射極層上;以及一歐姆接觸層,包含砷化鎵材料
,形成於上述5週期超晶格侷限層上。
2.如申請專利範圍第1項所述之高功率磷化銦鎵/砷化鎵
超晶格射極共振穿透式異質結構電晶體,其中,上述基板
係由n+型砷化鎵所形成。
3.如申請專利範圍第1項所述之高功率磷化銦鎵/砷化鎵
超晶格射極共振穿透式異質結構電晶體,其中,上述緩衝
層係由n+型砷化鎵所形成。
4.如申請專利範圍第1項所述之高功率磷化銦鎵/砷化鎵
超晶格射極共振穿透式異質結構電晶體,其中,上述集極
層係由n-型砷化鎵所形成。
5.如申請專利範圍第1項所述之高功率磷化銦鎵/砷化鎵
超晶格射極共振穿透式異質結構電晶體,其中,上述基極
層係由p+型砷化鎵所形成。
6.如申請專利範圍第1項所述之高功率磷化銦鎵/砷化鎵
超晶格射極共振穿透式異質結構電晶體,其中,上述射極
層係由n型砷化鎵所形成。
7.如申請專利範圍第1項所述之高功率磷化銦鎵/砷化鎵
超晶格射極共振穿透式異質結構電晶體,其中,上述5週
期超晶格侷限層之上述障壁係由無摻雜之磷化銦鎵所形成
。
8.如申請專利範圍第1項所述之高功率磷化銦鎵/砷化鎵
超晶格射極共振穿透式異質結構電晶體,其中,上述5週
期超晶格侷限層之上述井係由n+型砷化鎵所形成。
9.如申請專利範圍第1項所述之高功率磷化銦鎵/砷化鎵
超晶格射極共振穿透式異質結構電晶體,其中,上述歐姆
接觸層係由n+型砷化鎵所形成。
10.如申請專利範圍第1項所述之高功率磷化銦鎵/砷化鎵
超晶格射極共振穿透式異質結構電晶體,其中,上述緩衝
層厚度約為3000埃,且其摻雜濃度為3�1018 cm -3 。
11.如申請專利範圍第1項所述之高功率磷化銦鎵/砷化鎵
超晶格射極共振穿透式異質結構電晶體,其中,上述集極
層厚度約為5000埃,且其摻雜濃度為3�1016cm-3 。
12.如申請專利範圍第1項所述之高功率磷化銦鎵/砷化鎵
超晶格射極共振穿透式異質結構電晶體,其中,上述基極
層厚度約為1200埃,且其摻雜濃度為5�1018cm-3 。
13.如申請專利範圍第1項所述之高功率磷化銦鎵/砷化鎵
超晶格射極共振穿透式異質結構電晶體,其中,上述射極
層厚度約為600埃,且其摻雜濃度為5�10 17 cm-3。
14.如申請專利範圍第1項所述之高功率磷化銦鎵/砷化鎵
超晶格射極共振穿透式異質結構電晶體,其中,上述5週
期超晶格侷限層之障壁厚度約為50埃。
15.如申請專利範圍第1項所述之高功率磷化銦鎵/砷化鎵
超晶格射極共振穿透式異質結構電晶體,其中,上述5週
期超晶格侷限層之井厚度約為50埃,且其摻雜濃度為1� 1018cm-3 。
16.如申請專利範圍第1項所述之高功率磷化銦鎵/砷化鎵
超晶格射極共振穿透式異質結構電晶體,其中,上述歐姆
接觸層厚度約為3000埃,且其摻雜濃度為3�1018cm-3
。圖式簡單說明:第一圖係繪示本創作之高功率磷化銦鎵
/砷化鎵超晶格射極共振穿透式異質結構電晶體之結構圖
;第二圖係繪示本創作之高功率磷化銦鎵/砷化鎵超晶格
射極共振穿透式異質結構電晶體之電流-電壓圖;第三圖
係繪示本創作之高功率磷化銦鎵/砷化鎵超晶格射極共振
穿透式異質結構電晶體之明顯N型負微分電流-電壓特性
曲線圖;以及第四圖a及第四圖b係繪示本創作之高功率磷
化銦鎵/砷化鎵超晶格射極共振穿透式異質結構電晶體之
能帶圖。 |
