| 專利範圍 |
1. 一種利用射出成型製作陶瓷元件之製法,係包含有:
將包含陶瓷粉末、黏結劑及塑形劑之塑形料均勻混合;以
射出成型方法將上述塑形料射出成型為胚體;
以適當之溶劑,溶解及移去經射出成型之胚體內之黏結劑
以部分脫脂;
經溶劑部分脫脂後之胚體,再以加熱脫脂移去剩餘之黏結
劑;
脫脂後之製品,在真空環境內經冷均壓,以在不產生變形
下降低其孔隙度;及
將冷均壓後之製品進行高溫燒結為陶瓷元件製品。
2. 如申請專利範圍第1項所述之利用射出成型製作陶瓷元
件之製法,其中該陶瓷粉末係包含40%-60%體積百分比之
氮化矽者。
3. 如申請專利範圍第1項所述之利用射出成型製作陶瓷元
件之製法,其中該助燒結劑係選自包含氧化釔、氧化鋁、
氧化鎂及二氧化鋯或前述二種以上之混合物者。
4. 如申請專利範圍第2項所述之利用射出成型製作陶瓷元
件之製法,其中該陶瓷粉末進一步包含有氧化釔及氧化鋁
之助燒結劑者。
5. 如申請專利範圍第1項所述之利用射出成型製作陶瓷元
件之製法,其中該黏結劑係選自聚環氧乙烯(
Polyethylene oxide)、矽乙基(ethylsilicate)、聚丙烯
(polypropylene)、聚乙烯、乙烯—丙烯共聚體、石蠟(
paraffin wax)、硬脂酸(stearic acid)、環氧樹脂(
Epoxy),及不同形式的樹脂(Resin),或前述二種以上之
混合物者。
6. 如申請專利範圍第2項所述之利用射出成型製作陶瓷元
件之製法,其中該黏結劑係包含聚丙烯(polypropylene)
、石蠟(paraffin wax)及硬脂酸(stearic acid);該塑形
劑係包含苯二甲酸二乙酯(diethyl phthalate)。
7. 如申請專利範圍第1項所述之利用射出成型製作陶瓷元
件之製法,其中該溶劑係選自包含正己烷(n-hexane)、正
丁烷(n-pentane)或正庚烷(n-heptane)者。
8. 如申請專利範圍第2項所述之利用射出成型製作陶瓷元
件之製法,其中該溶劑係為正庚烷(n-heptane)者。
9. 如申請專利範圍第1.2項所述之利用射出成型製作陶
瓷元件之製法,其中該溶劑之溫度以在低於其沸點5-10
℃者。
10. 如申請專利範圍第1.2項所述之利用射出成型製作陶
瓷元件之製法,其中該加熱脫脂之最高加熱溫度為600℃
者。
11. 如申請專利範圍第1.2項所述之利用射出成型製作陶
瓷元件之製法,其中該冷均壓之壓力係施加在650-
750kgf/㎝@su2之壓力。
12. 如申請專利範圍第1.2項所述之利用射出成型製作陶
瓷元件之製法,其中該射出成型設定加熱擠筒之溫度為
210-230℃,模頭溫度略高於擠筒溫度,射出壓加則設定
在450-800kgf/㎝@su2之間,射出速度為30cc/sec-60cc
/sec。
13. 如申請專利範圍第2項所述之利用射出成型製作陶瓷
元件之製法,其中該高溫燒結係進一步置於包含粉末床,
進行氮氣氛下高溫燒結者。
14. 如申請專利範圍第13項所述之利用射出成型製作陶瓷
元件之製法,其中該高溫燒結之粉末床係為氮化矽及助燒
結劑之混合粉末為最佳者。
圖示簡單說明:
第一圖係本發明在不同溶劑和溫度下脫脂的重量損失圖。
第二圖係本發明在不同溫度下熱脫脂的重量損失率圖。
第三圖係本發明在不同溫度下熱脫脂所造成的孔隙分佈曲
線圖。
第四圖係本發明 熱脫脂升溫曲線圖。 |
