478_088-045CP-TW
發佈日期 :
2009-04-30
| 224076 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 氣相反應法低溫合成高品質鑽石膜(全文下載) | |||||||||||||||||||||||||||||
| 1994/05/21 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 066272 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 1992/03/05 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 081101674 | |||||||||||||||||||||||||||||
| C01B-031/06 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 21-15 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 洪澄文 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 本發明係有關於一種利用氣相合成法於低溫合成高品質鑽石膜之方法，其原料氣體採用CHxClY係氯烷，經由氫氣稀釋後；或將氯烷化合物或氯氣，與碳氫化合物(CxHy)或經氣化後的含氧碳氫化合物(CxHyOz)之二元系混合氣體，經由氫氣烯釋後，再利用微波電漿、高周波電漿或熱電子等方法所產生的電漿來活化，將高品質鑽石或類鑽石薄膜低溫（450-700℃）成長於基板表面。除此之外，於原料氣體中添加微量之氧氣或氬氣，將有利於鑽石薄膜之品質與成長速度。 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 1﹒一種利用氣相合成法於低溫合成鑽石或類 鑽石之方法,其包括: 利用微波電漿方法所產生的電漿來活 化原料氣體,於700℃以下之蒸鍍溫度合 成鑽石或類鑽石薄膜;其中所採用之原料 氣體為氯烷化合物(CHxCIy)或氯氣;碳 氫化合物(CxHy)或經氣化後的含氧碳氫 化合物(CxHYO7z)及氫氣之混合氣體。 2﹒如申請專利範圍第1項之方法,其中該蒸 鍍溫度為450-700℃。 3﹒如申請專利範圍第1項之方法,其中該原 料氣體中碳原子對氯原子之原子比為0﹒2 -10。 4﹒如申請專利範圍第1項之方法,其中該氯 烷化合物對氫氣之容量比為3%以下。 5﹒如申請專利範圍第1項之方法,其中該氯 烷化合物為選自CH4.CHCI3.CH2Cl2及 CCl4所成之群體。 6﹒如申請專利範圍第1項之方法,其中該碳 氫化合物為選自CH4及C2H4所成之群體 7﹒如申請專利範圍第1項之方法,其中該經 氣化後的含氧碳氫化合物為CH3OH。 8﹒如申請專利範圍第1項之方法,其中該微 波電漿活化方法為電子迴旋共振微波電漿 活化法(ECR微波電漿法)。 9﹒一種利用氣相合成法於低溫合成鑽石或類 鑽石之方法,其包括: 利用微波電漿方法所產生的電漿來活 化原料氣體,於700℃以下之蒸鍍溫度合 成鑽石或類鑽石薄膜;其中所採用之原料 氣體為氯烷化合物(CHxCIy)或氯氣;碳 氫化合物代(CxHy)或經氣化後的含氧碳氫 化合物(CxHyOz)及氧氣或氫氣(Ar)及 氫氣之混合氣體。 10﹒如申請專利範圍第9項之方法,其中該 蒸鍍溫度為450-700℃。 11﹒如申請專利範圍第9項之方法,其中該 氯烷化合物對氫氣之容量比為3%以下。 12﹒如申請專利範圍第9項之方法,其中該 原料氣體中碳原子對氯原子比為0﹒2─10。 13﹒如申請專利範圍第9項之方法,其中該 氧氣對氫氣之容量比為3%以下。 14﹒如申請專利範圍第9項之方法,其中該 氫氣對氫氣之容量比為10%以下。 15﹒如申請專利範圍第9項之方法,其中該 氯烷化合物為選自CH4.CHCI3.CH2Cl2及 CCI34所成之群體。 16﹒如申請專利範圍第15項之方法,其中該 氯烷化合物CHCI3。 17﹒如申請專利範圍第9項之方法,其中該 碳氫化合物為選自CH4及C2H4所成之群 體。 18﹒如申請專利範圍第9項之方法,甚中該 經氣化後的含氧碳氫化合物為CH3OH。 19﹒如申請專利範圍第9項之方法,其中該 微波電漿活化方法為電子迴旋共振微波電 漿活化法,(ECR微波電漿法)。 圖示簡單說明: 第1圖為微波電漿CVD裝置的概略模 式圖, 第2圖為實施例1所得鑽石膜對應之 Raman光譜圖。 第3圖為實施例2所得鑽石膜對應之 Raman光譜圖。 第4圖為實施例3所得鑽石膜對應之 Raman光譜圖。 第5圖為實施例4所得鑽石膜對應之 Raman光譜圖。 第6圖(a)、(b)、(c)分別為實施 例5.6.7所得鑽石膜對應之Raman光 譜圖。 第7圖為實施例8所得鑽石膜對應之 Raman光譜圖。 第8圖為實施例9所得鑽石膜對應之 Raman光譜圖。 |
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| 專利權異動 |
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| 申請案件狀態 |
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