489_088-038CP-TW
發佈日期 :
2009-04-30
| 262457 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 以低溫燒結製造LAS系陶瓷材料之方法(全文下載) | |||||||||||||||||||||||||||||
| 1995/11/11 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 074851 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 1993/03/22 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 082102103 | |||||||||||||||||||||||||||||
| C04B-035/58;C04B-035/64 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 22-32 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 洪澄文 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 本發明係有關於一種對LAS系陶瓷材料以低溫燒結之製造方法。其中特別是在燒結前添加重量濃度為0.5～5%之LiF為燒結助劑，可大幅提高LAS系繞結體之相對密度至97.9%。本發明之製造方可以減少孔隙度，並增加緻密度，陶瓷產品之品質得以提升；此外燒結溫度之降低可節省能源成本。 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 1.一種以低溫燒結製造LAS系(Li@ss2O-Al@ss2O@ss3-SiO@ ss2)陶瓷材料之方法,包括以下步驟: (a)以鋰溶膠、鋁溶膠和矽溶膠為原料,依溶膠-凝膠法合 成LAS系陶瓷粉末,其中Li@su+:Al@su+@su3:Si@su+@ su4之莫耳比為1:1:2; (b)於550-750℃之溫度燒該合成之LAS系陶瓷粉末; (c)將溶於醇類中之LiF溶液加入該經燒之LAS系陶瓷粉 末中,其中該LiF之量為該經燒之LAS系陶瓷粉末之0.50 -5wt%;以及 (d)將步驟(c)得到之LAS系陶瓷粉末成型,並於950-1250 ℃之溫度進行燒結以得到LAS系陶瓷燒結體。 2.如申請專利範圍第1項之方法,其中(b)步驟乃以600℃ 燒並持溫4小時者。 3.如申請專利範圍第1項之方法,其中LiF之添加量為3wt% 溶於乙醇中者。 4.如申請專利範圍第1項之方法,其中步驟(d)之燒結處理 乃是以3℃/分之升溫速率至該燒結溫度後持溫5小時進行 者。 圖示簡單說明: 第1圖為以3℃/min之升溫速率對水合量40莫耳比所合成 LAS膠體之DTA/TGA測定圖。 第2圖為LAS乾燥膠體在不同溫度下燒4小時所得之X光燒 射圖。 第3圖為LAS乾燥膠體在不同溫度下燒4小時所得之FTIR 圖譜。 第4圖為���-鋰輝石主結晶相之結晶度與熱處理溫度之關係 圖。 第5A圖為���-鋰輝石燒結過程中之熱膨脹測定。 第5B圖為添加4wt%LiF之���-鋰輝石於燒結過程中之熱膨脹 測定。 第6圖為���-鋰輝石於不同溫度下持溫5小時進行燒結,所 得燒結體其X光繞射圖。 第7A圖為添加有3wt%LiF之���-鋰輝石,其燒結晶粒粒徑與 燒結溫度之關係圖。 第7B圖為添加有1wt%LiF之���-鋰輝石,其燒結晶粒粒徑與 燒結溫度之關係圖。 第8圖為���-鋰輝石添加不同含量之LiF於1050℃燒結,所 得燒結體之X光燒射圖。 第9A圖為���-鋰霞石(203)晶面和���-鋰輝石(102)晶面之X 光繞射強度與LiF添加量之關係圖。 第9B圖為鋰霞石(22)晶面及(113)晶面之X光繞射強度與 LiF添加量之關係圖。 第10A圖為���-鋰輝石添加3wt%LiF之燒結體中鋁、矽在 STEM相圖中不同分析點之含量分布。 第10B圖為由同於第10A圖之試樣之STEM相圖中,在不同區 域取6個分析點鋁,矽含量分布圖。 第11圖為���-鋰輝石添加LiF燒結時相變化之示意圖。 第12圖為在不同燒結溫度下,添加3wt%LiF之燒結體晶粒 大小與持溫時間之關係圖。 第13圖為LiF添加量對���-鋰輝石燒結體密度之關係圖。 |
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| 專利權異動 |
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| 申請案件狀態 |
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