| 專利範圍 |
1. 一種高密度氮化鋁(A1/A1N)複合材料的製程,其係採
用有螺紋密閉的石墨坩堝,並在A1/A1N的周圍填充75wt%
A1及25 wt% A1N的混合粉末,經高溫燒結時,利用粉末床
中A1的揮發所形成蒸氣壓,抑制試片中A1的揮發並滲入試
片的空隙中。
2. 如申請專利範圍第1項所述的製程,金屬粉末及陶瓷粉
末混合後,以注漿成形、模壓及冷均壓等方式成形,然後
在高溫下合成。
3. 如申請專利範圍第1項所述的製程,粉末床中A1的含量
為50%-100%。
4. 如申請專利範圍第1項所述的製程, A1/A1N中所含的A1
含量為20%到40%。
圖示簡單說明:
圖1光學顯微照片顯示在1800℃,氮氣氛燒結1小的顯微照
片
(a)20% A1/A1N (b)32.5% A1/A1N
(c)40% A1/A1N
圖2燒結後體密度與相對密度對於A1含量之關係圖
(a)相對密度 (b)體密度
圖3 在1800℃燒結1小時後試片重量變化和A1含量之關係
圖
圖4 在1,800℃,氮氣氛燒結1小時後純A1N和A1/A1N的韌
性變化。 |
