487_088-039CP-TW
發佈日期 :
2009-04-30
| 283738 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 氮化鋁表面被覆鋁膜之製造方法(全文下載) | |||||||||||||||||||||||||||||
| 1996/08/21 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 080845 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 1994/09/17 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 083108564 | |||||||||||||||||||||||||||||
| C23C-014/14 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 23-24 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 陳榮福 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 本發明係有關氮化鋁於低溫獲得燒結體之製造方法，於氦化鋁粉體被覆金屬鋁膜後，直接成形或施以冷均壓於常壓下以1650℃～1750℃溫度燒結，而形成緻密之氮化鋁燒結體。 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 1. 一種低溫燒結氮化鋁(ALN)成緻密氮化鋁陶瓷燒結體之 方法: 使用表面被覆金屬Al量0.1-5wt%之氮化鋁顆粒或凝聚體 ,經壓力成形、燒結時,先於真空下加熱使Al熔化連結於 氮化鋁顆粒之間,並持溫一段時間之後,通入可將金屬鋁 氮化成氮化鋁之氣體,且在氮化溫度持溫,再升溫1650℃ -1750℃燒結溫度,產生緻密度高之氮化鋁陶瓷燒結體。 圖示簡單說明: 圖一 製造流程 1..真空窒11..電極12..鎢絲13..培養皿14..派拉尼真空 計2..擴散幫浦21..熱水出口22..冷水入口3..離子真空計 4..真空閥5..機構幫浦 圖二 真空蒸鍍裝置 圖三 覆膜流程圖 圖四 x光繞射圖 1.原料氮化鋁 2.金屬鋁 3.被覆 鋁膜之氮化鋁粉末 4.燒結後氮化鋁燒結體 圖五 燒結體之相對密度、線性收縮率與被覆鋁量之關係 圖(持溫3小時) 1700℃☆相對密度�線性收縮 1750℃▫相對密度+線性收縮 圖六 燒結體之相對密度與被覆鋁量之關係圖(1750℃燒 結溫度) +持溫1小時 ▫持溫3小時 �持溫6小時 圖七 燒結體之線性收縮率與被覆鋁量之關係圖(1750℃ 燒結溫度) +持溫1小時 ▫持溫3小時 �持溫6小時 圖八 燒結體之比介電常數、損耗因子(tan���)與被覆鋁 量之關係圖(持溫3小時) 1700℃▫比介電常數+損耗因子 1750℃�比介電常數 損耗因子 圖九 燒結體之比介電常數與被覆鋁量之關係圖(1750℃ 燒結溫度) �持溫1小時 +持溫3小時 ▫持溫6小時 圖十 燒結體之比介電常數、損耗因子(tan���)與被覆鋁 量之關係圖(1750℃燒結溫度) |
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| 專利權異動 |
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| 申請案件狀態 |
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