482_088-042CP-TW
發佈日期 :
2009-04-30
| 294727 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 結合無電鍍與浸鍍方法製備焊錫隆點(全文下載) | |||||||||||||||||||||||||||||
| 1997/01/01 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 083624 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 1995/02/21 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 084101558 | |||||||||||||||||||||||||||||
| C23C-018/54 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 24-01 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 陳榮福 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 本發明”結合無電鍍與浸鍍方法製備焊錫隆點”係於鹼性、酸性溶液中洗滌矽晶片鋁墊﹐且於含有氫氧化鈉、酒石酸鉀鈉、硝酸鈉之置換液中進行鋅置換﹔於含次磷酸鈉等強還原劑所組成之鍍液中﹐進行無電鍍鎳銅磷合金析鍍﹔選用硬脂酸、麩氨酸之有機溶媒溶液為助熔劑將矽晶片垂直浸入後﹐將矽晶片浸入較高於鉛錫合金熔點溫度40至８０℃左右熔融溫度所製備之焊錫爐浸鍍焊。 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 1. 一種結合無電鍍與浸鍍以製備焊錫隆點之方法,其係 於鹼性溶液洗滌矽晶片鋁墊,並經酸性溶液洗滌,於含有 氫氧化鈉、氧化鋅、氰化物、酒石酸、硝酸鈉之置換液進 行鋅置換;於含次磷酸鈉、聯氨、硼氫化鈉強還原劑所組 成之鍍液,進行無電鍍鎳銅磷合金析鍍;選用硬脂酸、麩 氨酸之有機溶媒溶液為助熔劑將矽晶片垂直浸入後,將矽 晶片高於熔點40至80℃左右溫度熔融之焊錫爐浸鍍焊錫。 2. 如申請專利範圍第1項之方法,其助熔劑係含有 0.1-20 g/ml硬脂酸(stearic aicd),0.1-20 g/ml麩氨酸 (glutamic acid)之有機溶液。 3. 如申請專利範圍第2項之方法,其助熔劑係含有碳數10 以下之醇類。 4. 如申請專利範圍第2項之方法,其助熔劑係含有 0.1-10 g/ml硬脂酸(stearic aicd),0.1-10 g/ml麩氨酸 (glutamic acid)之甲醇、乙醇、丙醇溶液。 5. 如申請專利範圍第1項之方法,其無電鍍鎳銅磷之鍍浴 係包括25-35 g/L NiSO@ss4‧7H@ss2O,10-20 g/LNaH@ ss2PO@ss2‧H@ss2O,35-45 g/l NH@ss4Cl,1.0-2.0 g/ LCuSO@ss4‧5H@ss2O,45-55 g/L Na@ss3C@ss6H@ss5O@ ss7‧2H@ss2O。 圖示簡單說明: 圖一焊錫隆點之製作方法流程圖。 圖二進行鋅置換後鋁墊表面型態及元素分佈掃描圖。 圖三無電鍍鎳銅磷鍍層表面型態及元素分佈掃描圖。 圖四無電鍍鎳銅磷鍍層之熱差分析(DTA)。 圖五無電鍍鎳銅磷鍍層之X光繞射(XRD)圖。 (a) 剛析鍍 (b) 300℃ (c) 400℃ (d) 500℃ (e) 600℃ 。 Ni@ss3P.Al@ss3Ni ▲ AlCu@ss4 ■ Ni ��� Cu ★Al 圖六無電鍍鎳銅磷鍍層截面之元素分析 ▲ Pb ■ Ni@ss3Sn@ss4 ▫ Ni ‧ Sn 。 Cu 圖七無電鍍鎳銅磷鍍層與焊錫界面金屬間化合物之X光繞 射(XRD)圖分析。 圖八無電鍍鎳銅磷鍍層與焊錫界面金屬間化合物之表面型 態(250℃ 熱處理16小時)。 圖九無電鍍鎳銅磷鍍層與焊錫界面之。(AES) 光譜分析( |
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| 專利權異動 |
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| 申請案件狀態 |
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